化合物半导体行业发展

化合物半导体行业发展（精选5篇）

1.化合物半导体行业发展 篇一

供找工作的学弟学妹参考,半导体相关公司简介 电类学科的兄弟姐妹可以买本半导体制造的杂志.里面任何一个登了广告的公司都是你投送简历的对象.挑几家设备厂商简要介绍一下:

ASML:荷兰公司,从飞利浦分出来,半导体光刻设备中全球市场占有率排行第一.一般招研究生和有工作经验(一般是Fab厂Photo的设备工程师出身)的本科.薪水的话新人底薪5到6 K,主要大头是加班费.算下来新人一年十几K总有的.(其实ASML之所以牛,和它使用的蔡斯的Lens分不开)

去年在四系招了一个研究生.条件是能吃苦,熟悉Unix(特别是能吃苦,曾经见过有厂商在Fab里修机24小时,没喝一口水,没抽一根烟.没上一次厕所)

Nikon:倭国公司,知道它的相机吧,半导体光刻设备中全球市场占有率排行第二.(第三为Canon,烂机台,不提也罢)

传说中华虹NEC使用它的机台.(当然还有其他型号的机台)KT:Kla-Tencor 的简称,美国公司,做量测的,包括晶圆和光罩.招本科生,薪水大头也是加班费.曾经有KT的工程师乱报加班费好几万,最后被Fire掉.结果只能去小厂商那里混,从此再也进不了大的厂商.所以这个例子也教育我们:第一要诚实,第二半导体这个圈子不大,名声很重要

Accent:英国公司,不过刚被Nano并购.做晶圆前后层校对的.Cymer :美国公司,做激光供应的.很少招人,如果哪位应届生进了Cymer,那...就知道什么是高强度工作了.如果你还不知道什么是高强度的话,那就举个例子:Cymer早先时候,整个中国区才三个人,其中一个还是经理.说到这总明白了吧.和KT一样,基本上每年春节不要奢望回家过年,春节准备在加州过吧(培训)TEL: 看到这不要认为是电话,其实是东京电子,在Photo区的机台是它的Track,就是上光阻和显影的.有个奇妙的定则就是:Track的机台保养做多了,以后会生男孩.Leica:莱卡,也是量测机台,德国公司,大家都熟悉.AMC :应用材料,貌似在东大开过宣讲会.不过传闻在中国的重心会西迁西安,所以两电和西交的可能进AMC的机会更大些.接下来是Fab厂的介绍(国内):

SMIC: 中芯国际,出身复杂,老总是张汝京(名字里的京是因为他在南京出生).有师兄告诉我,他老爹是东大(还是说中大吧)毕业

新人税前金前一月4.2k 不算加班费(不过每月报满是36小时)华虹和其儿子孙子:老子是信息产业部,当然很舒服.薪水比SMIC高一些,不过作为国企,那种氛围大家都清楚.比SMIC轻松.海力士意法:不要看到后两字就以为是欧企,其实是高丽土鳖的.厂在无锡早年萧条时差点被美光收购,如今咸鱼翻身,牛比大了.新人一月3千5左右,不过,本土的设备工程师没多少尊严,工作量不大,但也没资格参加生产会议

先进: 飞利浦撤资后,由政府接管,由于已经过了设备折旧,所以很滋润.有经验的一月8k,不过机台很烂.宏力:太上皇的公子和台塑老板的公子合办的公司

早先生意不好,不过后来请了风水先生实地考察.把厂门改了一下.传闻如今生意蒸蒸日上.Intel(未建):大家都知道的公司,会在大连投生产线,还是以ASML的机台在上海是封装厂.上述这些都是管中窥豹,半导体行业博大精深.有用就供学弟学妹参考,没用就当这些都是废话.若有出错,恳请勘误.

