电子器件

电子器件（共11篇）

1.电子器件 篇一

杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所论文

一、前言

建立高等院校教学质量管理体系是保障教学质量、促进教学改革的有力保障，组成这一体系的主要内容之一是对教师教学质量的评价。一般地，这个评价主要由学校教务处组织的听课评价、学院相关领导与同行所做的听课评价以及上课学生对教师做出的评价等组成。这三部分对整个评价结果所占权重各不相同，其中，最重要也是最有效的就是学生对教师教学质量的评价(简称“学评教”)。

“学评教”制度一方面用于学校教学质量管理和控制，把教师的教学质量进行量化，为教学管理部门提供了直观数据以进行高低排名，推广排名较高教师的先进教学经验，对排名较低的教师进行重点帮扶，从而促进教师队伍的整体教学水平;另一方面可为教师的教学质量提供反馈信息，帮助教师发现自身在教学中的优缺点以提高教学效果;更为重要的是，“学评教”有利于突显学生在教育教学中的主体地位，增强教师的教学服务意识，调整高校的办学宗旨和导向。实施“学评教”使学生作为教育消费群体来说拥有了教学服务的质量维权渠道，使教师和学校能够放低姿态倾听学生们的心声，了解他们的教学需求和愿望，便于教师因材施教、因需施教，不断优化教学过程，及时更新教学内容，改进和改革教学教育方法和手段，以改变传统的“填鸭式”讲授方式。因此，“学评教”制度在实际教学管理体系中对提高学校教学质量的意义非常重大。

作为“学评教”体系中的评估者，学生是该体系的主要参与人和直接受益人，他们应该非常重视和珍惜这种评教机会，也应该很熟悉该体系存在的意义，以及“学评教”的结果在学校中的哪些方面起作用，并且是如何起作用的。但实际情况并非如此，实际“学评教”的效果也远离当初设计者的初衷，也就是说当前“学评教”体系并未发挥其应有的作用，有的甚至是流于形式。究其原因何在，作者在我国某高校进行了这些方面的调查，一共发出问卷300份，收回有效问卷288份，问卷对象均是来自于该高校的大二和大三本科生(选择大二和大三生是因为大一新生对此经验不足，而大四毕业生对改进“学评教”体系的关心程度不够)。通过整理、分析这些调查结果，我们可以初步判断目前“学评教”存在的问题，并为将来有效改进该体系提供理论和实践根据。

二、对“学评教”体系认识方面的问题

关于“对‘学评教’系统的认识”调查结果显示，只有38.19%的学生认为它是评价老师的重要指标;而超过一半的人认为学校不重视，作用很小或者不起作用，根本就是形式主义;剩下近一成的人则根本不了解其有什么用途(图1a)。这说明从学校层面来讲，对学生在这方面的宣传没有做到位。通过了解知道，大多数这样的宣讲都是设置在新生开学初进行的，对于这些没有进行过“学评教”体验的学生来讲，几乎不会留下什么深刻印象。所以，建议学校对学生的有关宣传不应该只停留在一次，而应该是每学期都要进行，至少达到每学年进行一次。

在“‘学评教’与自己是否有关系”的调查中发现，有四分之三的学生没感觉到或认为根本与己无关(图1b)。说明我们的评价体系在设置上存在单向性的问题，即要求学生只管评价，评价结束后似乎与学生就没有关系了。学生的评价结果也没对学生进行反馈，教师在其评价的基础上做过哪些改进学生也无从知道，因而让学生的参与感大大减弱。而对“是否想知道被评价老师的最终评价结果”的调查显示，只有三分之一的学生表达了想知道的意愿，而其余的人不想知道或无所谓。一方面说明学生还没有习惯自己的主体意识，另一方面也反映了学校在学生和教师之间的沟通渠道还没有完全建立起来。所以，学校管理部门除了让学生参与“学评教”的评价工作外，还要把参与的结果和效果及时反馈给学生，只有这样才能真正让学生有被服务的体验，才能充分调动其参与的积极性和责任心。

图1 关于对“学评教”体系的认识的调查结果：(a)对“学评教”系统的认识;(b)“学评教”与自己是否有关系;(c)“学评教”对任课教师的影响。

一般地，“学评教”结果在教师的年度教学业绩考核中能够占到1/4的比例，而且与评职称、评优等直接挂钩，其重要性不言而喻，但对于学生们能够了解这些的只有不到23%，其余的要么认为“学评教”结果对老师影响不大或无影响，要么不清楚(见图1c)，这样的现实必然容易导致学生们在评分时的过分随意和不负责任，不仅令评价结果缺乏公平性和参考性，也让“学评教”难以发挥其应有的.作用。因而，学校一方面在加强宣传力度的同时，还要将某些老师由于某门课程的学评教分数过低而带来的后果及时反馈给相关学生，这些应该与前面两项内容结合到一起同时来做。

三、评价过程中的问题

在对任课教师的评价过程中，能够影响学生的评估成绩的因素有很多：本课程的成绩、周围同学的影响、某种原因请别人代评、上课次数或对老师的印象等等。比如，有超过三分之二的人会不同程度地根据本门课程的成绩而对教师评价;有一半多的人会受到周围同学的影响而失去自己的独立判断;同样也有超过30%的学生有过请人代评的经历而没能反应自己的真实感受;将近60%的学生由于上课次数少而缺乏对老师的印象，只好依赖于别人的判断或胡乱填写。具体调查结果列于表1。

表1 关于学生在评教过程中的调查与结果统计

序号 调查问题 选项 结果

1 所修课程的最终成绩会影响您对任课老师的评分结果吗? 会，直接影响 23.96%

有一点，总体还算客观 43.06%

不影响，完全依据客观 32.98%

小计 100%

2 评价老师过程中，周围同学的意见会对您产生影响吗? 不会 46.50%

可能会 53.50%

小计 100%

3 是否有过请人代替您评价某位老师的经历? 从未有过 69.79%

偶尔 20.14%

经常有 10.07%

小计 100%

4 如果很少听一位老师的讲课，那么您对他的评价依据是什么? 仅凭上过的几堂课作个大概的评价 42.16%

根据其他同学的评价做个判断 37.98%

胡乱填的 19.86%

小计 100%

上述问题的存在将直接影响评分的准确性和公正性，为尽量减弱或降低这些因素的干扰，我们应采取以下措施：(1)将评价时间点尽量安排在课程进行了大半或结束后而期末考试前，调查结果也表明大部分(超过58%)学生认为这个时间节点比较合适;(2)在评价系统页面的首页滚动提示学生“独立判断是对老师最公平的评价”等字样;(3)将学生的评价资格与上课出勤率挂购，少于60%出勤率的学生不允许参与本门课程的评价等。

