芯片不良分析总结

2024-09-01

芯片不良分析总结(精选15篇)

1.芯片不良分析总结 篇一

2013年护理不良事件分析总结

2013年护理工作在全院护理同仁共同努力下,圆满完成今年护理工作计划及方针目标,全年无护理事故、无纠纷、无投诉。今年共计收到科室主动上报的不良事件45例,较上年降低16%。

一、不良事件统计

(一)病人安全管理方面:

1、管道异常脱出7例,增长50%;

2、病人跌倒8例,降低75%;坠床4例,增长300%。;

3、病人自杀2例,增长100%;

4、病人走失2例;

5、药物不良反应1例,降低50%;输血反应1例;

(二)规章制度落实方面:

1、给药错误5例,与2012年发生率持平;

2、病人识别错误致标本采集错误1例;

(三)护理服务方面:

1、病人投诉0例;

(四)护士职业暴露安全防范意识方面:

1、各类穿刺针刺伤12例,增长率71%。

二、原因分析 1、2013年护理不良事件的发生有降低趋势,较2012年降低16%。

2、发生的种类和严重程度较2012有下降趋势,说明在不良事件的管理上,科室重视、培训加强,收到了一定效果。

3、分析各种不良事件发生的原因,护理人员主观原因造成的不良后果大幅下降,流程设计存在的缺陷和病房硬件设施造成的不良后果加大。

4、核心制度落实不力和违反操作常规仍然是发生不良事件的主要原因,比如查对制度执行不严格,查对流于形式,凭记忆核查而不是用眼睛督查,护理操作中凭经验处置,违反操作常规等。

5、病人安全管理方面的不良反应,集中在老龄病人身上的问题比较突出,究其原因分析后发现,社会因素是至老龄病人发生此类事件的主要原因,比如怕拖累家人、惧怕孤独、经济负担加重等。三:改进方法

1、继续鼓励不良事件主动上报,发生不良事件后,及时积极与相关部门和人员合作,将病人的损害降到最低,最大限度的保障病人的生命安全。在护理安全会议上讨论,将个别经验教训作为间接经验教训在全院引起重视。

2、加强核心制度及护理工作流程的培训和督查,通过多培训、多督查,提高大家的思想意识和执行力。针刺伤增长率71%,达到12例一年,主要集中在实习生和血透室护士身上,说明在职业防护和自我安全保护方面第年资和特护岗位的护士应有针对性地加强培训。

3、护理安全委员会应根据发生的问题从源头上、从流程、制度的制定上给临床护士提供安全保障,优化操作流程,与设备科沟通提供符合安全标准的器具、材料或耗材。

4、对住院老年病人,要加强和社会支持系统的沟通,从人文关怀的角度,为老年人多争取一些保障和关爱,比如:家庭的探望、恰当的助行器具、适当的经济支持、单位的关心慰问等,让老年病人的心情保持较为愉快和健康。

5、加强各种告知制度的落实并签字确认。入院宣教制度、跌倒、压疮高危预警制度、走失高危预警制度、约束带使用告知制度、创伤性操作告知制度等,经常不断为重点病人及家属进行安全指导,能及时有效的传达医院对家属、病人自己的重视和相关责任义务等内容,引起相关人员的重视。

6、加强有管道病人的护理和防范措施落实,主动采取防范措施,减少或杜绝问题的发生。护理流程和应急预案更进一步培训,使其人人熟知,遇紧急情况时能熟练应对。

7、加强重点人员管理,对年轻、低资历护士各类能力培训。合理安排班次、人力资源配置。强化护理人员自我保护意识,强化职业防护意识。规范执行各项操作规程,工作时做到井然有序,减少职业损伤。

护理部

2013年12月30日

2.芯片不良分析总结 篇二

1 资料与方法

收集我院2010年1月至2010年12月的132例ADR报告表, 按患者性别、年龄、引起ADR的药物类别、反应类型, 给药途径、ADR临床表现类型进行回顾性统计分析。

2 结果

2.1 一般结果

132例ADR报告中, 男54例, 女78例, 女性比例高于男性。患者年龄最小2个月, 最大79岁。各年龄段ADR发生的分布情况, 见表1。

2.2 给药途径与ADR

132例ADR报告中, 静脉注射127例, 占96.21%, 口服2例, 占1.52%, 肌肉注射3例, 占2.27%。

2.3 ADR涉及的药物种类

132例引发ADR的抗感染药物种类进行统计, 头孢菌素类58例, 占43.94%, 其中, 头孢替唑最多, 占头孢类的15.52%;青霉素类药物34例, 占25.76%;所有涉及药品种类与ADR分类情况, 见表2。

2.4 ADR主要临床表现及分类

132例ADR报告中, 按药物不良反应的主要临床表现及分类可知, 皮肤及附件损害较多, 共75例, 占56.82%;ADR主要临床表现及分类情况, 见表3。

3 讨论

药品不良反应 (ADR) 是指合格药品在正常用法用量下出现的与用药目的无关或意外的有害反应。近年来, 抗感染药物的临床应用日益广泛, ADR监测亦随之广泛开展, 抗感染药物所致的ADR日益受到重视, 正确合理地应用抗感染药物是提高疗效、降低不良反应发生率以及减少或减缓细菌耐药性发生的关键[1]。有资料显示, 对药物不良反应女性较为多见[2,3]。笔者从本组资料132例ADR病例发生的分布情况来看, 男54例, 女78例, 女性比例高于男性, 中青年女性所占比例最大, 考虑与该年龄组患者人数多、用药机会多相关, 也可能与女性对药物敏感性强、耐受性较差有关。

由表2可见, 头孢菌素类引起的ADR在各类药物中居首位, 58例, 占43.94%, 其次是青霉素类和喹诺酮类, 各占25.76%和15.15%。头孢菌素类和青霉素同属于β内酰胺类, 由于该类药物抗菌谱广, 安全性相对较好等优点, 是目前治疗严重感染的首选药物, 临床使用非常广泛, 用量非常大, 但ADR病例也日趋增多[4]。近年来, 喹诺酮类药物发展十分迅速[5], 喹诺酮类药物具有广谱高效的抗菌作用, 组织穿透力强, 在肺组织中浓度高, 对军团菌、支原体等细菌内繁殖的病原体效果好[6], 且使用前不做药敏试验, 因此被临床广泛使用, 临床医生在患者对β内酰胺类抗菌药物过敏时, 常换用喹诺酮类药物。喹诺酮类也是我院临床选用较多的抗菌药物, 引起的ADR例数也较多, 其中以左氧氟沙星所占比例最大, 环丙沙星则位居第二。而头孢菌素类引发的ADR中, 药物过敏导致皮肤及其附件损害最多。因此临床医师在使用头孢菌素类抗菌药物前应详细询问患者病史, 用药时应对高敏患者和特殊患者重点监护, 严格掌握用药指征, 达到安全合理使用该类药物的目的。

本组资料132例中静脉给药方式为127例, 占96.21%。由此可见, 静脉给药相对于其他给药途径更易引发ADR。其原因是药物直接进入血液, 缺少消化道和防御系统的处理, 并且p H值、渗透压、微粒、内毒素等更易直接影响人体器官和功能, 使不良反应发生的可能性增加。

从表3可知, 皮肤及其附件损害、消化系统损害、心血管系统损害居前3位。其中皮肤及其附件损害位居首位, 占56.82%, 与此类反应易密切观察有关。皮肤损害以皮疹为主, 多数伴有瘙痒。在收集的ADR病例报告中, 临床易于观察的不良反应有皮肤损害、胃肠反应及发热等, 患者短时间内反应较为明显、强烈。病例上报数量较多, 而那些不易观察到的反应如隐蔽、潜在以及慢性的ADR漏报率较高。因此, 临床上应警惕药物潜在的及慢性的ADR, 以免延误该类ADR的诊治和处理。

目前, 多数医院已有较完善的ADR监测制度, 也有专职临床药师深入临床, 调查抗菌药物合理使用情况, 进行ADR宣传督查工作。通过医院网络, 及时反馈ADR关联性评价及有关信息。这对提高医疗水平和治愈率、降低死亡率和医疗费用、防范不良反应发生起到了一定的作用。但抗感染药物不良反应仍很常见。建议医院加强ADR报告的监管和教育, 完善不良反应上报制度, 并定期向临床反馈药品不良反应信息, 减少药物不良反应的发生。总之, 加强对抗感染药物的管理与控制是促进临床合理用药的重要保证。

摘要:目的 总结分析双牌县中医院抗感染药物不良反应 (ADR) 的情况及其特点, 为临床合理用药提供参考。方法 汇总本院2010年1月至2010年12月的132例抗感染药物不良反应报表, 进行回顾性分析总结。结果 132例ADR报告中涉及药品29种, 其中男54例 (40.91%) , 女78例 (59.09%) , 女性比例稍高于男性;给药途径以静脉为主127例 (96.21%) ;临床表现以皮肤及其附件损害75例 (56.82%) 。结论 临床应重视合理使用抗感染药物及其用药监测, 以预防和减少ADR的发生, 以达到更好的临床疗效。

关键词:抗感染药物,药物不良反应,用药监测,总结分析

参考文献

[1]中华人民共和国卫生部, 国家中医药管理局, 总后卫生部.抗菌药物临床应用指导原则.中国临床药学杂志, 2005, 14 (2) :1-6.

[2]陈桂香.175例抗感染药物不良反应报告分析.中国现代药物应用, 2010, 4 (14) :149-151.

[3]孙定人, 齐平.药物不良反应.第3版.北京:人民卫生出版社, 2003:9.

[4]彭芳辰, 史岑, 史双来.头孢菌素类药物653例不良反应分析.中国药房, 2003, 14 (6) :358-360.

[5]朱文平.喹诺酮类药物不良反应的分析.中国当代医药, 2010, 17 (22) :82-83.