2.化合物半导体行业发展 篇二

Hemley和Teter在1996年提出C3N4的5种同素异形体的结构[1]:α-C3N4、β-C3N4、准立方p-C3N4、 立方C3N4以及石墨相g-C3N4结构,只有石墨相g-C3N4是软质相,也是在常温常压条件下最稳定的结构。石墨相g-C3N4具有以3-三嗪环为结构单元的类石墨的片层结构,C、N原子均发生sp2杂化,且所有原子的p轨道互相重叠形成离域 π 键[2],即形成共轭电子能带结构。2008年arkus Antonietti教授的研究认为[3],实验合成的g-C3N4可能存在2种结构单元:三嗪环和七嗪环(图1)。

由于以七嗪环为结构单元形成的g-C3N4具有更高的聚合度,通过密度泛函理论(DFT) 计算,缩聚反应的过程中,七嗪环构成的g-C3N4的结构更稳定, 其热力学能量比三嗪环构成的g-C3N4结构低约30k J·mol-1[4],因此普遍认为,在实际实验合成过程中七嗪环是构成实验中石墨相C3N4片层结构的常见结构单元[5,6]。

2 C3N4的能带结构

g-C3N4是一种具有各向异性电子结构的直接带隙半导体,其带隙值多为2.7e V(吸收太阳光谱中波长小于475 nm的光)。由于具有与碳材料形似的层状堆积结构,C、N原子以sp2杂化形成高度离域的 π 共轭电子能带结构,g-C3N4具有电子迁移速率高、 耐酸碱腐蚀性强、热稳定性好、氧化能力强以及机械性强等优点,可作为储能材料、光催化剂、有机反应催化剂、传感器等。尤其是石墨相g-C3N4作为一种不含金属的窄带隙半导体,在可见光下具有良好的光催化活性,价格低廉,具备聚合物半导体的化学组成,能带结构易于调节,可满足人们对光催化剂的基本要求,作为一种新兴的非金属可见光催化剂得到了国内外广泛的关注和研究。

图2和图3给出了g-C3N4的半导体能带结构图和光催化行为图。图2中显示g-C3N4的半导体边界位置分别为+1.4V和-1.3V(对应HOMO和LUMO),满足光催化制氢和制氧的要求[7]。g-C3N4的导带电子具有强还原能力而价带空穴具有弱氧化能力,g-C3N4收到光激发产生光生电子和空穴,可以活化分子氧产生超氧自由基,进行光催化选择性合成有机化合物;也可以光催化氧化制取氧气,还原制氢,催化氧化处理水中有机污染物。将高氧化数重金属离子还原为低氧化数的离子如图3所示,涉及的方程式如下:

3 C3N4的光催化研究

在g-C3N4结构中,C、N原子以sp2杂化形成高度离域的 π 共轭电子能带结构,带隙值适中,可以吸收太阳光谱中波长小于475 nm的可见光,以及具有合适的边带位置,可以用于可见光催化制氢、处理水中污染物等。但是由于七嗪环结构单元的g-C3N4存在π共轭体系拓展不充分、导电能力差等问题,对g-C3N4进行共聚合改性的研究越来越引起人们的广泛关注。

3.1调整能带结构

福州大学王心晨课题组[9,10,11,12]从高分子链的组成结构入手,以共聚合方式在分子水平上调整g-C3N4的化学组成和局部分子结构,制备出 π 共轭体系连续可调的一系列g-C3N4新型光催化剂。

3.2光敏化改性

通过染料敏化可改善g-C3N4的光吸收性质。 如Min课题组和Domen课题组[13,14]分别选用黄色曙红和镁酞菁敏化mpg-C3N4,其光吸收范围拓宽至500~800nm。

3.3半导体复合改性

半导体复合改性包括窄带隙敏化和宽带隙半导体复合。将g-C3N4与其他材料进行复合,形成异质结构,可以有效促进解离,加速光生电子和空穴的快速分离,从而抑制光生载流子的复合,提高其光催化效率[15,16,17,18,19,20]。

3.4金属/ 非金属掺杂

通过在半导体材料中掺杂少量的金属(Fe、Co、 Zn)或者非金属(B、S、F、C)元素,可以改变材料的电子结构和半导体的能带结构,在一定程度上提高其光吸收能力,促进光生电子和空穴的分离。