四、评价内容存在的问题

在评价过程中，学生们针对评价指标或评价内容方面也存在着或多或少的问题。有70%多的学生都曾遇到对评价指标的表述存在一定程度上的不理解或不清楚，有超过一半的学生认为目前的评价体系太过单一，只有被动选项，而缺乏对教师或课程的主观性描述选项。同样有七成左右的学生希望评价体系的评价对象应该是该课程而非教师，评价指标也应该主要以“在本课程中的收获程度或价值”为衡量标准，且希望学校能将每门课程的以往评教结果向全校公布，以作为选课依据。同时，希望“学评教”能够变为“自愿”和“匿名”而非“必须”和“实名”的学生数也占到了72.47%。

五、改进“学评教”的建议

通过统计收集学生们对目前“学评教”制度的意见或建议，我们分门别类认为值得高校管理部门注意或者可直接采纳的有如下几条：第一，“学评教”的意义和使用要及时告知学生。第二，参与“学评教”的学生应该进行资格遴选，只有具有一定出勤率的学生才具备资格。取消现有的必须和任务性质。第三，改“学评教”为“学评课”，即被评对象应该是课程，而非教师。

总之，“学评教”是一项参与人数众多的系统工程，它不仅是学生、教师、学校管理层三方相互制约、彼此渗透的结果，它的制度完善与功能发挥是一个长期的过程，需要我们广大师生共同努力、群策群力才能充分得到发展。不仅需要在理论研究上加大人力、物力和资金方面的长期稳定投入，而且需要在实践环节上勇于尝试、敢于突破和改变，改革意识和力度都要加强才有可能在最后得到实际最需要的发展方向。

2.电子器件 篇二

在正规的工业化生产中，都设有专门的元器件筛选检测车间，备有许多通用和专用的筛选检测装备和仪器，但对于业余电子爱好者来说，不可能具备这些条件，即使如此，也绝不可以放弃对元器件的筛选和检测工作，因为许多电子爱好者所用的电子元器件是邮购来的，其中有正品，也有次品，更多的是业余品或利用品，如在安装之前不对它们进行筛选检测，一旦焊入印刷电路板上，发现电路不能正常工作，再去检查，不仅浪费很多时间和精力，而且拆来拆去很容易损坏元件及印刷电路板。

一、外观质量检查

拿到一个电子元器件之后，应看其外观有无明显损坏。比如变压器，要看其所有引线有否折断，外表有无锈蚀，线包、骨架有无破损等。又如三极管，要看其外表有无破损，引脚有无折断或锈蚀，还要检查一下器件上的型号是否清晰可辨。对于电位器、可变电容器之类的可调元件，还要检查在调节范围内，其活动是否平滑、灵活，松紧是否合适，无机械噪声，手感好，并保证各触点接触良好。

各种不同的电子元器件都有自身的特点和要求，爱好者平时应多了解一些有关各元件的性能和参数、特点，积累经验。

二、电气性能的筛选

要保证试制的电子装置能够长期稳定地通电工作，并且经得起应用环境和其他可能因素的考验，这是对电子元器件的筛选必不可少的一道工序。所谓筛选，就是对电子元器件施加一种应力或多种应力试验，暴露元器件的固有缺陷而不破坏它的完整性。筛选的理论是：如果试验及应力等级选择适当，劣质品会失效，而优良品则会通过。人们在长期的生产实践中发现新制造出来的电子元器件，在刚投入使用的时候，一般失效率较高，叫做早期失效，经过早期失效后，电子元器件便进入了正常的使用期阶段，一般来说，在这一阶段中，电子元器件的失效率会大大降低。过了正常使用阶段，电子元器件便进入了耗损老化期阶段，那将意味着寿终正寝。这个规律，恰似一条浴盆曲线，人们称它为电子元器件的效能曲线。

电子元器件失效，是由于在设计和生产时所选用的原材料或工艺措施不当而引起的。元器件的早期失效十分有害，但又不可避免。因此，人们只能人为地创造早期工作条件，从而在制成产品前就将劣质品剔除，让用于产品制作的元器件一开始就进入正常使用阶段，减少失效，增加其可靠性。

在正规的电子工厂里，采用的老化筛选项目一般有：高温存储老化;高低温循环老化;高低温冲击老化和高温功率老化等。其中高温功率老化是给试验的电子元器件通电，模拟实际工作条件，再加上+80℃～+180℃的高温经历几个小时，它是一种对元器件多种潜在故障都有检验作用的有效措施，也是目前采用得最多的一种方法。对于业余爱好者来说，在单件电子制作过程中，是不太可能采取这些方法进行老化检测的，在大多数情况下，采用了自然老化的方式。例如使用前将元器件存放一段时间，让电子元器件自然地经历夏季高温和冬季低温的考验，然后再来检测它们的电性能，看是否符合使用要求，优存劣汰。对于一些急用的电子元器件，也可采用简易电老化方式，用一台输出电压可调的脉动直流电源，使加在电子元器件两端的电压略高于元件额定值的工作电压，调整流过元器件的电流强度，使其功率为1.5～2倍额定功率，通电几分钟甚至更长时间，利用元器件自身的特性而发热升温，完成简易老化过程。

三、元器件的检测

经过外观检查以及老化处理后的电子元器件，还必须通过对其电气性能与技术参数的测量，以确定其优劣，剔除那些已经失效的元器件。当然，对于不同的电子元器件应有不同的测量仪器，但对于业余电子爱好者来说，一般不具备专用电子测量仪器的条件，但起码应有一块万用电表，利用万用电表可以对一些常用的电子元器件进行粗略检测。各种电子元器件涉及到的电性能参数很多，我们要根据业余制作牵涉到的必须要弄清楚的有关参数进行检测，而不必对该元器件的所有参数都一一检测。下面例举几种基本元器件的检测。

(1）电阻器

它是所有电子装置中应用最为广泛的一种元件，也是最便宜的电子元件之一。它是一种线性元件，在电路中的主要用途有限流、降压、分压、分流、匹配、负载、阻尼、取样等。

检测该元件时，主要看它的标称阻值与实际测量阻值的偏差程度。在大量的生产中，由于加工过程中各道工序对电阻器的作用，电阻器的实际值不可能做到与它的标称值完全一致，因此其阻值具有离散性，为了便于管理和组织生产，工程上按照使用的需要，给出了允许偏差值，如±5%、±10%、±20%。再加上万用电表检测电阻器时的误差，一般要求其误差不超过允许偏差的10%即认为合格。同时亦可通过外观检查综合判断其优劣。