3.芯片不良分析总结 篇三

为进一步增强护理人员安全意识,消除安全隐患,提高服务质量,降低和防范护理风险,确保医疗安全。现将我科上半的护理不良事件原因进行分析,提出整改措施,使我科护理人员从中吸取深刻的教训,做到举一反三,避免类似事件发生。具体总结工作如下:

一、上半年发生护理不良事件2例:皮肤破损1例,护理投诉1例。

二、护理不良事件原因分析:

1、宣教不到位,未引起产妇及家属的重视。

2、基础护理落实不到位。

3、交接班不仔细,未进行全面交接。

4、产科新进护士多,相关专业知识欠缺,服务意识不够,红灯接应不及时。

5、管理不到位,存在常用药品不足和物资缺乏。

三、整改措施

1、加强宣教,告知目的性和重要性,让孕产妇主动配合,达到宣教的效果。

2、落实基础护理,规范会阴护理,落实口腔护理及面部清洁,做好晨间护理,责任护士完成,责任落实到人。

3、规范交接班,提前到岗,了解病区动态,重视皮肤和管道交接。

4、加强业务培训,增加新进护士培训内容,规范护理操作流程,加强服务意识,病人提出疑问,耐心解答。

5、护士长加强督查,每天对基础护理,交接班,宣教等各方面检查。

4.Linux芯片总结 篇四

一、Cortex-M3内核概述:

Cortex‐M3是一个32位处理器内核,它内部的数据路径是32位的,寄存器是32位的,存储器接口也是32位的。CM3采用了哈佛结构,拥有独立的指令总线和数据总线,可以让取指与数据访问并行不悖。Cortex-M3采用ARMv7-M构架,不仅支持Thumb-2指令集,而且拥有很多新特性。较之ARM7-TDMI,Cortex-M3 拥有更强劲的性能、更高的代码密度、位带操作、可嵌套中断、低成本、低功耗等众多优势。

CM3提供一个可选的MPU,而且在需要的情况下也可以使用外部的cache;另外在CM3中,Both小端模式和大端模式都是支持的。CM3内部还附赠了好多调试组件,用于在硬件水平上支持调试操作,如指令断点,数据观察点等。另外,它为支持更高级的调试,还有其它可选组件,包括指令跟踪和多种类型的调试接口。

二、Cortex-M3内核配置

ARMCortex-M3采用哈佛结构,并选择了适合于微控制器应用的三级流水线,但增加了分支预测功能,可以预取分支目标地址的指令,使分支延迟减少到一个时钟周期。针对业界对ARM处理器中断响应的问题,Cortex-M3首次在内核上集成了嵌套向量中断控制器(NVIC)。Cortex-M3的中断延迟只有12个时钟周期(ARM7需要24-42个周期);Cortex-M3还使用尾链技术,使得背靠背中断的响应只需要6个时钟周期(ARM7需要大于30个周期)。Cortex-M3采用了基于栈的异常模式,使得芯片初始化的封装更为简单。

Cortex-M3加入了类似于8位处理器的内核低功耗模式,支持3种功耗管理模式:通过一条指令立即睡眠、异常/中断退出时睡眠和深度睡眠,使整个芯片的功耗控制更为有效。

CM3 拥有通用寄存器R0‐R15以及一些特殊功能寄存器。R0‐R12是最通用的,但是绝大多数的16位指令只能使用R0‐R7(低组寄存器),而32位的 Thumb‐2指令则可以访问所有通用寄存器,特殊功能寄存器有预定义的功能,而且必须通过专用的指令来访问。Cortex‐M3中的特殊功能寄存器包括:程序状态寄存器组(PSRs或xPSR)、中断屏蔽寄存器组、控制寄存器(CONTROL)。

三、Cortex-M3的性能与特点

① Cortex-M3的许多指令都是单周期的——包括乘法相关指令。并且从整体性能上看,Cortex-M3基于ARMv7-M架构优于绝大多数的内核;

② 支持Thumb-2指令集,为编程带来了更多的灵活性,Cortex-M3的代码密度更高,对存储器的需求更少;

③ Cortex-M3有先进的中断处理功能,其内建的嵌套向量中断控制器支持多达240条外部中断输入,向量化的中断功能剧烈地缩短了中断延迟,因为不需要软件去判断中断源,而且中断的嵌套也是在硬件水平上实现的,不需要软件代码来实现; ④ Cortex-M3需要的逻辑门数少,所以先天就适合低功耗要求的应用,CM3的设计是全静态的、同步的、可综合的,所以任何低功耗的或是标准的半导体工艺均可放心使用;

⑤ Cortex-M3支持传统的JTAG基础上,还支持更新更好的串行线调试接口;

四、基于Cortex-M3的STM32F103ZET6嵌入式开发板

国内Cortex-M3市场,ST(意法半导体)公司的STM32无疑是最大赢家,作为 Cortex-M3内核最先进的两个公司之一,ST 无论是在市场占有率,还是在技术支持方面,都是远超其他对手。在Cortex-M3芯片的选择上,STM32无疑是我们学习使用Cortex-M3的首选开发板。

作为初学者来学习使用Cortex-M3内核其实会很困难,而通过运用功能强大的集成开发板stm32,则能够加深我们对内核运用的了解;每一套开发板都会配套一个固件库,这个固件库函数可以是我们不完全了解Cortex-M3内核寄存器的工作方式前提下,通过调用库函数实现对寄存器的控制,而且寄存器版本的STM32开发指南能够帮助我们更进一步认识寄存器的工作。

STM32F103ZET6属于中低端的32位ARM微控制器,有512K的片内Flash存储、64K字节的SRAM等高性价比的配置。作为一款常用的增强型系列微控制器,STM32F103ZET6适用于电力电子系统方面、电机驱动、应用控制、医疗、手持设备、PC游戏外设等。

5.芯片不良分析总结 篇五

一、赛项最终成绩

5月8日,2017年全国职业院校技能大赛“电子产品芯片级检测维修与数据恢复”赛项在天津中德应用技术大学举行。本次大赛由教育部等相关部门主办,由天津中德应用技术大学承办。共有来自全国高职院校的76支代表队,152名选手参赛。经过紧张比拼,由我院信息工程系应用电子技术专业和计算机专业杜玉恩、刘华增2名学生组成的代表队取得团体三等奖。

二、赛项比赛内容

该赛项旨在服务于中国制造2025、进一步引领高职院校培养高职计算机类相关专业学生软硬结合的产品开发意识和用户体验设计能力,激发其对电子产品芯片级检测维修与数据恢复领域的学习和研究兴趣,提高其软件编程能力和职业素养,为地方经济的工业化、信息化发展输送实用的高端人才。

三、赛事投入产出比 一)投入设备及培训费用:

1.该赛项今年投入大赛设备经费25.05万元; 2.选拔赛集训费用0.45万元; 3.赴深圳培训花费2.0万费。4.自购训练耗材1.2万元 合计28.7万元

二)教师投入时间与精力

教师利用业余及周末时间开展辅导工作,投入了很多的时间与精力,与学生一起研究赛题和技术难点。

四、赛项效益

一)赛项对专业建设的意义。

信息工程系应用电子技术专业一贯注重培养学生的动手能力、团队协作能力、创新意识和职业素养,依托电子创新工作室,广泛开展数据恢复技术与应用开发、电子产品设计与制作、电子产品维修赛项,以赛促学,提升学生的工程实践能力和创新能力,取得了可喜成绩,毕业生就业竞争力和社会认可度得到持续提升。

二)赛项成绩 该赛项在2016年省赛一等奖,2017年国赛选拔赛山东省赛区第2名,2017年国赛三等奖。总体在山东省及全国高职院校中成绩靠前。我认为总结经验教训,继续努力,还是能够取得一定的成绩,我认为该赛项应该保留。

袁照刚

6.芯片不良分析总结 篇六

电源管理芯片的原理是通过编程来控制设置在电源内的芯片, 使电源管理系统通过软件指令控制各级电压激活与否, 即通过各项不同软件指令来实现循环执行和条件执行控制各级电压激活, 在电源系统内部完成电能的变换、分配、检测、管理。通过CPU供电幅值, 控制各级电路功率输出。

电源管理芯片的目标是提高效率, 降低功耗以此达到绿色环保的要求, 而随着其应用范围的越来越广泛, 其功能越来越多, 增效节能的要求也更加突出, 节能增效的要求不再仅仅是开关电源等核心部位的要求, 功率因数校正 (PFC) 、USB充电和系统级节能增效的问题, 也日益受到关注。

在越来越多的领域对电源管理芯片提出新的要求, 如通信、数字家庭设备、移动终端等等, 随着对数据处理能力的不断提高, 能耗的要求也越来越增加。因此如何尽可能的满足能耗的需求同时提高效率, 节约电能成为重中之重。

电脑的电源系统管理主要可以关注PFC的功耗和开关电源的功耗, 如何提升每一级电路的能效是相当重要的。在开关电源 (SMPS) 部分, 我们可以通过软件编程完成开关损耗的下降或者整流器压降来减少次级损耗。这两种都是行之有效的方法。

如今我们可以通过采用工艺更为先进、性能参数更加高的PFC电感、diode、场效应管来提高PFC的效率。但随着要求的迅速提高仅仅通过选择性能参数优异的原件满足不了新的要求, 因此只有新技术的应用才将会满足新的要求例如无桥PFC, 它可以大大减少桥的损耗。

为了达到更高的效率我们还可以采用交错式PFC, 以及通过工艺技术的提高、软开关技术等来完成开关损耗的下降或者新型拓扑的应用等等。

在移动终端日益发展的今天, 智能手机, 平板电脑、智能手表眼镜等可穿戴电子产品功能多元化、完善化, 其电源的尺寸、效率、能耗、充电时间、性能的安全稳定性的问题日益凸显, 电源管理芯片技术的研究应用也越来越重要。

在移动终端方面, 更多采用USB接口进行充电, 如何通过USB接口快速充电, 提高效率是一个挑战。一般移动设备通过USB连接电脑时, Imax为500m A, 而充电芯片功率为有限值, 如何利用有限功率高效完成充电是非常重要的, 我们利用开关模式的充电芯片可以很好替代传统的线性充电方式, 大大提高效率节约时间能耗, 移动终端市场的蓬勃发展, 提供机遇的同时也给出了许多难题。我们可利用具有高速动态响应的降压控制器, 高速运行, 可允许使用更小的系统电容, 同时集成了更多开关管以及充电电流侦测电阻, 使得应用更简便。通过外部的侦测电阻和电池端NTC电阻来检测动态电流, 对电池容量进行合理估算, 同时利用高效算法, 及OCV侦测功能来初始化和校准修正电池剩余容量, 增强电池侦测的准确性, 以更提高用户体验。

移动终端和可佩戴电子设备有两个关键问题除了上面我们谈到的高效率, 我们还很关注产品的体积。我们希望产品越小越好越轻越好, 因此便携成为很重要的衡量指标。但高的效率调节需要更多元件支撑, 也必然推高成本增大体积, 所以如很取舍, 设计人员需要权衡主次, 确定移动终端中最需要功率支持的部件, 因此找到核心部件, 是重中之重。例如, 手机中的基带处理器从不会关闭, 但是在待机操作中却要占用90%以上的时间.因此, 要最大化延长手机的运行时间, 选择一个具有极低漏电流 (数十μA) 的功率芯片就显得非常重要了。能耗的减低是最终目标, 确保最长的运行时间, 最低的消耗是电源管理不懈的追求。

除了以上处理方式之外, 优化PCB空间也是解决体积问题的出路之一, 因为低功率并不表示小体积, 我们必须最大化的利用面积, 我们可以通过最优化电容电感这些无源器件解决我们的问题。

电源管理芯片的有相当广阔的发展前景, 新技术的发展应用也将多元化, 其性能也将日益完善。

摘要:电子产品日益发展的今天, 电子产品功能多元化、完善化, 其电源的尺寸、效率、能耗、充电时间、性能的安全稳定性的问题日益凸显, 电源管理芯片技术的研究应用也越来越重要。如何节约电路系统整体能耗而利用管理芯片将电源输出合理分配给电路中不同组件, 用管理芯片来控制减少闲置时组件的功耗, 从而达到低功耗的目的。成为节能环保的新课题。

关键词:电源管理芯片,功率因数校正,开关电源 (SMPS)

参考文献

[1]习林茂.一种SOI CMOS电压转换电路的设计[D].西安电子科技大学, 2011.