3.5表面修饰

通过在C3N4表面沉积贵金属微粒,或通过与有机分子表面键合的方式进行表面修饰,以优化C3N4表面电子结构,促进光生电子和空穴的分离,改善表面化学反应的动力学。

对于C3N4这类不含金属的半导体,在目前已知的研究基础上,利用多种学科研究的方法,对其用途和改性研究依然需要我们进行深入的探索和研究。

摘要：半导体光催化技术通过太阳能驱动化学反应净化水体、处理土壤和空气污染物、催化制氢,在解决环境污染和能源短缺等问题上具有重要的应用前景。在光催化技术的推广应用过程中,一种仅由C、N两种元素通过sp2杂化组成的共轭半导体氮化碳,因其独特的半导体能带结构和优异的化学稳定性,被作为一类不含金属成分的新型可见光催化剂,引起人们的广泛关注。本文介绍石墨相氮化碳的结构、性质及其在光催化领域的一些研究进展。

3.发展半导体 不能只依赖欧美IP 篇三

联发科董事长蔡明介近日出席在台北举办的第2届海峡两岸科技论坛，并担任“科技产业发展与管理”的演讲嘉宾，对台下两岸高新区、竹科园区及产学界人士进行20分钟的演讲。蔡明介提及，两岸在半导体产业链的各重要环节上，都有相对平衡的发展企业，不过，却明显都依赖来自欧美的核心处理器厂的IP授权，因此两岸互补、互利共荣的互动发展下，不能偏废在核心处理器IP自主架构的发展。

据了解，台湾有联发科、晨星，大陆有海思、展讯、RDA等其应用处理器的IP皆来自安谋（ARM）。此外，正快速崛起的感测组件中的微控制器IP，几乎两岸IC设计厂亦是向安谋（ARM）购买。高度依赖欧美的IP成了两岸长期发展的潜在问题。

有鉴于长远的发展，蔡明介特别点名介绍由台湾国发基金与联发科共同投资的晶心科技，强调该公司至今仍持续在处理器的IP上发展自主架构，且产品应用遍及资通讯、多媒体、物联网、手机、平板计算机、无线等已获不错的成绩。蔡明介也坦言，自己是该公司的董事长。

蔡明介分析，IC产业在两岸的产业链皆有相对平衡的企业，以台湾拥有完整技术及规模优势，并依托大陆市场发展，携手合作必可与欧、美、日、韩等国际大厂竞争。（工商时报）

2017年20nm、16nm及以下的芯片先进工艺将成为主流

工业和信息化部软件与集成电路促进中心（简称CSIP）主任邱善勤发布报告预测：到2017年20nm、16nm及以下的先进工艺将成为主流，这对我们设计业、制造业是一个很大的启示：我们怎么样适应全球先进工艺。

由CSIP、南京市经信委等共同举办的2013年中国集成电路产业促进大会在南京隆重召开，邱善勤在致辞中作出上述预测。

邱善勤说：过去几年，我们比较先进的工艺还是保持在60nm、45nm，但是从2013年开始，28nm、32nm成为主流的先进工艺，特别是28nm，将每年保持高增长的态势。邱善勤预测：32nm、20nm是过渡型工艺，不是主流，到2017年20nm、16nm及以下的先进工艺将成为主流。

邱善勤预测：TSV（硅通孔封装）预计从2014年开始要有大的采用，TSV是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的最新技术。这意味着一种新的工艺大量采用的情况下，芯片的集成度会越来越高，成本将逐渐下降。

预计到2017年TSV将逐年加速增长，这一趋势的一个很大的启示：未来芯片将随着线宽越来越细，集成度越来越高。

邱善勤预测：2013年上半年呈下降趋势，但到了下半年明显增长，预示著明后年行业高速增长。2014年将趋于稳定，预计2012-2017年整个行业设备采购支出的年增长率将达到5%左右，与整个行业的增长率（预测亦为5%）是一致性的。（元器件交易网）

华虹IC卡互联网交易终端

上海华虹集成电路有限责任公司2012年就研发出IC卡互联网音频交易终端产品，随后顺应市场需求，华虹设计又对该产品进行升级改造。2013年10月，标准版IC卡互联网交易终端一经面世，便颇受关注。