(2）电容器

电容器也是电子装置中用得最多的电子元器件之一。它的质量好坏直接影响到整机的性能，同时也是容易失效的元件。在检查电容器时，如果电解电容器的贮存期超过了三年，可以认为该元件已经失效。有些电容器上没有出厂年限标志，外观则完好无损，肉眼很难判断出它的质量问题，因此就必须要对它进行检测。

电容器在电路中担任隔直、滤波、旁路、耦合、中和、退耦、调谐、振荡等。它的常见故障有击穿、漏电、失效(干涸)。用万用电表的欧姆档检查电容器是利用了电容器能够充放电原理进行的，这时应选用欧姆档的最高量程(R×1kΩ或R×10kΩ)来测量。当万用电表的两根表棒与电容器的两引脚相接时，表针先向顺时间方向偏转一个角度，此时称为电容器的充电，当充电到一定程度时，电容器又开始放电，此时万用电表的指针便返回到∞位置。在测量过程中，表针摆动的角度越大，说明所检测的电容器容量越大。表针返回后越接近∞处，说明所检测的电容器漏电越小，即所检测的电容器的质量越高。

测量电解电容器时，由于其引脚有正、负极之分，应将红表棒接电容器的负极，黑表棒接电容器的正极，这样测量出来的漏电电阻才是正确的。反接时一般漏电电阻要比正接时小，利用这一点，还可判断出无极性标志的电解电容器的极性。如果电容器的容量太小，如在4700P以下，就只能检查它是否漏电或击穿，如果在测量中，表针摆动一下回不到∞处，而是停留在0～∞处的中间某一位置上，说明该电容器漏电严重。在万用电表与被测小电容器之间加装一只N PN型硅三极管，要求其β值大于100，集电极-发射极之间的耐压应大于25V, IC EO越小越好。被测电容器接到A、B两端。由于三极管VT的电流放大作用，较小容量的电容器也能引起表针较大幅度的摆动，然后返回到∞位置，如不能返回到∞处的，则可估测出漏电电阻。

对于可变电容器、拉线电容器，亦可用万用电表检测出它们有否碰片或漏电、短路等。

(3）电感器

电感器是一种非线性元件，可以储存磁能。由于通过电感的电流值不能突变，所以，电感对直流电流短路，对突变的电流呈高阻态。电感器在电路中的基本用途有：扼流、交流负载、振荡、陷波、调谐、补偿、偏转等。利用万用电表对其进行检测时，即只能判断出它的直流电阻值，如果已经标明了数值的电感器，只要其直流电阻值大致符合，即可视为合格。

(4）晶体二极管

晶体二极管是一种非线性器件，它的正、反两个方向的电阻值相差悬殊，这就是二极管的单向导电性。在电路中，利用这一特性，可以作整流、检波、箝位、限幅、阻尼、隔离等。

用万用电表测量二极管时，可选用欧姆档R×1kΩ。由于二极管具有单向导电性，它的正、反向电阻是不相等的，两者阻值相差越大越好。对于常用的小功率二极管，反向电阻应比正向电阻大数百倍以上。用红表棒接二极管的正极，黑表棒接它的负极，测得的是反向电阻。反之，红表棒接二极管的负极，黑表棒接它的正极，测得的是正向电阻。二极管的正向电阻一般在100Ω～1kΩ左右;硅二极管的正向电阻一般在几百欧至几千欧。如果测得它的正、反向电阻都是无穷大，说明该二极管内部已开路;如果它的正、反向电阻均为0，说明二极管内部已短路;如果它的正、反向电阻相差无几，说明二极管的性能变差失效。出现以上三种情况的二极管均不能使用。

(5）晶体三极管

三极管是电子装置中的重要元件，它的质量优劣直接关系到系统工作的可靠性和稳定性，因此，它是最需要进行老化筛选的器件之一。已知一个三极管的型号和管脚排列，可采用如下简易测试法来判断它的性能。应该注意的是：对一般小功率低压三极管，不宜采用R×10kΩ档进行测试，以免表内的高电压损坏三极管。

可用万用表检查三极管的穿透电流大小。测量时注意PN P型和N PN型晶体管的接法。万用表的量程一般选用R×100或R×1kΩ档，要求测得的电阻值越大越好，对于中功率的锗管，此值应大于数千欧;对于硅管，此值应大于数百千欧。如果所测得的数值过小，说明管子的穿透电流大，管子的性能不好。如果测量时万用电表的表针摇摆不定，说明管子的稳定性很差。如果测得的阻值接近于零，说明管子内部已击穿短路，不能使用。

在检查三极管的放大性能β值时，可以采用估测法。如果被测管是N PN型，可按此方法测试，如果被测管是PN P则按虚线方式连接。测量时表针应向右偏转，其偏转角度越大，说明管子的放大倍数β越大。如果加上电阻R之后表针变化的角度不大或根本不变，则说明管子的放大作用很差或已经损坏。其R的阻值可在51～100kΩ范围内选取。也可能利用人手的电阻，用手捏住管子的c-b两极，但不要使它们短路，以手的皮肤电阻代替R。

对于结型场效应管，已知型号与管脚，如果用万用表测G(栅极)和S(源极)之间，G与D(漏极)之间没有PN结电阻，说明该管子已坏。用万用表的R×1kΩ档，表棒分别接在场效应管的S极和D极上，然后用手碰触管子的G极，若表针不动，说明管子不好;若表针有较大幅度的摆动，说明管子可用。

以上所述的管子测量方法虽是粗略的，但一般都切实可行，如欲进行更严格的测量筛选，则宜使用专门的测试仪器。

(6）集成电路

集成电路的门类、品种很多，在业余条件下，电子爱好者似乎没有特别的测试方法，采用万用表进行测量时，只能对照已知的集成块引脚数据，用测得的数据与已知的数据进行对比，从而判断出被测集成块的好坏。也可以搭一个简单的试验电路，将集成块插入电路中进行试验，如能完成某些功能或符合某种逻辑关系便可用。如对音乐集成电路进行测试，可先制作一个简易电路，留出音乐集成电路的插脚(或用夹子)，将音乐集成电路置于电路中，如果发声正常则可使用，否则不可使用。如果有时间也乐于动手的话，不妨自制一些常用的集成电路的简易试验仪器，可方便日后的电子电路制作。