[2]张培剑.基于智能IC卡的小型电源管理模块设计[D].山东大学, 2013.

[3]罗显琴.电源管理芯片的研究[D].华中师范大学, 2012.

7.芯片不良分析总结 篇七

主要内容:

一、我行不良贷款概况及清收现状

二、不良贷款/问题贷款的成因分析

三、不良贷款/问题贷款案例分析

四、不良贷款/问题贷款的防范

五、经办授信业务如何尽职尽责

一、我行不良贷款概况及清收现状

今年以来,分行不断加大不良贷款的清收工作力度。截止8月底,已成功回收不良贷款本金合计8531.7万元,存量不良贷款清收工作开展顺利。

目前全行不良贷款余额4662.79万元,不良贷款率降至0.16%,信贷资产质量优良。但自第二季度以来,逾期贷款有所回升,截止8月底,共有3076.75万元贷款跨月逾期,逾期转不良的压力仍然较大。

二、不良贷款/问题贷款的成因分析

(一)不良贷款产生的根源是制度问题。

制度问题包括制度的漏洞问题、制度的执行力不足问题。

(二)每笔不良贷款的背后都有一系列“难以置信”的偶然事件,这些偶然事件的叠加形成了必然。

三、不良贷款/问题贷款案例分析

(一)东莞市xx针织服装有限公司

1、情况介绍

东莞市xx针织服装有限公司为东莞市本地民营企业家创办的一家服装生产企业,主营业务为生产男女毛衫,自身拥有厂房、机器设备。

授信时总资产约一亿元,年主营业务收入约两亿元,采购生产方式包括自行接单生产、来料加工,销售方式主要销售给香港中介公司转美国市场。

我行以原材料、成品质押、零星机器设备抵押、股东保证的担保方式,给予借款人使用人民币1000万元开票额度。在我行介入前,借款人已在他行以房地产抵押、核心机器设备抵押等方式融资4000万元。

某日,个别供应商上门催收货款未果,开始围堵厂区,借款人实际控制人全家随即逃匿,企业陷入停产状态。根据目前了解,借款人受香港中介公司拖欠货款影响,导致资金链断裂。

2、经验教训

(1)严格客户准入

借款人属劳动密集型行业,行业竞争充分、无自身品牌,并且我行介入前核心资产已在他行抵押融资。

因此,在此重申客户的准入标准:符合“双优、双主”的要求;争取核心条件,成为主要合作银行。(2)深入了解客户,重点监控资金链情况

借款人逃债的直接诱因是下游拖欠货款导致企业资金链断裂,但客户经理在介入时并未对客户的财务状况特别是现金流状况进行深入的了解。

因此,无论是在贷前还是贷后,熟悉客户都应作为一门重要的功课常抓不懈。同时,在整个授信过程中,要充分关注企业的收入支出情况、应收应付集中度和账龄结构,对于可能影响企业资金链状况的风险信号保持高度警惕。

(3)审慎办理代加工企业存货质押业务

借款人属于服装行业,由于其行业特征,往往为代加工方式与自行承接订单的方式并行生产,如

此一来,代加工的原材料与自身所备原材料难以区分,出质人对部分存货极可能无所有权,极容易造成质押无效。

因此,应审慎办理代加工企业的存货质押业务。

(二)东莞市xx化建有限公司

1、情况介绍

东莞市xx化建公司为东莞市本地民营企业家创办的环保产品处理企业,主要从事工业废品处理和环境服务。我行于2009年介入该客户。因增资扩产需要,2010年该客户引入深圳一家公司入股,并且该公司成为第一大股东。

借款人目前在我行共有4500万元授信,主要担保条件为全体股东保证,以及省内异地的一块土地抵押,抵押率为40%。

今年,借款人授信额度到期续作,在签订合同时,大股东拒签保证合同,随即发现借款人内部股东在经营管理方面存在意见分歧,从而导致授信逾期。

2、经验教训

(1)做好日常贷后管理工作,特别是做好风险预警工作,及时补充风险化解措施

本案中,借款人股权结构已于2010年9月发生实质性变化,但当时的经办单位A在日常贷后管理工作并未意识到这是一个重大的风险预警信号,并且也没有追加大股东保证,从而贻误了风险化解时机。今年3月,该客户移交由经营单位B经办,但B单位也一直未对其股东间的分歧予以足够重视,最终影响了借款人的授信续作。

要求各经营单位务必重视日常的贷后管理工作,特别是发现不利于我行授信回收的情况时,必须按照风险预警管理办法及时提起预警,重大风险需由经营单位一把手直接向行领导报告,并且联合分行信贷管理部及时制定有效的风险化解方案。

(2)不宜采用异地抵押物作担保。

本案中,抵押物处于省内异地,一方面较难合理地评估其实际价值,另一方面对异地抵押物处理便利程度与当地的政策有很强关系,因此,下阶段我行将进一步加强异地抵押物管控,谨慎开展异地抵押物担保授信。

(三)xx个人贷款

1、情况介绍

借款人xx在东莞经营一家广告公司,其于2010年7月以购买某处别墅为名向我行申请别墅按揭贷款,该别墅总价1680万元,借款金额1058万元,抵押率约60%。

借款发放三个月后,贷款即发生逾期,我行信管人员上门了解抵押物状态发现,抵押物评估价值水分较大,实际市价约800万元。

我行追加了借款人经营的广告公司、其母亲及姐姐连带责任保证。之后上门与借款人及担保人商谈还款事宜,但借款人及担保人较为抗拒,我行遂于2011年4月向法院提起诉讼。

2、经验教训

(1)重视抵押物价格评估、充分考虑抵押物变现能力。

虽然抵押物的评估价值是经我行认可的评估公司进行评估,但其评估人员的素质良莠不齐,其评估报告质量也可能受到客户、客户经理影响干预。

分行一方面要求相关部门加强评估公司的考核管理以及加强实地调查,另一方面要求各经营单位重视抵押物的价格评估,客观了解抵押物自身价值、抵押物的租金水平、抵押物上是否已经存在租赁合同等情况。

(2)充分了解客户,重视第一还款来源,不盲目迷信担保条件。

据了解,该客户由他人介绍给经办客户经理,经办客户经理只是了解办理房产过户的二手房中介公司,对客户只是合同面签时见过。由此来看,经办人员过于迷信房产抵押,对于借款人的背景、收入、工作情况均不甚了解,只是表面执行了面谈、面签制度,未能在工作中实际落实,导致贷款清收中我行较为被动。

(四)xx电子有限公司

1、情况介绍

xx电子为台资企业,主要生产液晶显示器背光膜组和电源成品,主要下游为深圳关联公司。借款人于2008年6月获得我行人民币7000万元综合授信额度,授信条件为借款人提供评估价值约一亿元人民币的土地及地上房产作为抵押。

由于金融海啸的影响,借款人深圳关联公司(下游企业)的美国客户倒闭,导致深圳关联公司拖欠供应商货款,包括借款人货款2亿元,从而引起借款人拖欠其上游主要供应商货款,部分供应商从2009年11月开始向法院提起诉讼,并查封了我行的抵押物。

2010年2月,我行查询到借款人提供的抵押物已被法院查封,遂停止了借款人额度使用,并追加借款人关联企业提供连带责任保证。借款人尚未到期的授信到期后纷纷发生逾期,我行向法院提起诉讼,之后借款人向法院申请进入破产程序。

2、经验教训

(1)审慎办理台资、港资企业授信业务

东莞存在大量的台资、港资企业,这些企业大多数为外资企业在内地的一个加工机构,在东莞无核心资产、无自有品牌、无本地高管人员,所使用的厂房与机器设备大多为租用。

该类企业在发生金融危机或业绩下滑时,极容易弃业务而逃匿,从实际情况来看,外资企业的违约概率也要高于本地民营企业,因此,要审慎介入台资、港资等企业。

(2)关注抵押物的法律状态

我行的授信抵押条件,均采取最高额抵押。按照法律规定,最高额抵押的抵押物一旦被查封,抵押物担保的主债权即确定,通俗点说,抵押物被查封之后我行所发放的授信不能包含在最高额抵押的担保范围。

本案中,经办经营单位在查询抵押物状态时流于形式,导致在他人查封抵押物的情况下,我行仍继续使用授信额度,使查封后的授信面临脱保的风险。因此各经营单位在日常开展业务过程中,需严格按照分行的制度要求,执行抵押物法律状态查询制度。

(五)东莞市xx发展有限公司

1、情况介绍

借款人原本从事批发纺织品业务,后经营物业租赁,在某镇有约2000万元的商铺出租,月租金收入约20万元。

我行给予借款人1800万元授信,担保条件主要包括上述2000万元商铺抵押以及一幢价值500万元的别墅抵押,抵押率70%。

2010年1月,抵押给我行的部分商铺(约1/3)发生了火灾,虽无人员伤亡,但是给借款人人带来较为严重的影响。借款人因处理火灾事宜,被牵涉了大部分精力,并耗费了大量资金,无暇顾及其他业务,造成借款人贸易生意急剧萎缩,企业资金链紧张。

2、经验教训——关注民营企业实际控制人的经营决策能力 东莞民营企业众多,民营企业在我行客户群中占有很大一部分。我行在与民营企业的授信合作中,谈判地位较高,授信收益较好;但部分民营企业未能形成良好的企业文化、财务管理不规范、抗风险能力较弱,企业经营状况往往依赖于企业法定代表人或实际控制人的个人能力,若企业实际控制人出现变故或决策错误,则企业未来的发展趋势则不甚明朗。