华虹设计标准版IC卡互联网交易终端设备内置接触式读卡模块、LED状态灯、确认键，支持金融IC卡，采取插卡读取IC卡加密信息，电脑或手机键盘输入密码，并由终端加密组装报文后上传服务器。

除标准版产品外，华虹设计在未来还将推出全功能版IC卡互联网交易终端，与标准版相比，其在外观上会增加液晶屏和密码键盘，用户通过终端刷卡、输密操作，不需要通过电脑或手机键盘输入卡号、密码，并且终端上不保存任何敏感数据，规避了信息被截取的风险。

华虹设计可根据客户的需求，提供从整机到定制方案的全面服务。凭借15年在智能卡、安全以及安全读写器方面的丰富经验，华虹设计研发的IC卡互联网交易终端系列产品，不仅能帮助改善金融IC卡受理环境，更践行了安全、便捷、创新的支付新理念。

国外调查机构Market Reports China近日公布了一份中国智能卡行业发展调查报告，报告预测了2013年-2017年中国智能卡市场发展。

报告显示，全球智能卡在2012年的出货量超过40亿张，在全球经济不景气的情况下，智能卡的出货量仍然保持一个稳定增长，欧洲地区主要由金雅拓、ST、英飞凌、NXP等巨头推动市场发展。欧洲许多地区仍然在使用磁条卡，EMV迁移带来的银行卡更换将推动智能卡巨大需求。

随着亚太地区智能卡行业的快速发展，中国、印度、日本、韩国和其他东南亚国家拥有巨大的智能卡需求。其中，中国智能卡市场最大，几乎占全球智能卡市场的三分之一。

智能卡在中国发展已经20年，据一卡通世界网了解，到2012年，智能卡需求大增的不仅仅在金融行业，社会安全、公共交通、医疗等都有较大发展。在接下来的2年时间内，中国智能卡市场增长率在10%左右，整个2012年，中国智能卡销售量就已经达到100亿人民币。

电信行业一直引领着中国智能卡行业，随着多应用的发展，智能卡（SIM、UIM、公共IC卡、PIM卡）将不仅仅出现在高端用户当中，更多的还是向普通用户发展，这无疑是智能卡行业巨大的推动力。

2012年，中国电信行业的智能卡发卡量超过65亿张，在接下来的五年内，随着3G、4G网络的普及，2G SIM卡的更换也将带动市场。（一卡通世界网）

上海微电子SSB300型步进投影光刻机获奖

第十五届中国国际工业博览会在上海新国际博览中心开幕。上海微电子装备有限公司SMEE携面向LED PSS工艺的SSB300型步进投影光刻机参展。经过专家评选，SSB300步进投影光刻机荣获了本届工博会铜奖。

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展会期间，SMEE还向各界展示了其扫描光刻机技术、纳米运动台及纳米级双频干涉测量技术、投影物镜等光刻机关键技术，吸引了专业观众及客户的咨询与洽谈。

上海微电子装备有限公司成立于2002年，公司主要致力于大规模工业生产的投影光刻机研发、生产、销售与服务，公司产品可广泛应用于IC制造与先进封装、MEMS、3D-TSV、TFT-OLED、LED、Power Devices等制造领域。

SMEE已建立了一整套与高科技企业相适应的知识产权管理体系与机制，先后被评为“上海市专利工作和知识产权示范企业”、“全国企事业知识产权示范创建单位”。

清华发现量子反常霍尔效应 超级计算机变身平板成可能

量子反常霍尔效应，在物理学家眼中，“神奇”又“美妙”。因为它的发现可能带来下一次信息技术革命。采用这种技术设计集成电路和元器件，千亿次的超级计算机有望做成平板电脑那么大，智能手机的内存可能会提高上千倍。

首次从实验中观测到量子反常霍尔效应后，清华大学副校长薛其坤院士和他的团队受到外界广泛关注。“我们正在努力提高观测量子反常霍尔效应这一物理现象的温度，希望能从原来的零下273摄氏度提升至零下269摄氏度。”薛其坤在接受记者采访时表示，“零下269摄氏度是氦气的液化温度，是一个标志性温度。如果能实现这一目标，将为应用打下良好的基础。”