(7）其他电子元器件

常用的各种开关、接插件、发光二极管、扬声器、耳机等，主要用万用表检测它们的通断情况。对于发光二极管和扬声器、耳机，也可用电池组来试验其发光或发声程序，以此来判断其优劣。

3.电子器件 篇三

关键词：电子器件；散热片；换热特性；数值模拟

随着电子技术的发展，中央处理器（CPU）与显卡等关键电子器件的性能不断提高，其中CPU的频率与集成度大幅提高，体积却越来越小，在长时间工作过程中会不可避免的出现高热流密度问题[1]。由于显卡核心工作频率与显存工作频率的不断攀升，显卡芯片的发热量也在迅速提升，显示芯片的晶体管数量已经达到，甚至超过了CPU内的数量，如此高的集成度必然带来了发热量的增加。散热不好将会导致系统工作不稳定，甚至造成电子设备的损坏[2]。因此，高热流密度电子器件的散热器得到了广泛关注[3～8]，制定高效实用的冷却方案能够确保电子器件工作稳定，提高其安全可靠性。

目前，CPU和高性能显卡等高热流密度电子器件的主要散热方式为风冷散热，风冷散热器由散热片和风扇组成，散热片和电子设备直接接触将热量引出，风扇强制空气流动将散热片上的热量带走。在散热器体积一定的前提下，风扇提供的风速和散热片的型式决定着散热效果。由于当前大部分散热器的研究是基于等截面直散热片，而关于变截面散热片的研究相对不多，因此本文采用不同截面形状的散热片模型在不同的风速下进行数值模拟，对比各模型的计算结果，分析不同形状的散热片在不同风速下其底面芯片最高温度、换热系数及压损的变化规律，得到散热效果最为理想的散热片形状，为当前电子设备的散热研究提供参考。

1 散热片模型与计算模型

1.1 散热片模型几何尺寸

选取三种形状的散热片模型，如图1所示，分别为矩形截面的散热片模型1、收缩式散热片模型2和扩散式散热片模型3。各散热片的几何尺寸如表1所示。

1.2 计算模型及边界条件

为简化计算并保证计算精度，将图1（a）（b）（c）三种计算模型复杂的传热过程做如下假设：

（1）流体区域内流动的物质为空气，其物性参数为常数；

（2）空气做强制流动，流动是三维定常层流；

（3）散热片的传热方式为对流换热，忽略热辐射；

（4）假设出口局部单向化。

通过合理的简化与假设[9]，计算模型为下列控制方程组

连续性方程

■=0

动量守恒方程

■（ρuiuk）=■μ■—■

能量守恒方程

■（ρuiT）=■■■

控制方程组的求解方法采用求解压力耦合方程的半隐方法，即SIMPLE算法[10]。计算模型的边界条件为：进口边界给定流体的进口平均风速，取等温边界条件；模型底面为等热流密度；流固耦合面上的边界条件按壁面函数法设置确定。

2 计算结果及分析

将GIMBIT绘制的三种模型（如图1所示）导入FLUENT软件进行数值模拟，设置模型两个侧壁温度为313 K，速度取变量，温度293 K，底面发热面芯片的功率为60 W，对流换热温度333 K。对三种模型分别在入口风速为1 m/s、2 m/s、3 m/s、4 m/s、5 m/s及6 m/s的工况下进行计算，得出三种模型的底面芯片最高温度、传热系数以及压降在不同风速下的变化关系。

由图2可知风速与底面芯片最高温度的变化关系，三种散热模型随着风速的提高，散热器的底面芯片最高温度均有降低，风速越高温度越低，散热效果越好。风速在1～3 m/s，模型2与模型1的底面芯片最高温度基本相同，模型3的底面最高温度一直高于模型1和模型2。当风速达到3 m/s时，模型1和模型2的底面温度约为321 K，均好于模型3的散热效果。当风速在3～6 m/s，模型2的底面温度明显低于模型1、3的温度，当风速达到6 m/s时，模型2的底面温度在317 K左右，是三种模型底面芯片最高温度中最低的，而模型3的底面温度最高，接近321 K。

图3为传热系数与风速的关系曲线，随着风速的增加，三种模型的对流换热系数均有增大，当风速在1～3 m/s，模型2的传热系数比模型1高2%左右，相差不大，而模型3的传热系数明显小于模型1和模型2。当风速接近3 m/s并增加至6 m/s的过程中，模型2的传热系数大于模型1，模型3的传热系数虽然继续增大但是明显小于模型1与模型2，当差值最大时，模型2比模型1的传热系数高 11%左右，模型2较模型3高46%左右。因此，结合图1可得出在相同风速下模型2 的换热效果好于模型1和模型3，模型3的换热效果最差。虽然随着风速增加，传热系数增大，但是从图中可以得出，风速由1 m/s至3 m/s的过程中，三种模型的传热系数提高幅度很大，当风速约为4 m/s时，传热系数的提高幅度逐渐减小。按照风速总的变化范围进行比较，模型2的传热系数高于模型1和模型3。

图4为压降与风速的关系曲线，当风速为1～3 m/s左右时，模型1与模型2的压降均随风速的增加而增大，且没有明显差别，模型3的压降明显大于模型1与模型2。风速接近3 m/s并增加至6 m/s的过程中，模型1与模型2的压降继续增大，模型2的压降逐渐小于模型1的压降。而模型3的压降在风速1～6 m/s的区间内，呈近似线性关系。通过对图4的分析可知，模型2的压降最小，模型3的压降及压降增幅最大。

综合图2、图3和图4可知三种模型的底面芯片最高温度随着风速的增大而下降，传热系数随风速的增加而增大，但变化幅度逐渐减小，这与实验结果基本保持一致。原因是三种模型随着风速增加而压降也在增大，即流动阻力增大，这部分能量又以热量的形式被散热片吸收，使得传热系数的增大幅度减小，导致底面芯片最高温度的下降幅度减小。另一方面是由于风速的增加对热边界层厚度的削弱作用也是有限的。

nlc202309010103

虽然提高风速可以提高传热系数，降低底面芯片最高温度，但是风速增加会导致风扇消耗泵功的增加，同时压降随着风速的增加而增大，而CPU风扇不能承受过大的压降，因此散热片的选取，应满足具有良好的换热效果、压降相对较小的条件。通过对计算结果的分析，可以得出在三种模型中满足条件的是模型2，即由底面沿高度方向截面呈收缩式的散热片。本文对