本案中,从清收人员日常与实际控制人接触了解到,该实际控制人分析决策能力较差,经营团队管理松散,处理突发事故时无所适从,从而导致个别突发事故影响企业的全盘经营。

四、不良贷款/问题贷款的防范

(一)授信主体的选择——选择正确的行业面、正确的客户

坚持选择“双优双主”,符合环保、符合维护社会稳定,具有“闪光点”的企业;选择配合度高、可知资产明显大于可知负债的客户;切实做到“了解你的客户,了解你客户的业务”;重视第一还款来源,限制介入第一还款来源有问题的企业。

(二)坚持适度授信原则,审慎介入,循序渐进

各经营单位应根据客户的实际经营情况、财务状况、还款来源、担保条件等一系列因素,结合监

管部门提出的测算要求,对给予客户的授信额度进行合理的设定,避免出现授信金额过大出现信贷资金闲置、挪用的情况。

(三)重视担保条件的选择,争取足额有效的担保措施,原则上不接受异地抵押物。

部分经营单位在担保方案设计上,并未从分行实际处理抵(质)押物的角度出发考虑,导致担保方式与授信方案严重不匹配,在实际操作中又未能按授信方案落实相应的回笼、监控、还款等运作要求,导致授信条件形同虚设,带来风险隐患。

(四)不盲目迷信担保条件,熟悉了解各种担保条件实际价值。担保条件仅作为第二还款来源看待,不能取代第一还款,强担保条件不代表可以降低授信的门槛。各种担保条件都不是绝对安全的,客户经理必须定期检查其状态,动态评估其实际价值。

1、存货质押担保

对于存货质押业务,要特别注意货物权属的确定以及质押货物品种的选择。

2、应收账款质押担保

对于应收账款质押业务,要深刻理解“只有有效应收账款,才是有效的担保条件”。

3、抵押担保

最高额抵押应按总分行要求查询抵押物状态,承诺抵押的抵押物,要核实抵押人是否为真正的权属人。

4、保证担保

保证担保要严格落实核保制度,签名必须为保证人签名,原则上,要取得保证人配偶对保证合同的确认,核实保证人名下实际资产、是否能够办理查封等等。

五、经办授信业务如何尽职尽责

银行是经营风险的,难以保证不出现不良贷款,经办授信业务要全程尽职尽责。

(一)贷前调查真实合规、杜绝弄虚造假

在做好行业选择、客户选择的基础上、深入了解客户的真实状况的前提下审慎介入、争取较有效的担保措施,做到收益与风险相匹配,做到反映客户的真实情况。

(二)在贷前调查及贷后检查过程中,多收集财产线索,保管好相关书面资料

多收集财产线索,一方面能够更清楚了解借款人的资产实力,另一方面,若贷款进入清收阶段,通过查封其财产,能够很好地约束借款人的还款意愿,并可通过资产变现的方式实现贷款清收。

(三)按照核保制度,做好核保工作

合同签署的真实性是担保有效性的基本前提;通过核保环节,可发现担保人甚至是借款人股东的内部矛盾以及真实的控股关系;通过核保,真实了解抵质押物的现状。

(四)每月坚持调查走访企业,并留下工作记录

有否书面工作记录是贷后管理工作是否尽职免责的主要依据。

(五)客户出现风险预警信号,第一时间报告 风险预警信号不等于授信出现风险,不等于授信需要下调级次;授信客户只要出现影响其正常经营的不确定性因素,均要进行风险预警;凡是出现风险预警信号的客户,均要定期进行跟踪,并书面反映。

对于出现影响借款人正常经营的重大不利信号,经营单位负责人应及时向分行行长、风险主管汇报。

8.药品不良反应培训总结 篇八

药品定义:

1----是用于预防、诊断、治疗疾病的特殊商 品,是人们防病治病、调节生理功能、提高 健康水平的重要武器,它与人们的生活水平、生命质量以及社会发展密切相关。

2药品是一把双刃剑!

药品不良反应

1我国在《药品不良反应报告及监测管理办 法》中将药品不良反应(ADR)定义为:

2合格药品在正常用法用量下出现的与用药 目的无关的或意外的有害反应。

3消除了报告人的顾虑,排除了ADR引起的责任性或刑事性事件。便于ADR监测工作的开展。

药品不良反应监测的背景

1对药品不良反应的认识是随着对药品的广 泛使用,深入研究而不断逐步加强的。2历史上国内外发生的药害事件的分析。

3列举了国外十件比较大的、有影响的由于药品的使用的事件。4我国近几年的药品不良事件。(1)含汞化学药物的危害:

含汞化学药物的危害:国外应用汞和汞化合物作为药物已有1000多年的历史。在阿拉伯国家许多人用含汞的软膏治疗慢性皮肤病、麻风、斑疹伤寒等。哥伦布远航归来后欧洲流行梅毒,水银又成为了治疗梅毒的唯一有效药物。在英联邦,不仅婴儿用的牙粉、尿布漂洗粉中含有汞和汞化合物,而且也广泛应用甘汞(氯化亚汞)作为幼儿的轻泻药和驱虫剂。1890年以后有许多人特别是儿童患肢端疼痛病,约20个病人中有1个人死亡。后来经过长期调查才证实汞和汞化合物是引起这些病人患肢端疼痛病的原因。在1939-1948年间,仅英格兰和威尔士地区就有585名儿童死亡。

(2)非那西丁引起严重的肾脏损害:

在国外,非那西丁曾是一种广泛使用的解热镇痛药。1953年以后欧洲许多国家,特别是瑞士、当时的西德和捷克、纳维亚国家忽然发现肾脏病人大量增加。经过亢进证实这种增加主要是由于服用非那西丁所致。这种病例欧洲报告了2000例,美国报告了100例,加拿大报告了45例,有几百人死于慢性肾功能衰竭。自从有关国家政府采取紧急措施,限制含非那西丁的药物出售以后,这类肾脏病人的数目就明显下降。但是也有证据表明,有的病人即使停用非那西丁长达8年以后,还可因肾功能衰竭而死亡。

(3)二硝基酚、三苯乙醇引起白内障:

上世纪30年代,欧洲一些国家、美国、巴西等国许多人用二硝基酚作为一种口服药。到1935年春季,这些国家发现白内障病人大量增加,调查证明这种增加是由于广泛应用二硝基酚所致。这些国家服用此药的人数超过100万人,白内障的发生率约为1%。有些人是停药1年以后才发生白内障的。三苯乙醇是美国默利尔公司的一种降胆固醇药物,50年代后期上市后不久,就发现它能引起脱发、皮肤干燥、男性乳房增大、阳萎,有的有视力下降、白内障。在美国有几十万人曾服用此药,引起白内障的约有1000人.上世纪30年代,欧洲一些国家、美国、巴西等国许多人用二硝基酚作为一种口服药。到1935年春季,这些国家发现白内障病人大量增加,调查证明这种增加是由于广泛应用二硝基酚所致。这些国家服用此药的人数超过100万人,白内障的发生率约为1%。有些人是停药1年以后才发生白内障的。三苯乙醇是美国默利尔公司的一种降胆固醇药物,50年代后期上市后不久,就发现它能引起脱发、皮肤干燥、男性乳房增大、阳萎,有的有视力下降、白内障。在美国有几十万人曾服用此药,引起白内障的约有1000人.(4)二磺二乙基锡引起中毒性脑炎 1954年,法国巴黎附近一个小镇的药剂师制售一种含二碘二乙基锡的制剂,用于治疗感染性疾病,引起270人中毒,出现头痛、呕吐、痉挛、虚脱、视力丧失等中毒性脑炎的症状,死亡110人。

(5)氯碘羟喹与亚急性脊髓视神经病

氯碘羟喹于1933年上市,原来主要用于治疗阿米巴痢疾,后来发现它能预防旅行者腹泻,很快风行到许多国家。60年代后期,首先在日本发现许多人出现双足麻木,刺痛、寒冷、无力等症状,约半数病人伴有程度不同的瘫痪,约1/4的病人有视力减退。经过长期的流行病学调查,证明这是由于服用氯碘羟喹而引起的亚急性脊髓视神经病(SMON病)。1970年秋,日本厚生省禁止此药出售,新病例迅速减少。据统计,由于此药造成的残疾人达1万多人,有几百人死亡。(6)磺胺酏剂引起严重的肾脏损害:

1937年秋天,美国田纳西州的马森吉尔药厂,未经有关政府部门批准,采用工业溶剂二甘醇代替酒精,生产出一种磺胺酏剂,用于治疗感染性疾病。到这一年9-10月间,美国南方一些地方开发发现患肾功能衰竭的病大量增加。调查证明这种情况与该公司生产的磺胺酏剂有关,共发现358名病人,死亡107人。

(7)孕激素与妇婴外生殖器男性化畸形

孕激素如黄体酮是治疗习惯性流产等妇科病的常用药物。1950年,美国霍普金斯大学医院的医生们发现有许多女性婴儿出现外生殖男性化的畸形,情况异常。经过调查发现这种情况与孕妇期间曾服用孕激素有关。在美国有约600名女婴出现了这种畸形。化学合成的孕激素在分子结构上与雄性激素相似,经多种动物实验也证明它能引起动物的雌性幼仔发生外生殖器雄性化现象。

(8)己烯雌酚与少女阴道癌

己烯雌酚也是一种广泛用于治疗先兆流产的药物。1966-1969年间,美国波士顿市妇科医院的医生们在较短时间里先后发现有8名十多岁的少女患阴道癌,大大超过了自然情况下这各种病在少女人群中的发病率。经过深入的流行病学调查,证明这些病例的发生与患者母亲妊娠期间服用己烯雌酚有因果关系,其相对危险度大于132,说明母前孕期服用此药者其女儿患此癌的危险性比不服用此药者大132倍以上。

我国近年来发生的药品不良反应列举了近年来我国发生的比较大的、有影响的由于药品的使用的事件。龙胆泻肝丸事件:

27名患者要起诉同仁堂。他们都曾经是清火良药龙胆泻肝丸的长期服用者。但在服用一段时间后,却开始出现夜间尿量比白天多的现象,并有口渴、乏力、贫血、食欲减退、恶心等症状。到医院诊断的结果也惊人地近似:B超时发现双肾缩小,肾穿刺症理诊断为马兜铃酸肾病。后来他们发现,龙胆泻肝丸中的一种重要原料关木通即含有可导致肾病的马兜铃酸。为此,他们决定起诉拥有335年历史的老字号———同仁堂。

从龙胆泻肝丸我们可以看出这些问题:药品不良反应监测缺失、毒性药物召回制度失范、药品说明 监管不力。

药物性耳聋我国有1770万听力残疾人,其中7岁以下是儿童达8万,老年性耳聋有949万人,由于用药不当占20%,并以每年2—4万人的速度递增,原来的氨基苷类抗生素—链霉素等,现在导致耳聋的药物有百余种,这一引起全社会的重视了。历史事件的启示