2013年3月15日，薛其坤团队的研究成果在线发表于美国《科学》杂志。4月12日，该杂志正式发表这一论文，其“展望”栏目还刊登了题为《完整的量子霍尔家族三重奏》的评论文章。文章表示，中国科学家“证实了期待已久的量子反常霍尔效应的存在，这是量子霍尔家族的最后一位成员”。

凝聚态物理中，量子霍尔效应占据着极其重要的地位。量子霍尔效应可以对电子的运动制定一个规则，让它们在各自跑道上“一往无前”。“好比一辆跑车，常态下是在拥挤的农贸市场路上行驶，而在量子霍尔效应下，则可以在互不干扰的高速路上前进。”薛其坤打了个形象的比方。

但量子霍尔效应的产生需要非常强的磁场，“相当于外加10个计算机大的磁铁，不但体积庞大，且价格昂贵”，薛其坤说，量子反常霍尔效应的美妙之处是不需要任何外加磁场，在零磁场中就可以实现量子霍尔态，更易应用到日常所需的电子器件中。

课题组成员、中科院物理所副研究员何珂告诉记者：“量子反常霍尔效应实现非常困难，需要精准的材料设计、制备与调控。尽管多年来各国科学家提出几种不同的实现途径，但所需的材料和结构非常难以制备，因此在实验上进展缓慢。”

薛其坤团队经过近4年研究，生长测量了1000多个样品。最终，他们利用分子束外延方法，生长出了高质量的Cr掺杂（Bi，Sb）2Te3拓扑绝缘体磁性薄膜，并在极低温输运测量装置上成功观测到了量子反常霍尔效应。

何时能把超级计算机变成平板电脑大小，薛其坤严谨地表示：“这在原理上是可实现的，但需要温度和材料方面都要有重大突破。量子反常霍尔效应的应用潜力非常大。”（科技日报）

国务院副总理马凯强调集成电路产业做优做强做大

据新华社电，中共中央政治局委员、国务院副总理马凯在北京调研时强调，要科学判断和准确把握集成电路产业发展趋势，化挑战为机遇，着力转变发展方式，聚焦发展重点，以技术创新、体制机制创新、管理创新和商业模式创新为动力，努力提升产业核心竞争力，推动产业做优做强做大，为信息产业和经济社会发展提供强有力支撑。

马凯来到企业调研了解集成电路产业发展和网络信息安全情况。他指出，集成电路产业是培育发展战略性新兴产业、推动信息化和工业化深度融合的核心与基础，是转变经济发展方式、调整信息产业结构、扩大信息消费、维护国家安全的重要保障。加快发展集成电路产业是当前和今后时期一项重要而紧迫的任务。要紧紧抓住移动互联网、三网融合、物联网、云计算等加速发展、信息化工业化深度融合、信息消费飞速增长的历史机遇，积极应对国外集成电路产业加快发展、国际竞争日趋激烈的严峻挑战，开拓创新，攻坚克难，努力把我国集成电路产业提升到一个新水平。（国际在线）

上海市副市长周波视察上海新阳

上海市副市长周波率市经信委、市科委、市国资委等部门主要负责人一行来到上海新阳参观考察并指导工作。

周副市长兴致勃勃地参观了上海新阳技术中心和生产线，考察了新阳募投项目和国家科技重大专项项目建设情况，认真听取了公司副董事长、总工程师孙江燕所作的工作汇报。周副市长对上海新阳取得的成绩给予了充分肯定，并鼓励新阳志存高远，为上海高端制造业、我国集成电路产业作出应有贡献。

上海新阳半导体材料股份有限公司专业从事电子、半导体行业所需专用化学品及配套设备的研发设计、生产制造和销售服务，致力于为用户提供化学材料、配套设备、应用工艺和现场服务一体化的整体解决方案。上海新阳2011年在深圳股票交易所创业板上市。