于三种模型的传热特性分析是基于数值计算结果得出的，与实验[3]相比，由于实验设备和相关实验环境等因素的影响，计算结果与实验数据存在一定的误差，但是通过合理的简化计算模型及合理选取边界条件，保证了计算精度，使数值模拟出的结果与相应实验结果能够保持基本一致。

3 结束语

三种散热片的换热效果均随着风速的增加而增强，随着风速进一步增加，换热效果继续增强，但是增强程度下降，结合压降随着风速的增加而增大的规律，不应为更好的换热效果过度提高风速而忽略压损的影响。在相同加热功率不同风速下，比较三种模型的底面芯片最高温度、传热系数和压降的变化，可知收缩式散热片，即模型2的换热效果最好且压降最小，优于模型1和模型3。因此，采用收缩式散热片可以为高热流密度的电子设备冷却方案的设计和改进提供参考。

参考文献

[1] 李焱，张永恒.CPU散热器换热特性的数值研究[J].制冷与空凋，2007，2l（4）：98—100.

[2] 张兆光.电子设备冷却设计手册[M].电子工业部第十四研究所，1983，149—162.

[3] 陆正裕，熊建银，屈治国，李惠珍，何雅玲，陶文铨.CPU散热器换热特性的实验研究[J].工程热物理学报，2004，25（5）：861—863.

[4] Cohen A Bar，Bahadur R，lyengar M.Least—energy Optimization of Air—cooled Heat Sinks for Sustainability theory[J].Geometry and Material Selection，Energy，2006，（31）：579—619.

[5] 余鹏，孙晓伟，曾艳，黄淑娟.垂直均匀射流下CPU散热器换热性能的数值分析[J].工程热物理学报，2003，24（3）：415—418.

[6] 李小跃，唐连伟，何雅玲，屈治国.两种CPU散热器换热特性的数值研究[J].制冷与空调，2006，（1）：8—12.

[7] 李斌，陶文铨，何雅玲.电子器件空气强制对流冷却研究[J].西安交通大学学报。2006，40（11）：1241—1245.

[8] 耿德军，胡艳. CPU散热片结构设计[J]. 沈阳理工大学学报，2011，30（1）：82—85.

[9] 杨世铭，陶文铨.传热学（第三版）[M].高等教育出版社，1998.

[10] 陶文铨.数值传热学（2版）[M].西安：西安交通大学出版社，2001.

作者简介

范 伟（1982—），男，助教，主要研究方向：强化换热及数值计算、电厂热力系统的节能理论与监测诊断研究。

4.电子商务电子简历 篇四

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工作经验(工作了4个月，做了1份工作)

卡啰伊化妆品商贸有限公司

工作时间：9月 至 1月[4个月]

职位名称：淘宝后台

工作内容：本人在该公司的工作范围：活动注意事项(例如天天特价)活动宝贝属性跟活动前准备。

教育经历

206月毕业 广东省电子信息技工学校 电子商务

自我描述

本人性格沉稳、乐观向上、较强的学习能力跟适应能力，我具备较强的逻辑思维和判断能力，对事情认真负责，有很强的责任心和团队意识：具备较强的组织协调能力，为人坦诚、自信、处事冷静，人际关系良好，具有一定的创新意识和创造能力。

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5.电子竞赛总结(电子系) 篇五

全国大学生电子设计竞赛是教育部和前电子工业部于1994年共同倡导主办的面向大学生的群众性科技活动，目的在于推动普通高等学校的信息电子类学科面向21世纪的教学内容和课程体系改革，尤其突出实践教学体系与内容的改革和实验室建设。该项竞赛既重视第一课堂的教学改革，也重视课外第二课堂的教学改革；既重视学生智力的提高，也重视学生非智力素质的提高。引导高等学校教师在教学中培养大学生的创新意识、团结协作精神和理论联系实际的学风，加强学生工程实践能力的训练和培养，鼓励广大学生踊跃参加课外科技活动，推动高等学校形成良好的学习风气，从而有力地推动了高等工程教育教学改革，提高了人才培养质量，同时也为优秀人才脱颖而出创造条件。因此，这一活动得到了同学们的热烈响应，许多同学踊跃报名要求参赛。最终因名额所限，我们挑选了18位同学组成6支参赛队参赛。院、系两级领导对参加电子设计竞赛均给予了高度的重视，王院长百忙之中多次亲自到集训场地，给选手们鼓劲加油，点拔训练方法，解决训练中所遇到的困难，齐心协力，上下一心抓技能训练。经过努力我们两支参赛队分别荣获了河南赛区的二等奖和三等奖。

通过参加电子设计竞赛，我们也有很多的感受和新的认识，现总结回报如下： 一 建立科学合理的人员选择机制

电子设计竞赛对参赛学生的综合能力要求较高，不仅要有扎实的理论基础，知识的综合运用能力，具有创新意识，还要有硬件制作调试，熟练编写程序的技能。从比赛的过程看，从资料检索、方案论证、参数计算、器件选用、电路制作、程序编写、联合调试、指标测试到最后的论文撰写，其中任一环节的差错都可能导致无功而返。

另外还要注重团队的协作和人员特长的配合，在此次的参赛中我们就没有考虑到这些问题，参赛学生是随意组合，不能做到优势互补，致使一些组知识结构不足，不能完成设计。在以后的大赛准备和培养过程中，我们要注重人才的选拔和培养，合理组合参赛学生，具体应做到一下几点：（1）建立兴趣班，从一年级抓起。在大一的学生中开展大赛的宣传工作，让学生了解大赛的内容，激发学生的兴趣，根据兴趣分组培训，从最基础的仪器使用、器件选用、电路制作开始做起，让学生在制作过程中掌握仪器使用、器件选用、电路制作的方法。

（2）建立配套的实验实训实验室。电子制作大赛要求大学生具有创新意识、团结协作精神和理论联系实际的能力，同时应有工程实践的能力。理论知识和实践技能的结合是极为重要的一个环节，光有理论知识，不知道如何使用器件，不了解制作工艺的要求，不明白调试的方法，不清楚怎样进行指标性能的检测，那么再多的理论知识也只能是空中楼阁。因此，建立符合大赛要求的实验实训基地是必不可少的。