1提高临床前研究水平,完善相关资料 2加强药品上市前的严格检查 3加强药品上市后的再评价

4药害事件的严重性和普遍性,引起了医药工 作者的密切关注,世界各药品监督管理部 门日益意识到,加强上市后药品安全监管的 必要性和迫切性 国外药品不良反应监测情况 :

美国1954年、英国1964年、瑞典1965年、日本1965年、法国1973年建立了ADR报告制 度,较早建立ADR报告制度的还有澳大利亚、加拿大、荷兰、新西兰、德国等国家。

药物上市后监测(PMS)的必要性

1动物实验的局限性、临床试验的局限性

2上市前临床试验的局限性

3观察对象样本量有限

4观察时间短 5病种单一

6多数情况下排除老人、孕妇和儿童

7审批时依据理论的发展

8需要开展药物上市后对其安全性和有效性再评价

药品不良反应检测的必要性:

1每种药品批准生产上市,并不意味着对其评 价的结束,而只是表明已具备在社会范围内 对其进行更深入研究的资格。

2一个药品只要是在生产、使用中,就要对其 不断地进行再评价。ADR监测使得药品上市 后安全性评价工作的时限大大缩短。

我国ADR监测的发展历史 :

我国不良反应监测工作始于80年代。1983年 卫生部起草了《药品毒副反应报告制度》,后改为《药品不良反应监察报告制度》 1984年,《中华人民共和国药品管理法》 上世纪八十年代末九十年代初,卫生部药政 局和医政司先后在北京、上海等地区共十四 个医疗单位进行药品不良反应监测工作试点。

我国ADR监测的发展历史 : 1989年,卫生部药品不良反应监察中心成 立

1998年3月,加入WHO国际药品监测合作计 划组织

1999年11月,法规依据的颁布——《药品 不良反应监测管理办法(试行

我国ADR监测的发展历史 :

1999年,卫生部药品不良反应监察中心并入 国家食品药品监督管理局药品评价中心,改 为国家药品不良反应监测中心

2001年11月,国家药品不良反应信息通报制 度和各地药品不良反应病例报告情况通报制 度建立

2001年12月1日开始实施新修订的《药品管理 法》第71条明确提出“国家实行药品不良反应 报告制度” 我国ADR监测的发展历史 :

2003年8月18日,《药品不良反应信息通报》 正式面向社会公开发布

2003年11月,在5个地区测试成功的基础 上,国家药品不良反应远程信息网络开通

2004年3月4日,修订后的《药品不良反应报 告和监测管理办法》正式颁布实施。药品不良反应监测的意义:

1防止严重药害事件的发生、蔓延和重演

2弥补药品上市前研究的不足,为上市后在评价提供服务 3促进临床合理用药

4为遴选、整顿和淘汰药品提供依据 5促进新药的研制开发

最后感谢临床科室对药品不良反应监测工作的大力支持

祝大家身体健康!

9.芯片不良分析总结 篇九

1资料与方法

1.1 临床资料

41例来自巨鹿县医院就诊者21例, 年龄:出生2个月~25岁;10岁以下患者11例。同时进行家族病史调查20例。在咨询门诊经解释宣教的基础上, 同意接受筛查者或亲属签署知情同意书, 再进行采集标本。

1.2 方法

1.2.1 采血:

采集受检者外周血3~5ml, 血液放入EDTA抗凝剂的真空采血管, 统一编号。应用小剂量全血基因组DNA提取试剂盒提取DNA, 进行定量和纯度检测。

1.2.2 耳聋基因突变筛查:

选用常见耳聋致病基因有:GJB2 (235delC、35delG、176 del16、299delAT) 、GJB3 (538C>T) 、SLC26A4 (PDS) (2168A>G、IVS7-2A>G) 、线粒体DNA 12SrRNA (1494C>T、1555A>G) 四个基因9个位点。测试由北京博奥生物有限公司提供。

2结果

应用基因芯片方法检测耳聋21例及其家系中相关亲属20例, 发现携带235delC突变5例, 携带GJB2 299delAT突变6例, 携带SLC26A4 2168A>G突变2例, 携带SLC26A4 IVS7-2A>G突变、2168>G位点杂合突变各1例, 耳聋及亲属中检出基因突变阳性率为36.59%。患者同时2~3个基因突变携带者3例, 占突变基因的20.00%。

3典型病例

患儿, 女, 3岁, 重度耳聋, 携带GJB2 235delC杂合突变, 同时携带SLC26A4 IVS7-2A>G杂合突变和2168A>G位点杂合突变。但家族病史调查中没有找到她的父母。GJB3基因和线粒体DNA12SrRNA基因未检出突变, 其基因突变阳性率为32.56%。

4讨论

本研究的中国常见4个基因9个位点筛查, 中国人的热点突变为233-235delC[3], 河北省巨鹿县重度耳聋调查结果发现GJB2基因235delC杂合突变检出率高达41.67%。其次GJB2基因299delAT杂合突变检出率为33.33%。SLC26A4基因2168A>G杂合突变检出率为16.67%。SLC26A4基因IVS7-2A>G杂合突变检出率为8.33%。本研究数据显示了该地区基因突变的重要地位及特点, 对今后开展耳聋的遗传咨询、婚前咨询、产前诊断有非常重要的指导意义。

进行聋病易感基因筛查, 目前能够进行致病基因突变筛查的方法有很多, 常用的有直接测序、目标基因位点特异性筛查, 如酶切、基因芯片、变性高效液相色谱分析、飞行时间质谱、四引物扩增受阻PCR等, 检测单位会根据筛查的不同需要选择最合适的方案, 既要保证良好的经济效益比, 也要尽力保证筛查方案的快速和准确。

我国有听力语言障碍的残疾人约1700万。耳聋给正常生活、学习和社会交往带来不便。从预防出生缺陷角度考虑应从婚前检查对高危人群进行耳聋基因检测, 目前基因芯片检测阳性率高, 通过基因芯片, 我们发现基因携带者较高, 高危人群耳聋基因筛查, 易标准化, 结果快速可靠, 适合在临床应用中推广, 这必将产生大的社会效益。

关键词:耳聋病因,基因芯片,基因突变,遗传性耳聋

参考文献

[1]第二次残疾人抽样调查办公室.全国第二次残疾人抽样调查主要数据手册[M].北京:华夏出版社, 2007:2, 38.

[2]刘学忠, 欧阳小梅, Yah D, 等.中国人群遗传性耳聋研究进展[J].中华耳科学杂志, 2006, 4 (2) :81-89.

10.防范不良天气工作总结 篇十

根据北京铁路局《关于做好防范大风等不良天气工作的通知》(京建电【2012】695号)文件,在全基地及施工现场范围内开展防范大风等不良天气的安全检查工作。现将邯黄项目的防范不良天气安全检查工作情况总结如下。

一、检查小组结构组成

为了贯彻落实北京铁路局《关于做好防范大风等不良天气工作的通知》(京建电【2012】695号)文件,预防不良天气带来的施工安全隐患,我邯黄项目就此成立了防范不良天气安全检查小组,全面落实各单位防范不良天气安全责任制,切实做好安全检查工作,坚决遏制不良天气引发的安全事故。在项目领导的支持下,安质部成立了防范不良天气安全检查小组,由许飞担任组长,组员有张威、叶楠、张国林,在物资部和设备部的共同配合下完成了此次的安全检查工作。

二、施工机械安全检查

针对大型施工机械的防风安全,主要是检查了施工机械的缆绳、吊臂、基础支座等部位是否牢固可靠。在大型施工机械的防风环节上刹车是不可或缺的,也是最常用的,对于龙门吊刹车检查为半月一次,有机修班负责调试维护,以确保刹车使用可靠。防滑楔块是用在静止设备防风较为有效的措施之一,为每台龙门吊配备8个,备用4个,并且定期检查楔块的损坏程度,有损坏应该及时立即更换。在防风安全检查的时候我们重点检查了夹轨器的灵活程度和生锈情况,如果夹轨器长时间不用,可能导致夹轨器生锈而无法取出。最后我们对龙门吊防风辅助设施地埋不分做了定时的清理,并且对其作出明显标记。

三、施工材料安全检查

防风工作中不可缺少的就是施工材料的安全检查。项目安质部会同物资部组织人员对施工现场的施工材料进行了全面检查,对于放在料棚的螺旋道钉、轨距挡板等物资严格堆码整齐,绑扎牢固,轻型材料采取了一系列的稳固措施;对于施工现场的漂浮物进行了全面清理,对不易清理的易漂浮物使用幕布等进行了覆盖并固定牢固。针对进场材料做了全面的安全检查记录。

四、防火安全检查

检查组对施工现场和基地内的火工品进行了全面重点检查,在基地内严禁使用明火;针对基地内部使用大功率电器和电线私拉乱接的行为进行了严厉处罚并且深刻教育,对于有违反的寝室和个人令其及时整改,有效的防止了因接触不良或电线短路等引发的火灾,较好的消除了火灾隐患

五、禁止高空作业

在整个检查过程中对高空作业区域进行了全面的检查清理,对于施工机具、物料及时下放到地面并且固定牢固,对于吊绳、缆绳等及时收起,对于不能收起的材料就近固定在建筑物上,确保了作业现场的安全。

11.药品不良反应监测工作总结 篇十一

药品不良反应监测工作总结2007-12-07 10:08:26第1文秘网第1公文网药品不良反应监测工作总结药品不良反应监测工作总结(2)药品不良反应监测工作总结(3)提高认识强化督导

努力促进药品不良反应监测工作再上新台阶

##县药品不良反应监测工作协调领导小组

各位领导:

今年以来,我县药品不良反应监测工作,在市食品药品监管局、市卫生局的正确领导和帮助支持下,不断加大措施、健全组织、完善制度、强化督导,促进了监测工作的顺利开展,取得了一定成绩,为做好药品不良反应监测工作,做出了积极努力。我们的具体做法是:

一、提高认识,加强领导,充分发挥行政管理部门的组织协调作用。

我县开展药品不良反应监测工作起步较晚,监测中心成立时间较短暂,2004年才真正将ADR监测工作纳入管理渠道。由于对开展这项工作的目的意义认识不到位,重视程度不够,制度不健全,致使监测工作一直发展缓慢,成效不大。今年8月份市局召开全市药品不良反应监测工作专题会议之后,我们通过认真学习会议精神,不断提高了对做好ADR监测工作重要意义的认识,并从中找出了过去工作中存在的主要问题和差距。为积极推动全县药品不良反应监测工作的健康、快速发展,县食品药品监管局与县卫生局不断加强工作上的相互沟通和协调,做到相互支持、相互配合,并一起研究制定措施,深入贯彻落实全市药品不良反应监测工作会议精神,真正发挥行政主管部门的组织协调作用,积极提高号召力、切实加大督导力,形成上下有合力,从而使我县ADR监测工