《应用驱动高端3D封装发展》研讨会

“IC China 2013”开幕前一天，2013年11月12日下午，中国半导体行业协会委托上海市集成电路行业协会主办的《应用驱动高端3D封装发展》研讨会在上海召开。根据国内企业对3D封装的应用需求，邀请格科、苏州晶方、武汉新芯、日月光封测、中微半导体、SPTS（住程科技）、北方微电子、爱德万测试等，专题作市场、应用、设备、材料、工艺、技术等方面的演讲。演讲题目分别是是：CMOS图像传感器的市场与技术发展创新、先进封装技术在CIS领域中的应用与创新、晶圆级 3D集成在影像传感器的应用、Besides & Beyond 2.5D/3DIC、硅通孔刻蚀技术在先进封装应用上的挑战和应对、TSV Engineering for CMOS Image Sensors： Etch， Dielectrics and Metals、先进封装产业关键设备国产化的机遇和挑战、数字射频接口（DigRF）测试——面向非确定性协议的ATE解决方案等。研讨会内容由“市场、应用”出发，介绍“工艺、技术”，再涉及设备与测试，涵盖全产业链，非常全面，受到140余位企业代表的欢迎。

4.化合物半导体行业发展 篇四

关键词：半导体照明;产业;现状;问题;对策

一、概论

在人类先后经历了火光照明——白炽灯照明——荧光灯照明——高强度气体放电灯照明四个阶段后，半导体技术日新月异的发展给人类照明带来了新的光源。半导体照明应用广泛应用于人类生产生活的各个方面，得益于它自身无可比拟的优势和特点。半导体照明具有节能环保、寿命长、重量轻、体积小、使用安全、光效强、无辐射、无干扰、响应速度快等一系列有点。 与其他产业一样，半导体照明产业也有自己的产业链和价值链。它的产业链主要包含衬底、外延生长、芯片制造、器件封装、应用产品及服务等五个方面，当然还包括与这五个核心部分紧密相关的配套件、制造设备、原材料、具体应用产品、检测仪器等。价值链包括利润和成本两个方面。从利润角度来说，半导体产业的上游属于资金和技术密集型行业占整个链条中行业总利润的七成，主要包括芯片制造行业和外延材料 ;中下游主要包括照明应用、器件封装、和显示，偏重劳动和技术，而利润仅占全部利润的三成。从成品角度来讲，上中下游大概各占三成。

二、现状及问题

顺应国际照明产业发展潮流，我国政府也相当重视半导体照明产业的发展， 在政策、资金、技术等各个方面做出了巨大的努力。例如，“国家半导体照明工程”已于2003年开始启动，两年之后，国家863 计划及和“十五”国家科技攻关计划将“半导体照明产业化技术开发”列为重大课题项目，并且对相关研究机构和企业的半导体就产业基础研究和技术研发给予了大力的资助。国家标委会前前后后颁布了八项LED 主要标准，用以完善已有制度、规范市场秩序、激励企业跨地区流动和竞争、促进产业的技术革新。

虽然我国的半导体照明产业得到了快速的发展，但是还面临着一系列需要解决的问题和发展瓶颈，主要集中在技术、市场、人才、标准等几个方面。（1）缺乏核心技术。国外的几家跨国公司垄断了半导体产业的核心技术，并且申请了专利以实现长期保护的目的。从全球来看，与半导体照明应用相关的专利中，我国占比不足百分之十，并且大多是国内专利，很少达到国际标准。占比最高的是封装专利，可以达到百分之三十九。产业技术的落后使得产品质量较次、成本高昂、寿命较短，技术相对落后导致产品质量不高、成本较高、寿命有限，相对于传统照明产品没有特别突出的优势。（2）人才缺乏。人才数量、质量、结构不合理。大多数都是经验型人才，而从事基础研究方面的人才稀缺，掌握半导体照明各个产业链环节的人才也很匮乏，而掌握关键技术的核心人才更是少之又少。总之，相对快速发展的半导体照明产业的发展需求来说，行业的人才现状远远难以满足。（3）市场方面。就国际市场来说，我国半导体照明企业主要集中在中下游市场，产品的国际竞争力低下，关键的设备和核心材料以来进口，从而导致产品附加值低和利润水平不高的现状。就国内市场来说，市场不够健全。国家在规划统筹方面做得不够，而地方政府则相对独立和分散，从而导致政府整合资源、企业集聚资源、市场配置资源的良性发展机制难以形成。（4）产业标准体系不完善。目前我国半导体照明产业缺乏质量认证标准，由此导致产品质量良莠不齐，鱼目混珠现象十分严重，市场秩序相当混乱，进而使得消费者对产品的信心极具下降。