二 以大赛为平台，全面深化教学改革和课程改革

电子设计竞赛既有理论设计，又有实际制作。这就要求我们在课程设置和课程建设中应围绕学生需求合理安排教学活动。为使学生能掌握新的电子设计方法，了解新型器件的原理及应用，以适应技术发展和社会的需要。在课程设置上我们已经着手进行改革：进一步强化EDA的教学和嵌入式系统，增加《电子系统设计》、《可编程逻辑器件原理及应用》、《DSP原理及应用》等课程。但是，在实际的运行过程中仍有一下问题：

（1）理论知识不扎实。在应用过程中，我们发现学生的数电、模电薄弱，导致硬件设计基础不扎实。

（2）教师问题。我们没有具备丰富大赛经验和知识的教师，临时指定的教师实际制作经验不足，有的仅局限于书本知识和理论解释，缺乏强有力的教师团队。可能是不能取得优秀成绩的主要原因。

（3）实验设备不完备。课程改革虽然满足了大赛要求，但是，实验设施跟不上，不具有专业的大赛培训实训基地，大多实验设备是03年升本配置的，设备落后，而且老化，不满足应用型、创新型人才培养目标需要，更不能满足大赛需要。

三 知耻而后勇，继续前进

针对以上问题，我们将尽力解决，力争为大赛提供更好的环境，同时希望学校能考虑提供政策和财力支持。在全国大学生电子设计竞赛的休赛期间，组织电子制作兴趣小组，与大赛形成衔接，是我们正在着手做的事情。一方面可以通过活动提高学生的综合能力，培养他们的创新意识和刻苦钻研的精神，另一方面也可以发现和挖掘有潜力的人才，让他们有一个张扬个性，发挥特长的空间。

在本次竞赛活动中，我们能取得这样的成绩也与学校、教务处和学院对我们的大力支持和工作上的指导分不开的。我谨代表参赛学生和指导教师向学校、教务处和学院等有关部门和领导表示衷心的感谢。

最后，我代表电子工程系表达我们的意愿：对于电子设计竞赛这样一个有利于学生综合能力提高，有利于促进专业建设，有利于课程改革，也有利于教师自身水平提高的活动，我们仍会一如既往地积极参加，并愿意让这一活动带来的积极效果惠及更多的学生。

6.电子元器件销售合同 篇六

地址：

联系人：

电话：

传真：

乙方：

地址：

联系人：

电话：

传真：

甲、乙双方经友好协商，一致同意按以下合同条款执行：

一、产品名称、型号、数量、金额（港币）：

名称：

型号：

数量：

金额：

二、供货确认：

（1）乙方向甲方提供《采购明细表》并以此作为甲方供货的依据。要求《采购明细表》字迹清楚，并应详细列出采购产品的名称、规格、数量、价格、质量等要求。

（2）甲方收到乙签字盖章的《采购明细表》后，如无异议，应在24小时内，将由甲方代表签字盖章并注“同意”的该单传真至乙方，并即按该单之要求执行。双方签字盖章的《采购明细表》同样具有法律效力。

三、品质检验：

（1）甲方在将产品供给乙方前，需对产品按国家标准、行业标准或甲方确认的企业标准进行检验。每批供货产品应有甲方品质管理部门的`质检合格证，或质保书。乙方在接收货物后，由乙方品管部门在甲方所在地按上述检验方法进行复检。乙方复检结果是最后的品质裁决（执行标准有争议另议）。

（2）甲方按《采购明细表》提供的批次产品质量合格率应不小于98%。

（3）当发生批次产品不合格时，甲方收到乙方的“不合格报告”后，需重新组织生产该产品，以免耽误乙方的生产进度。

（4）甲方不得将乙方已退货的不合格产品混入下批供货之中，一经乙方发现有此类情况，甲方须接受乙方按该批产品总价的3倍以上的罚款（罚款金额从乙方向甲方支付的货款中抵扣）。

四、不合格品处理：

（1）乙方按标准接收的货物，其中的不合格品，甲方承担退换责任。

（2）乙方按标准检验定为不合格品的产品，又被乙方判为可特采、让步接收、挑选使用的该批产品，乙方将按其总价值的3.0—10.0%的幅度扣款，甲方应予承担。其中确认不可使用的货物，按上条执行。

（3）乙方不得将混有其他加工单位的不合格品退给甲方，如有此种行为，一经甲方鉴别出来有其他加工单位的退货件，乙方按该批产品总产价值的3倍赔偿甲方。

五、供量控制：

（1）甲方在没有征得乙方同意的情况下，不得以任何理由推迟交货期或减少供货数量。

（2）甲方在没有征得乙方同意的情况下，不得擅自加工多于计划安排的产品数量，以免甲、乙双方在执行合同的过程中，乙方提出临时更改时无法实施。

六、包装、运输：

包装应用标准包装，由乙方提供布袋、周转箱，费用由乙方负责，其它小件包装由甲方负责，乙方协助运输。

七、数量清点：

甲方将货物送至乙方后，由乙方仓管人员清点，甲方监点。如甲方不参与监点，则以乙方清点数为准。不足数量由甲方补齐。乙方到甲方提货时，乙方提货人员在甲方处负责清点大包装数量，具体数量由乙方在入库时清点，如有误差，乙方应于当日通知甲方，甲方必须在通知到达两日内，派人员到乙方处核对，否则以乙方清点实际数目为准。

八、协助支持：

乙方在生产中造成的甲方所供产品的损坏件，需请甲方协助返工，其返工费用（另定）由乙方承担。

九、质量追诉期：_______年。

十、双方每月______日对账一次，以保持账目一致。

十一、付款方式：月结______天。

十二、合同纠纷：协议解决或按国家有关法律部门裁决。

十三、本合同一式_______份，自签订之日起生效。

甲方：

________年_______月_____日

乙方：

7.电子器件 篇七

关键词：封装工艺,电气互联,高频焊接

当前信息时代, 人们在应用电子元件对设备进行控制时不再只是简单的将之组装在一起对设备进行控制。而是通过与机械设备的传动控制设备连接在一起, 通过形成一个能够完成某项具体工作的控制系统的方式实现对应的连接和操作。这时, 各个电子器件之间的电气连接成为了影响电子设备高可靠性工作的重要因素。作为一项涉及知识面广、综合性强、技术性能高的核心技术, 其在生产过程中得到了广泛的应用。与此同时, 为了保证电子器件能够长时间稳定工作, 对连接之后的电子器件进行气密封装也尤为重要。因此, 完美互联之后的气密封装是保证规模化电气器件设备稳定工作的根本。