作有了新的、较大的起步。

二、健全组织,完善制度,为做好药品不良反应监测工作打下坚实基础。

我们根据市局和市ADR监测中心的工作部署和领导要求,为确保全县药品不良反应监测工作的健康顺利开展,通过不断加强组织建设、制度建设和设施投入,促进了全县ADR监测工作正常运转。在具体工作中,坚持做到“四个确保”:

一是加快监测网络建设,确保各级重视,层层有人抓。为更好地适应药品不良反应监测工作的需要,我们在驻城建立了8个县级监测站,分别由驻城6个医疗机构、医药公司和仁和堂连锁有限公司组成,在12个乡镇卫生院建立了乡级监测点,同时要求在各村级医疗机构也建立监测点。县药品不良反应监测中心人员分别由县食品药品监管局、县卫生局负责同志及有关人员组成,各监测站、点也分别配备了一名负责同志和业务人员具体抓药品不良反应监测工作,县、乡、村三级监测网络初步形成,并将不断得到完善。二是不断健全制度,确保药品不良反应监测工作运转有序。县食品药品监管局与县卫生局联合制定下发了《##县药品不良反应报告和监测管理办法实施方案》和《药品不良反应报告工作保密制度》等规范性文件,各监测站、点也分别制定了相关工作制度。县卫生局还把做好药品不良反应监测工作,纳入了对所辖各个医疗机构年终工作目标考核的主要内容,县食品药品监管局也把该项工作列入了自己的工作管理考核目标重点抓,共同促进了全县药品不良反应监测工作走上制度化、规范化、科学化的发展轨道。

三是改善办公条件,确保药品不良反应监测报告报送准确及时。县食品药品监管局在办公经费非常紧张的情况下,仍拿出部分资金为监测中心新购置电脑一台,用于监测报告的汇总、上报等工作。同时在日常工作中,对用于监测工作的

车辆,局办公室优先派车,保证工作人员对新的或严重的药品不良反应情况进行及时调查、核实,及时上报,保证对一般药品不良反应情况按时上报。四是加强教育培训,确保药品不良反应监测工作大力开展。针对我县开展药品不良反应监测工作时间短、经验不足、认识有差距等实际现状,我们采取组织召开会议、专家授课等形式,加强了对各个监测站、点的教育培训,通过这些有效措施,不断提高了他们的认识,丰富了专业知识,增强了对做好监测工作的使命感和责任心。今年以来,县药品不良反应监测中心共上报药品不良反应监测报告38例,已超额完成市局交给我县上报药品不良反应监测报告30例的任务。同时,对各个监测站、点报来的报告,未发生一起漏报、瞒报、迟报现象,上报率达100,做到了准确、科学、及时,而且不断提高了监测报告质量水平。

在充分肯定我县药品不良反应监测工

作成绩的同时,我们也充分看到了这方面工作还存在着许多问题和不足。一是少数医疗机构对开展药品不良反应监测工作存有偏见,有的把发生药品不良反应现象与使用假劣药品混为一谈,怕影响本单位声誉,造成瞒报现象时有发生。二是有的单位认识上存有差距,对开展药品不良反应监测工作的目的意义重视程度不够,主动性、积极性不高,造成漏报、迟报现象时有发生。三是部分监测站、点上报的监测报告水平不高,填写报告欠规范,专业素质亟待提高。四是县局对药品不良反应监测工作宣传力度不够,督导水平不高,致使监测网络运行还不顺畅,工作上还存在一定的被动局面。以上问题需要我们认真加以对待,并努力加以克服。

三、加大措施,狠抓落实,不断开创药品不良反应监测工作新局面。

做好药品不良反应监测

12.芯片不良分析总结 篇十二

LED结温测量的方法有多种, 其中电学参数测量法是常用的一种。本文首先运用此方法, 以1 W单颗LED (6500 K冷白光) 为研究对象, 分析测试结温与加热电流的关系。此外, 采用基于红外测温原理的红外热成像技术, 在不破坏LED结构、非接触的前提下测试并获取LED温度峰值点和温度图像, 分析LED红外热成像技术与电学参数测量结温这两种测试方法之间是否具有某种联系或变化规律。

1 测试设备及实验

电学参数测量结温所需设备及测试系统装置如图1所示。该套系统为浙江大学三色光电仪器SPR-300LED结温测试系统, 分别包括小型积分球 (直径为0.5 m) 、LED-220T温度控制仪、恒温底座、驱动电源、温度反馈系统以及结温数据处理软件, 图1中的5所示为LED样品在系统中的安装位置, 即位于积分球的内侧壁。

1-温度控制仪;2-电源及温度测试仪;3-积分球;4-恒温底座;5-L E D;6-数据处理软件。

测试步骤: (1) 样品LED型号:美国普瑞BXCE4545450-F1-z的1 W (6500 K) 贴片式LED, 该样品性能稳定; (2) LED接通驱动电源后, LED安装在位于积分球侧壁的恒温底座上, 背面紧贴底座, 使温度传递达到最理想状态。把温度控制仪、温度反馈测试仪的探头连接到恒温基座上。实验时将电源设定为稳流模式, 调谐电流大小驱动LED器件;底座的温度测试仪实时采样反馈温度; (3) 结温测试系统完成设置后开始实验, 先测量K系数值; (4) 在其它实验条件不变的前提下, 选取若干个特定加热电流值, 测得LED样品的结温, 记录相关测量结果。

2 加热电流对结温的影响

从原理上理解, 结温与加热电流的关系非常密切。但两者之间在数学上究竟属于指数变化、线性变化、还是非线性变化的关联, 研究较少。我们在分析结温与加热电流的联系时, 将测试系统中的被测样品的初始小电流设定为30 mA, 将加热时间设置为10 mins, 其它温度、湿度及连接方式等测试条件均保持不变。系统中设置加热电流的数值从100 mA开始, 依次以50 mA递增, 以此对样品结温进行精密分析。实验结束后, 获得的结果如下:各加热电流对应的LED器件结温分别为:100 mA-36.01℃、150 mA-44.75℃、200 mA-52.11℃、250 mA-62.01℃、300 mA-71.46℃、350 mA-81.71℃和400 mA-92.53℃。将数据绘制成LED结温-加热电流坐标图, 得到图2中的离散点。对离散数据点依次运用指数拟合、对数拟合、乘幂拟合、非线性拟合以及线性回归拟合曲线进行预测分析。结果如图2中的拟合曲线所示:结温在100 mA~400 mA范围内, 一元线性回归拟合曲线最符合离散数组的变化规律, 即近似线性变化。图2同时也给出了拟合曲线的线性公式Y=0.1877×X+16.006 (其中X:加热电流, Y:LED器件的结温。)

我们分析结温和加热电流的关系, 得到结果有: (1) 不同的加热电流, 结温并不是稳定不变, 而是相应产生较大数值变化; (2) 二者近似线性的数学关系, 其表征的物理意义在于:加热电流对LED的结温具有定量可调谐功能, 且可调电流范围宽、调控幅度显著。而LED的光通量、光效等性能指标较大程度地依赖结温, 所以这一现象对于开发可调谐LED照明产品、显示产品, 以及合理延长LED寿命、提升照明产品可靠性都具有重要意义。

3 红外热成像测试LED

红外线热成像技术是指通过红外成像测量仪测量物体辐射热能的技术。物体的热能或红外线能量因其波长过长, 无法被人眼感知, 属于不可见光。但热能作为电磁频谱的一部分, 可被探测到热度数据。物体温度越高, 即物体的热辐射能量的越大, 向外辐射的红外线则越多。人们利用这一特点可以方便地进行非接触的温度测量和热状态分析, 从而为工业生产、保护环境等方面提供重要的检测和诊断工具。功能全面的红外热像仪则能扫描生成一幅原本并不可见的红外辐射图像, 实现非接触式的精准无损测温。

LED结温是半导体发光二极管内部P-N结的温度, 因其包含在LED内部, 显然不能直接测量。因此, 我们希望通过分析LED表面温度变化, 尝试推知其结温范围和近似结果。实验中, 运用手持式红外热成像仪, 同步测试并记录了不同加热电流150 mA、250 mA、350 mA、450 mA条件下LED样品的红外热成像图 (见图3) 及具体峰值温度数据:31.5℃, 43.9℃, 55.3℃, 75.0℃。将本文第2、3部分电参数测量法所得结温数据与红外热成像方法的LED温度最大值进行对比 (见图4) 。图中横坐标是加热电流 (mA) , 纵坐标是温度 (℃) , 蓝色数据点为电参数测量法的结温数据, 红色数据点为红外热成像采集的数据。

我们发现:相同条件下热成像所测温度值均低于LED结温, 但二者随着加热电流的增加而上升的规律较为接近, 数据和规律具有关联性。图4还可得知, LED红外热成像的数据也符合近似线性, 差异在于红外热成像温度数据变化的斜率略小于电参数测试的结温变化斜率, 表明热成像测得温度增加较缓慢, 没有结温的变化迅速。这可能是由于LED外部温度受环境影响明显, 温度越高时与环境温差越大, 热传递更加迅速, 从而数值变化没有LED器件内部的P-N结温变化显著。即便如此, 两组数据之间有望通过进一步的分析计算找到数学函数关系。

4 结语

我们选取1 W LED样品颗粒, 用电学参数测量法分析了结温及变化规律, 并用红外热成像技术加以辅助分析, 得到相关的数据和结论: (1) 样品LED结温大小并不是图3 LED在不同加热电流时的红外热成像固定值, 而是与加热电流密切相关, 结温与加热电流数据经拟合分析符合近似线性规律; (2) 物理意义上, 证明了加热电流对LED结温具有调谐功能; (3) 红外热成像技术测得LED温度数据符合LED结温变化规律, 二者数据具有一定的关联; (4) 初步论证了非接触测量与诊断LED结温的可行性, 接下来可进一步研究两者之间的修正函数关系, 实现以非接触无损测量的方法精密可靠地分析LED结温。LED将越来越广泛地应用, 科研检测机构以多种分析手段来全面研究LED指标, 更加快速准确地掌握LED的性能, 对于充分发挥LED新一代照明的功能必将起到非常重要的作用。

摘要:本文以LED为研究对象, 以电学测量法测试LED芯片结温, 分析加热电流对结温的影响。初步探讨采用红外热成像技术分析LED温度进而推算LED芯片结温的可行性。结果表明LED样品结温大小与加热电流变化近似线性, 热成像测得LED温度数据与结温变化规律较为一致。

关键词:LED芯片,结温测量,红外热成像

参考文献

[1]HELIOTOTIS G, Spectral conversion of InGaN ultraviolet microcavity light emitting diodes using fluonne based red, green, blue and white lighe emitting polymer overlayer films[J].Appl, Phys, Lett, 2005, 87:503-505.