三、对策措施

鉴于我国半导体产业面临的一系列问题，建议从以下几个方面采取措施：（1）增强自主创新能力。技术落后的关键在于自主创新的能力严重不足，对此：首先应当加大科技研发投入，提供足够的资金支持，其次，要坚持多种技术路线并行的发展战略，以本国特色技术为主，但也注重国际主流技术的研究。2最后，设立包括资源共享、技术创新、成果转化、产品交易等在内的半导体照明产业技术服务平台，促进产品更新换代。  （2） 加强人才队伍建设。在人才招聘时，尽量招聘在半导体照明技术和管理方面基础知识比较扎实、实践能力突出的人才;加强培训体系和培训基地的建设，及时实现知识和技术的更新换代;加强人才管理，注重考核机制的建设，从专业水平、工作态度和绩效等方面进行多重考核。 （3） 加快制定合理的产业标准。首先，应当坚持一切从实际出发的原则对市场进行周密的调研，对技术进行严密的评估。其次，要注重经验借鉴。他山之石可以攻玉，应当多参考标准健全的国家，结合实际，进行标准制定。最后，要加强各个部门之间的合作互动。加强质监部门、产业司、科技部等之间的沟通以及国家、企业、行业协会之间的协调，制定出包括质量认定、技术检验和市场准入在内的完善产业标准体系。

制定合理的发展规划。宏观方面来说，政府要制定以培育新兴大功率通用照明产业为中远期目标和以解决市场应用和产品的性价比为近期发展目标相结合的发展规划。 此外，企业也应当合理确定企业发展的规模目标、产值目标、利润目标等，制定企业长期发展战略和规划。

参考文献：

[1]胡爱华. 半导体照明产业的发展与前景[J]. 现代显示，2010，Z1：63-70.

5.化合物半导体行业发展 篇五

关键词：元素；化合物；能力

【中图分类号】G633.8

一、概括、归纳、对比，建立联系和规律

在元素及其化合物教学中，将其重点内容按其特点归纳成以下可供学生接受的结构模式：（一）各族元素的原子结构特点及其递变规律。（二）代表元素的单质或化合物的物理性质、化学性质（化学性质难记），但可从以下几个方面来考察某物质的化学性质：1.能否与金属或非金属单质反应；2.能否与水反应；3.能否与碱性氧化物或酸性氧化物反应；4.能否与酸或碱反应；5.其它特殊性质。（三）代表元素单质或化合物的制法（包括反应原理、反应装置及注意事项、气体收集和检验方法三方面）。（四）同族元素的其它单质或同类物质的性质递变及比较。不管你学到哪一族元素的哪一单质或化合物，可根据以上模式去探索你所掌握的知识，使原来零碎、繁杂的知识转变为有规律易记忆，便于复习知识块，激发了学生的学习兴趣和积极性。例如：当学习卤素中氯气、氯化氢时，不仅用此模式能记住所要掌握的知识，而且可类推了解到F2、Br2、I2和HBr、HI的性质及它们之间的性质比较。在我多年的教学中得到证明，采取此法教学，学生学习兴趣大增，效果良好。同时，在教学中还应注意挖掘不同族物质的联系，并进行比较、推理、贯串新旧知识，使元素化合物知识由“点”连成“网”，使学生在理解的基础上系统地掌握和记住知识，而且也形成分析比较的思维方法，有利于学生思维能力的培养。

二、加强理论指导，力求全面、系统地理解

在教学中如果注意理论知识的应用，因势利导，做到整个化学知识以元素化合物知识为基础，以理论知识为指导。将元素化合物知识从罗列的、机械的描述，转变为理解推理的描述方法，化呆板为灵活；化繁琐为集中，收到更好的教学效果。我们知道，用原子结构理论来认识化合价和物质性质。用电离理论来认识复分解反应；用化学反应规律来推导物质制法等都能取得事半功倍的效果，且能发挥学生的主观能动性，发展了学生的逻辑思维和自学能力。下面举些例子加以说明。