1 电子器件间互联技术的基本内容与作用

1.1 电子器件间互联技术的基本内容

电子器件的互联技术主要包括互联材料、元器件、互联工艺、联接方式以及互联系统等几部分构成, 其中各项技术为电子器件之间的可靠联接提供了丰富的技术保障。例如, 电气器件中的插装、贴装元件;元件基板、印刷电路板等。如何将电气器件合理的装设在母板之上就需要对应的互联技术、互联工艺等。同时, 如元器件里有插装和贴装元件;基板分为元件基板和印刷电路板、互联母板等, 如何把元器件装到基板上, 就需要利用相对应的互联技术, 将之安装、焊接在电路板上。在联接的过程中, 还需要考虑环境温度、机械强度以及加工工艺等相关因素。

1.2 电子器件互联技术的作用

1) 电子器件的互联技术使得元器件朝着精细化方向发展

随着电子器件制造工艺以及互联工艺技术的不断发展, 使得电子元器件可以插装于线路板上, 从而改变了传统的将微型器件直接粘贴于基板表面的方式。同时, 基板还可以是双面、多层电路, 使得电子元件朝着小型化、集成化、高性能化的方向发展。例如, 使用的铝电解电容、钽电容改片式之后, 元件的性能参数、精密程度都得到了明显提升。同时, 通过电子器件互联技术, 有效的减少了分立元件的安装, 使得虚焊、脱焊等故障问题明显减少, 提高了元器件的使用寿命和使用性能。

2) 电子器件互联技术有效提高了制造业水平

随着高集成微型电子器件的大量使用, 超薄型智能计算机、LED液晶面板以及制造业中的机电设备等都得到了迅速的应用。其内部采用的精密互联技术使得电子器件的制造工艺更加高速、精密。尤其是在当前电子设备组装化、集成化、IC成扁平化、引脚阵列化以及芯片叠层化的发展, 使得对应的制造业水平得到了明显提高。

2 电子器件互联组装工艺系统 (SMT)

在电子器件的互联组装过程中, 采用的工艺系统主要包括全表面组装、表面组装以及插装混合组装等三种形式。其通过整合光、机、电技术, 形成了一个可以与计算机控制技术相互配合的综合体系。随着组装技术自动化程度的不断提高、精度不断提高, 电气器件的互联组装成本也对应得到提高。且对设备的使用环境提出了更高的要求, 其维护与使用成本增加等缺点也不断暴露出来。因此, 在电子器件的设备过程中, 要对各项因素进行综合考虑, 选择一个合理的元件进行匹配, 同时对参与工艺设计、制造等工作的人员提出了更高的要求。

在生产的过程中, 可以将SMT组装系统氛围单面、双面组装两种形式。通常使用的双面组装系统的各条单面SMA组装系统还可以用于双面SMA组装工艺, 在配备焊膏自动印刷机、自动点胶机等设备之后能够满足不同工艺需求的电子器件组装工作。在计算机构成的控制系统控制之下, 对数据进行检测, 通过反馈调节的方式对伺服控制系统进行及时矫正, 使得整个系统实现自动化。

3 提高电子器件封装工艺水平的相关技术

3.1 陶瓷尺寸精度、平整度控制

对于外壳为陶瓷的互联电子器件, 其采用的陶瓷封装外壳通常是由多种不同材料的零件装配、组合以及焊接而成的。因此, 在封装过程中对零件的尺寸公差等严格控制, 通常其误差要求控制在“微米级”之内。在采用将陶瓷外壳与金属零件焊接而成的方式时, 陶瓷自身的尺寸精度以及平整度等都对焊接质量以及焊接之后的气密性有直接影响。由于陶瓷外壳的质量对设备的电子元器件的可靠性有直接影响, 因此其加工过程中对外壳的工艺提出了严格的要求。

根据本人在校企合作中长期的生产实践, 对影响陶瓷烧结收缩尺寸精度的因素进行总结, 主要包括如下几个方面:

通常而言, 普通陶瓷在正常烧结时发生的尺寸收缩率在±1%左右, 而这么高的尺寸误差难以满足设备的后期使用要求。在烧结过程中, 由于使用了推板式的烧结炉进行陶瓷烧结, 烧结温度会随着进炉量的不同而略有波动, 所以在烧结过程中对烧结温度、配热等进行控制是控制烧结收缩率的一个关键工艺技术。在调节过程中, 可以采用配热瓷对产品进炉后的温度进行微小调节, 同时应该对进炉数量进行严格控制, 以对烧结收缩率进行良好控制。通常而言, 通过适当的调节和控制, 调节精度可以达到±0.2mm, 能够满足后期对陶瓷的尺寸要求。

对自由收缩的陶瓷层而言, 由于其内部不会产生应力, 只会出现致密化收缩现象。但是当采用双层共烧技术时, 任何一层的变形都会由于发生受约束变形而导致内部应力的产生。在该内部应力的作用下, 采用叠层复合材料制成的封装材料必然会通过发送开裂、弯曲等方式来释放内部应力, 对封装结构造成破坏。

3.2 金属化强度

对于高可靠性要求的陶瓷金属外壳, 要求陶瓷与金属器件之间具有较高的结合强度, 通过提高其密封强度、气密性强度的方式来提高元器件的封装可靠性。而金属化强度将直接影响到电子元器件的封装与气密性。因此, 作为影响电子元器件封装失效性的主要因素, 根据封装强度的大小来确定金属化强度是否达到要求显得尤为必要。

部分学者在研究的过程中, 认为影响金属化强度的重要因素——金属化粘结激励是存在于玻璃相的迁移, 而不是化学反应。而所谓的玻璃相迁移, 其本质是一种毛细流动, 在迁移过程中以液态玻璃相的表面张力作为动力。为了使得氧化铝陶瓷中的毛细管能够通过玻璃相迁移进入到金属化层毛细管中, 并且形成稳固的金属化层, 则必须确保金属化层的毛细引力大于毛细引力。

与此同时, 通过对金属化浆料中的溶剂成分进行控制, 通过添加适当的添加剂可以达到是陶瓷与金属良好结合、浸润的目的, 从保证其在烧结之前就可以与生瓷通过相互渗透形成对应稳定的结合面。由于该界面只存在于陶瓷与金属化的结合处, 而没有逐步向陶瓷体内部的纵深方向发展, 所以对上、下层之间的绝缘电阻没有影响, 只是对烧结过程中结合的强度有所提高, 从而提高了电子元器件的密封强度。通过以上工艺操作, 使得封装之后的元器件金属化强度达到1.086 kg, 基本能够满足对应的强度要求。