13.医疗器械不良事件监测检查总结 篇十三

海东地区食品药品监督管理局

关于对《医疗器械不良事件监测和再评价管理

办法(试行)》专项检查工作总结

省食品药品监督管理局:

根据《关于开展医疗器械不良事件监测和再评价管理 办法(试行)专项检查工作的通知》(青食药监械通„2010‟109号)要求,为进一步推进海东地区医疗器械不良事件监测工作,对存在安全隐患的产品及时采取有效控制,保障医疗器械使用安全,结合我区实际,我局认真组织开展此项工作。现将工作情况报告如下:

一、主要做法

(一)统一思想,加强学习。为确保医疗器械经营企业专项检查工作取得成效,我局首先认真组织学习《医疗器械不良事件监测和再评价管理办法(试行)》,领会省局文件精神,明确责任,把做好专项检查工作、保障医疗器械使用安全职责统一到建设和谐社会的思想上来。

(二)统一安排,分步进行。按照专项检查工作的要求,针对海东地区医疗器械不良事件情况,下发《海东地区关于开展医疗器械不良事件监测和再评价管理办法(试行)专项检查工作的通知》(东食药监„2010‟66号)文件,明确检查内容,分自查、检查两个阶段逐步开展工作,确保专项检查工作的落实。

(三)结合实际,务求实效。一是专项检查与法律法规相结合;二是专项检查与医疗器械生产经营企业专项整治工作相结合;三是专项检查与指导培训相结合。通过此次专项检查,防止各单位医疗器械不良事件的发生,工作职责进一步明确。

二、存在的主要问题

(一)相关主体认识不到位。医疗器械经营使用单位,对医疗器械不良事件重视程度不够,“不敢报、不愿报”现象普遍存在。物理治疗及康复设备经营企业、角膜接触镜及护理液的经营企业对医疗器械不良事件监测认识不到位。

(二)监测人员责任心不强。医疗器械不良事件监测专业人员缺乏,技术支持及装备配备落实不到位,相关法规和知识普及度不高,基层监测人员对医疗器械不良事件漏报、错报,上报内容不全、关键信息缺报,概念不准确,上报渠道不畅通、上报不及时。

(三)管理制度和组织机构不健全。部分医疗器械经营使用单位在健全医疗器械不良事件监测机构、落实各项管理制度上还存在不少问题,没有形成正常的运作机制。例如,监测机构形同虚设,人员和财力、物力保障不到位,相关制度不健全、不落实,迟报、漏报现象普遍等。

(四)相关法律法规不完善。首先,相关制度对医疗器械不良事件的报告和监测工作没有明确管理部门责任主体,对没有开展不良事件监测工作、报告不良事件的单位和个人制定相应的处罚条款,致使个别管理部门和医疗器械经营、使用单位忽视不良事件监测工作。其次,医疗器械不良事件监测网络缺少硬性约束机制,网络成员单位处于有网络无管理人员的状态。

三、今后努力的方向

(一)加强宣传培训。进一步加强管理部门和涉械单位对医疗器械监管和不良事件监测相关法律法规的学习,统一思想,提高认识,明确开展医疗器械不良事件报告和监测工作是义不容辞的责任,为开展此项工作打好基础。同时,充分利用各种资源,组织各类医疗器械不良事件监测技术培训,让监测人员明确相关概念,掌握报告和监测方法,做到愿报、会报。

(二)健全组织机构。进一步健全基层医疗器械不良事件监测组织机构、明确职责义务,实行分级负责、分级监管,定期和不定期对涉械单位医疗器械不良事件监测工作进度进行检查调度,并定期通报;建立医疗器械不良事件监测网络,落实医疗器械不良事件报告专(兼)职人员,将责任落实到人。

(三)完善相关制度。进一步完善医疗器械不良事件监测工作相关制度,明确相关责任人的权利和义务;建立医疗器械不良事件处理制度,建立完善医疗器械不良事件监测工作激励机制,确保监测工作有效开展。

(四)提高监测效率。加强对高风险产品以及已发生不良事件的产品进行跟踪监测,并强化“可疑就报”的原则,及时发现医疗器械存在的问题。

(五)探索监测规律。积极开展调研工作,把握监测规律,为应对突发性、群发性不良事件建立应急机制提供指导性依据。

二○一○年十二月二十二日

主题词:医疗器械 不良事件 检查 总结 抄送:局领导,存档。

海东地区食品药品监督管理局办公室

2010年12月22日印发

14.电源管理芯片市场分析及预测报告 篇十四

电源管理芯片市场分析及预测报告

北京汇智联恒咨询有限公司

定价:两千元

〖目 录〗

第一章 中国电源管理芯片行业发展综述

第一节 电源管理芯片概述

第二节 国内电源管理芯片产业发展

第三节 电源管理芯片生产工艺

第四节 电源管理芯片的技术发展

第五节 国家相关产业政策与标准

一、关于加工贸易的单耗标准

第二章 中国电源管理芯片市场综述

第一节 生产规模与企业份额

第二节 国内市场需求规模

第三节 电源管理芯片产业特征

一、国内下游需求旺盛

二、低端产品成熟,向中高端产品转移

三、行业发展机会吸引众多新进入者

第三章 中国电源管理芯片产业综述

第一节 整体规模保持高速增长

第二节 便携式产品需求火爆

第三节 产品需求长级

第四节 汽车应用高速发展

第四章 中国电源管理芯片行业竞争分析

第一节 中国电源管理芯片市场竞争分析

一、厂商竞争分析

二、中国主要电源管理芯片厂商销售分析

三、当前竞争特点与未来发展趋势

四、部分重点厂商分析(排名不分先后)

1、英飞凌

2、安森美

3、德州仪器

4、台积电

五、研究机构

北京大学微电子所

第五章 中国电源管理芯片市场需求结构分析

第一节 电源管理芯片技术结构分析

一、电源管理芯片市场发展分析

二、电源管理芯片市场按技术分类比例

三、中国电源管理芯片供需分析

第二节 电源管理芯片应用产品结构分析

一、中国主要电源管理芯片市场发展分析

1、中国电源管理芯片市场比例

2、中国主要电源管理芯片市场竞争分析

第三节 电源管理芯片需求地域结构分布

一、北京市

二、上海市

三、天津市

四、广东省

五、江苏省

六、大连市

第四节、中国电源管理芯片市场供需分析

一、需求分析

1、信息产业高速发展刺激电源管理芯片市场需求

2、对产品技术需求提高

3、应用于电池管理的电源管理芯片需求成为热点

4、多级销售渠道需求

二、供给分析

1、产品供给多元化,技术服务加强

2、积极开展合作,提高产品技术

3、开辟多种营销渠道

第五节、下游整机厂商对电源管理芯片市场需求分析预测

一、通信领域对电源管理芯片的需求分析

1、各种通信产品对电源管理芯片的需求比例

2、通信领域所需电源管理芯片的产品结构

3、重点通信产品对电源管理芯片的需求分析

二、消费领域对电源管理芯片的需求分析

三、计算机领域对电源管理芯片的需求分析

第六章 中国电源管理芯片市场发展预测

第一节 市场规模发展预测

第二节 重点电源管理芯片产品发展预测

一、应用市场趋势预测

二、产品需求趋势预测

三、技术发展趋势预测

第三节 影响中国电源管理芯片市场发展因素

一、有利因素

1、中国半导体市场趋势良好

2、需求推动电源技术的不断进步

3、便携式电子产品需求巨大

4、汽车电源管理芯片的异军突起

5、节能的需求日益增加

二、不利因素

1、电子产品出口阻力大

2、电子产业国际性转移趋缓

第七章 电源管理芯片产业的技术与标准状况

第八章电源管理芯片行业SWOT分析

第一节 当前电源管理芯片企业发展的优劣势分析

第二节 我国电源管理芯片企业的机会与威胁分析

一、电源管理芯片企业发展的市场机会分析

二、电源管理芯片企业发展面临威胁分析

第九章 电源管理芯片行业的投资可行性分析

第一节 电源管理芯片行业不同生产阶段的技术经济特点比较

一、技术特点

二、资金需求

三、产业特点

四、国内生产状况

五、国际生产状况

第二节 电源管理芯片各生产阶段的具体分析

一、电源管理芯片的设计生产特点

二、电源管理芯片的生产与投资特点

第三节 电源管理芯片产业发展中存在的主要问题

第四节 电源管理芯片行业的投资风险分析

一、技术风险

二、行业标准风险

三、经营风险

四、市场投机风险

五、产业风险

六、行业壁垒风险

第十章 电源管理芯片行业的“五因素”分析

第一节 行业竞争者影响分析

第二节 新进入者影响分析

第三节 供应商、客户影响分析

第四节 替代者影响分析

第十一章 投资策略及发展方向分析

第一节 本行业内的投资机会和策略

第二节 实现转型的机会和策略

第十二章 电源管理芯片企业发展策略建议

第一节 电源管理芯片企业市场竞争策略

一、认清市场现状

二、加强成本管理

三、提升产品技术含量

四、加强营销渠道,扩大市场份额

五、制定走出去战略,开拓国外市场

第二节 电源管理芯片企业发展路线的选择

15.芯片不良分析总结 篇十五

机械化学抛光(CMP)是芯片制造过程中的重要工序,是目前保证亚微米集成电路芯片同时保持整体和局部平面化的唯一手段。对CMP过程中材料去除机理的研究一直是近年来研究的热点问题之一。磨粒压入芯片表面深度的准确合理建模是CMP过程中材料去除机理研究的重要组成部分,建模的合理性直接关系到CMP材料去除模型的成败。

1 研究进展

CMP过程中,磨粒嵌入抛光盘和芯片后,形成一种三体接触,抛光盘的材料较软,芯片压入后,抛光盘的接触微凸体表面会包住磨粒,工作压力p由抛光盘的接触微凸体和镶嵌磨粒共同承担,示意图见图1。