例如：在比较有关气体密度时，不应死记其数据大小，而应从气体摩尔体积和分子量大小上去比较。像化学反应条件是繁杂难记的问题，若能运用分子结构等知识去理解就不难了，如N2与O2或H2等反应要在一定条件下进行，这是因为氮分子中有三个共价健，要破坏三键必须在一定条件下（高温或催化剂、放电）进行。由此也知道，氮气沸点比氧气低的原因。可用氧化还原反应的理论及其化合价来理解和推知单质及化合物应具有的氧化性、还原性及强弱，理解成为掌握知识的主要手段。因此运用有关理论去分析问题，进行推理，得出结论，这样才能真正使学生掌握所学知识，从而培养发展学生思维能力。

三、熟透课本，注意知识迁移

中学化学教学中应加强知识迁移，这在元素及其化合物教学中显得尤为重要，它能使繁杂而枯燥的元素化合物知识，转化为推理性较强的知识，对培养学生学习兴趣和良好的思维习惯、发展能力、提高教学效果，起到不可低估的作用，要加强知识迁移教学，必须熟透教材，理清脉络达到熟能生巧。所谓知识迁移，是指在不超过中学化学课本范围的条件下，对所学知识的延伸和应用。它是检查学生创造能力的最佳方法。下面举例加以说明。例如：在熟悉卤素知识后，从C12具有氧化性，可与Nal、NaBr反应的事实中，应将其迁移到C12（或新制氯水）与还原性强的物质或离子，如Hl、HBr、H2S、SO2（H2S03、亚硫酸盐）等反应，并能解释有关实验现象，从而也推知了Hl、HBr不能用浓H2SO4制取的原因，进一步又可延伸到Hl、HBr、H2S、SO2、H2SO3等的溶液能使具有强氧化性的酸性KMnO4。溶液褪色，从而起到举一反三的作用。在学习氧族元素时，从H2S的强还原性，应注意两方面知识迁移，（一）H2S可与强氧化性质如卤素单质，KMnO4、H2O2等强氧化剂和氧化性酸等反应，因而它可使溴、水、碘水、KMnO4溶液、FeC13溶液褪色，不能用浓H2SO4干燥H2S等，（二）可溶性硫化物也具有还原性，如Na2S可被C12等强氧化性物质氧化。在综合复习中，应将有机知识和无机知识结合起来，扩大知识外延。

四、加强化学实验的目的性、计划性，做到有的放矢

化学是一门以实验为主的科学，化学实验对于培养学生的观察力和思维能力，实验操作能力都有重要意义。其中实验过程的精心组织和计划，对培养学生的观察能力和思维能力起到重要作用。对于课堂演示实验，很多教师往往只注意到现象清楚、实验成功等方面，但只注意这些是不够的。实验教学过程中，引导学生提高认识是一个重要环节，教师必须注意恰当安排，使实验确实成为课堂教学的有机组合部分，做到在实验前学生已明确目的，实验过程能集中注意力，实验后获得深刻印象和正确结论，并在整个实验过程中保持活跃思维活动。例如演示C12的漂白实验，一般是安排在C12性质这一部分中，通过实验以后讲述结论。如果老师从Cl2跟H2O反应生成盐酸和氯酸入手，提出如何检验Cl2中含有这两种酸。然后先用蓝色石蕊试纸检验氯水，出现现象是试纸变红色又褪色，这就与“酸使指示剂变色”矛盾，让学生思考，从矛盾中分析问题，从而得出氯水具有漂白作用，再引导学生分析氯水中所含四种物质中是哪一种物质起漂白作用，思考到底是C12还是HCIO起作用？这时再进行C12通过干燥和潮湿的两种红色布条的实验，让学生得出结论，从而改变消极接受实验结果的习惯。由于实验目的明确，能使获得的知识生动直观，加深学生的理解和印象，从而培养学生探索问题、解决问题的能力。