假设磨粒为光滑球体,对图1中的磨粒进行受力分析,磨粒所受的力有:由抛光盘所传递的外力FZ、芯片的反作用力Fa、磨粒的重力。由于磨粒直径是纳米量级的,以直径D=100nm、密度较大的Al2O3磨粒来计算,其重力为1.88×10-9nN,而作用在磨粒上的外力一般在几十至几百nN,所以磨粒的重力可以忽略不计。当一个磨粒处于力平衡状态时,其力平衡方程为

Fa=FZ (1)

受力分析如图2所示。

由于磨粒与芯片的接触为小变形,其压入量δW≪D,整个压入过程为完全塑性变形[1],所以磨粒与芯片的塑性接触总压力Fa与δW的关系式如下:

Fa=HWπD δW (2)

式中,HW为芯片表面的硬度。

影响抛光盘施加在单个磨粒上的作用力FZ的因素比较多,如果能得到FZ的具体表达式,联立磨粒的力平衡方程式(1)、式(2)和图1的几何关系方程式:

δPW=D (3)

便可用数值计算方法得到磨粒压入芯片、抛光盘的深度δW、δP的值。

影响FZ的因素有:抛光盘/芯片的材料特性参数、抛光盘表面形貌特征参数、磨粒的材料特性参数和粒度大小D及磨粒浓度、工作压力p。由于CMP过程中芯片表面的硬度会受抛光液的氧化剂浓度和pH值的直接影响,所以,FZ还与抛光液的化学特性参数有关。此外,由于磨粒粒度大小为纳米量级,故对于磨粒较小的CMP过程,磨粒与芯片表面分子间的分子力已不可忽视[2]。

Luo[3]将作用在单个磨粒上的力FZ近似认为

FΖ=14πD2pr(4)

式中,pr为抛光盘/芯片实际接触面积上的接触应力。

Seok等[4]对Luo的公式进行了修正,引入了一个考虑应力集中的影响因子k,即

FΖ=14πD2kpr(5)

实际上,LuoSeok的模型考虑的影响因素过少,过于简化。

Xie等[5]假设磨粒与芯片和抛光盘接触时均发生塑性变形,得到作用在单个磨粒上的力:

FZ=πD δWHW=πD δPHP (6)

式中,HP为抛光盘表面的硬度。

Zhao等[1]认为磨粒与芯片接触时发生塑性变形,与抛光盘接触时发生弹性变形,于是得到

FΖ=πDδWΗW=43EΡSδΡ3/2(D2)12(7)

式中,EPS为抛光盘与芯片的当量弹性模量,MPa

Chang[6]在Zhao的理论模型的基础上,推算出:

δW0.25EΡΗWD(8)

式中,EP为抛光盘的弹性模量,MPa

Cook[7]和Brown等[8]提出了如下公式来计算作用在单个磨粒上的力:

FΖ=23pD24k3(9)

其中,k3是考虑磨粒在芯片表面的填充因子,CMP过程中,k3≪1[2]。

上述研究都忽视了这样一个事实:由于抛光盘是聚氨酯类超弹性材料,磨粒在抛光盘上的压入量已接近磨粒直径[1],且整个压入过程为超弹性大变形,故经典的赫兹接触理论和塑性接触理论已不适用。所以他们所建立的磨粒压入芯片表面深度的理论模型的影响因素考虑不够全面。

2 建模

Fu[9]采用了一个巧妙的当量梁的弯曲模型得到了FZ的计算公式,如图3所示。

该模型中,处于两颗磨粒之间的抛光盘部分被简化成一根弯曲的梁,梁的长度l为即为两颗磨粒间的距离[9]:

l=A/Ν(10)

式中,A为抛光盘与芯片的有效接触面积;N为抛光盘与芯片有效接触面积上的磨粒数。

根据Zhao[1]的研究发现,梁上作用的载荷是由CMP过程工作压力p引起的线载荷:

q=pA/Ν(11)

由材料力学知识可知,梁的固定支撑反力为FZ/2,即为单个磨粒上的力FZ的一半,其计算公式如下[9]:

FΖ=43ql=(4533)14[EΡtp3D2(AΝ)2p3]14(12)

式中,l′为自由梁的长度;tp为抛光盘当量梁的厚度。

本研究采用Zhao[1]的模型来计算抛光盘/芯片接触面上的有效磨粒数,公式如下:

Ν=A(6CaρfπD3ρs)23(13)

式中,Ca为磨粒质量浓度;ρf为抛光液密度;ρs为磨粒密度。

根据磨粒的受力平衡方程式(1),联立式(3)、式(12)、式(13),可求得

δW=0.664EΡ1/4p3/4ΗW(6Caρfπρs)-13D14tp3/4(14)

影响抛光盘当量梁厚度tp的因素有磨粒直径D、抛光盘的弹性模量EP、工作压力p。由这4个变量的单位量纲分析可得

tpD=k2(EΡp)k1(15)

式中,k2、k1为独立常量。

将式(15)代入式(14),可得

δW=0.664k23/4EΡ(14+34k1)p(34-34k1)1ΗWD(6Caρfπρs)-13(16)

根据Qin等[10]的分析可知,在典型的CMP工作压力p范围内,抛光盘粗糙度峰和芯片有效接触面上的接触应力pr随工作压力p变化平缓,在某一个具体的CMP过程中,可认为pr是一个固定值。因此,可以作这样一个假设:p变化不会影响pr,即增加的工作压力由抛光盘/芯片接触面上增加的磨粒来承担,对单个磨粒而言,其承受的载荷FZ不变,所以磨粒相对芯片的压入量δW不变,这个观点为Zhao等[1]、Qin等[10]、Jeng等[11]学者认同。因此式(16)中δW应与p无关。所以,k1=1,于是,式(16)可化简为

δW=0.664k23/4EΡΗWD(6Caρfπρs)-13(17)

分析式(17)可知,磨粒相对芯片的压入量δW与磨粒的浓度、直径,经抛光液氧化作用的芯片表面硬度HW,抛光盘弹性模量EP有关。k2是一个量纲一常数,与磨粒、抛光盘、芯片的种类和CMP工作参数无关。只需通过一个具体的CMP过程得到k2的值,式(17)就可以应用于各个CMP过程中。

Qin[12]通过理论计算并结合试验研究了一个SiO2磨粒去除TEOS芯片的过程,当取各CMP参数如表1所示时,磨粒相对芯片的压入量δW=0.7nm。将表1参数和δW=0.7nm代回式(17)可得k2=0.0417。

k2=0.0417代回式(17),可得

δW=0.06EΡΗWD(6Caρfπρs)-13 (18)

Ca=0.1,ρf=1g/cm2,ρs=2.27g/cm2,可得

δW=0.14EΡΗWD (19)

式(19)与式(8)形式是比较接近的,值的数量级也相同。

分析式(18)可知:CMP过程磨粒压入芯片的深度δW与磨粒的直径D、抛光盘弹性模量EP成正比,与芯片表面硬度HW成反比,随着磨粒质量浓度Ca的增加而减小,随着磨粒密度ρs的增加而增大。磨粒的浓度越大,单位接触面积上的磨粒越多,每个磨粒承担的外力就小,压入深度就小。磨粒的直径D越大,相同的外力作用下,磨粒的压入深度就大。弹性模量可视为衡量材料产生弹性变形难易程度的指标,其值越大,使材料发生一定弹性变形的应力也越大,即材料刚度越大。抛光盘的弹性模量EP越大,抛光盘的刚性越好、越硬,相同的外力作用下,磨粒的压入深度就大。芯片表面硬度HW越大,相同的外力作用下,磨粒的压入深度就越小。新模型比前人的模型考虑了更多的因素,特别是磨粒的浓度和密度的影响,这是不容忽视的。

3 模型的实验验证

CMP过程中,直接测量磨粒压入芯片表面的深度δW非常困难,Mahajan[14]在研究中发现CMP抛光后芯片表面的粗糙度Rq与磨粒的大小、磨粒的浓度、磨粒的密度和抛光液的pH值有关。Luo[3]发现抛光后芯片表面的粗糙度Rq与磨粒压入芯片表面的深度δW线性相关,尺寸量级基本相同。设:

Rq=KSδW (20)

其中,KS为线性比例常数。因此,可以采用测量CMP后芯片表面的粗糙度值的变化来间接衡量磨粒压入芯片表面深度δW的变化。

3.1磨粒密度对磨粒压入芯片表面深度δW的影响

Mahajan[14]采用了4种密度不同、平均直径基本相同的Al2O3磨粒在不同的pH值的抛光液中进行Si芯片的CMP试验。203.2mm(8in)P型Si芯片上沉积了200nm SiO2膜,抛光盘为Rodel IC1000/Suba IV(STACKED),磨粒质量浓度为2%,工作压力为48.4kPa,芯片与抛光盘的相对速度为1.4m/s。其他磨粒/芯片/抛光盘材料特性参数见表2。原子力显微镜(AFM)装置测量得到CMP后芯片表面的粗糙度值,见表3、表4,CMP后芯片表面的粗糙度值与磨粒直径比值,即相对粗糙度见图4。

由图4可知,文献[14]的试验测量值基本反映出了磨粒密度ρs对磨粒压入芯片表面深度δW的影响规律,即磨粒密度ρs越大,磨粒压入芯片表面的深度δW越大。而且δW还受抛光液的pH值影响,pH值越大,磨粒压入芯片表面的深度δW越大。

3.2磨粒直径对磨粒压入芯片表面深度δW的影响

文献[14]还采用了4种密度相同、平均直径不同的SiO2磨粒在质量浓度为2%抛光液中进行Si芯片的CMP试验。203.2mm(8in)P型Si芯片上沉积了200nm SiO2膜,抛光盘为Rodel IC1000/Suba IV(STACKED),工作压力为48.4kPa,芯片与抛光盘的相对速度为1.4m/s。其他磨粒/芯片/抛光液材料特性参数见表5。AFM装置测量得到CMP后芯片表面的粗糙度值Rq和计算得到的磨粒压入深度δW值见表6, 两者的对比见图5。

由图5分析可得,文献[14]的试验测量值很好地反映了磨粒平均直径D对磨粒压入芯片表面深度δW的影响规律,即磨粒压入芯片表面的深度δW随着磨粒平均直径线性增大。而且,磨粒压入深度的理论计算值与实际检测得到的CMP后芯片表面的粗糙度值基本接近,而且有很好的相关性。

4 结束语

本研究提出了一个关于CMP过程磨粒压入芯片表面深度δW的理论模型。该模型比以往的模型包含了更加丰富的信息。新模型考虑了磨粒的浓度、磨粒密度、抛光液密度对磨粒压入深度δW的影响,这在前人模型中是很少考虑到的。因此,该模型更为合理、科学,更加符合CMP的实际情况,可为CMP过程材料去除机理的正确建模奠定更好的理论基础。

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