3.3 平行封焊技术的应用

在金属元器件的焊接过程中, 高质量的封焊技术是电子元器件得以焊接良好的根本。当前, 平行封焊技术是电子元器件封装过程中广泛采用的一种焊接技术。在焊接的过程中, 实际上就是将电能转化为热能的过程。在焊接过程中通过控制电源的能量释放, 将热量均匀的释放于封装盖板、基座的边缘, 将两者熔接于一处。当前, 平行焊接技术广泛应用于光电器件、石英晶体以及集成电路的焊接中, 且封装的大部分器件为方形。图2是利用平行封焊焊接的电子元器件:

在焊接过程中, 主要通过对焊接温度、封焊压力、焊接电源等进行控制达到保证焊接质量的目的。

1) 降低焊接温度

由于电子器件对温度的波动较为敏感, 稍大的温度变化都将影响其工作性能。因此, 为了避免在焊接过程中由于焊接热量向封装的内部敏感器件、电路等传导, 影响内部电子器件的正常使用, 一般采用为材料增加镀层的方式来降低焊接材料的熔点, 减少热量的扩散。封焊过程中, 对于平行封焊一般是采用镀镍、镀金或者是镍合金, 将之均匀的。例如, 当电镀镍合金之后, 焊接熔点将降至880℃, 而电镀镍时, 焊接熔点为995℃。

2) 封焊压力的控制

封焊压力对焊接质量的控制有重要影响, 当封焊压力过大时, 焊接面之间的接触电阻将减小, 接触面之间消耗的热量越多;当焊接压力较小时, 焊接面间的接触电阻降低, 所消耗的热量自然也降低。所以, 为了保证能量得以稳定的传输, 确保其最佳的封焊效果, 则必须保证焊接过程中电极的稳定焊接压力, 从而确保接触电阻值恒定, 封焊质量最佳。通常而言, 在焊接过程中压力控制系统一般采用闭环控制系统, 系统通过实时监控气缸入口的压力反馈值来调整监控压力, 使得输出的压力处于一个合理范围内稳定变化。

3) 焊接电源的选择

当前最先进的电子器件焊接电源为高频逆变电源, 其具有实时反馈、动态响应快扥特点, 对能量脉冲可以实现精确控制。在平行封焊过程中, 可以采用美国Miyachi Unitek生产的HF25焊接电源, 能达到焊接点致密、精度高的焊接质量。图3为封焊电源能量输出图。

4 结论

电子元器件间的联接和封装是电子元器件生产制造的关键环节, 在生产过程中应该对影响两者制造质量的工艺技术进行分析, 并通过实时控制的方式提高联接、封装质量。

参考文献

[1]张锡忠.浅谈电气互联技术[J].机电工程技术, 2012, 41 (3) :91-94.

[2]庞学满, 等.提高微波器件封装可靠性的工艺研究[J].固体电子学研究与进展, 2011, 31 (4) :383-386.

[3]宋慧芳.微电子器件封装铜线键合可行性分析[J].电子与封装, 2012, 12 (2) :12-14.

8.电子元器件：行业温和复苏 篇八

5月份全球半导体销售额不断好转，日本转为正增长。2012年5月份全球半导体销售额为244亿美元，同比下降3.36%，环比上升1.35%。从区域来看，亚太地区的月销售额依然维持较高的环比增长率，亚太地区月销售额环比增长3.06%；日本区域的月销售情况同比增长率出现正增长，同比增长率达到0.43%，环比增长率为0.75%。

《关于印发半导体照明科技发展“十二五”专项规划的通知》。2012年7月11日，科技部网站发布了《关于印发半导体照明科技发展“十二五”专项规划的通知》。《通知》中明确提出到2015年，半导体照明产业规模达到5000亿元。近期LED行业政策利好不断，部委和各地政府不断出台支持行业发展政策。目前LED行业还是面临着成本难以下降，产品单价过高的难题。受制于单价远高于荧光灯，万亿级的照明领域的大规模启动还没有到来。但可以预计未来LED行业的成本难题一旦解决，LED行业将进入快速增长期。

9.电子元器件失效性分析 篇九

赵春平

公安部第一研究所

摘要：

警用装备作为国内特种装备制造业之一，其可靠性、精确性要求非一般企业及产品所能满足，因其关系到现场使用者及人民的生命财产安全，故设备选材更是严之又严。电子元器件作为警用电子系统的基础及核心部件，它的失效及潜在缺陷都将对装备的可靠性产生重要影响；电子器件失效分析的目的是通过确定失效模式和失效机理，提出对策、采取措施，防止问题出现，失效分析对于查明元器件的失效原因并及时向设计者反馈信息是必须的。随着警用装备制造水平的不断进步，元器件的可靠性问题越来越受到重视，设备研制单位和器件生产厂家对失效分析技术及工程实践经验的需求也越来越迫切。关键词：警用装备、可靠性、失效模式、失效机理。

一、失效分析的基本内容，定义和意义

1．1 失效分析的基本内容

电子元器件失效分析的目的是借助各种测试分析技术和分析程序认定器件的失效现象，判断其失效模式和机理，从而确定失效原因，对后续设计提出建议，在生产过程中改进生产工艺，器件使用者在系统设计时改进电路设计，并对整机提出相应测试要求、完成测试。因此，失效分析对元器件的研制速度、整机的可靠性有着重要意义。

1.2

失效的分类

在实际使用中，可以根据需要对失效做适当分类：按模式分为：开路、短路、无功能、特性退化、重测合格；按原因分为：误用失效、本质失效、早起失效、偶然失效、耗损失效、自然失效；按程度分为：完全失效、局部失效、按时间分为：突然失效、渐变失效、退化失效；按外部表现分为：明显失效、隐蔽失效等。

二、失效的机理、模式

2.1失效的机理

由于电子器件的失效主要来自于产品制造、实验、运输、存储、使用等一系列过程中发生的情况，与材料、设计、制造、使用密切相关。且电子元器件种类繁多，故失效机理也很多，失效机理是器件失效的实质原因，在此说明器件是如何失效，相当于器件失效的物理和化学过程，从而表现出来性能、性质（如腐蚀、疲劳、过应力等）。元器件主要失效机理有： 2.1.1过应力（EOS）：

指元器件承受的电流、电压应力或功率超过了其允许的最大范围。2.1.2静电损伤（ESD）

指电子器件在加工生产、组装、贮存、运输中与可能带静电的容器、测试及操作人员接触，所带经典经过器件引脚放电到地面，使器件收到损伤或失效。2.1.3闩锁效应（Latch-Up）: MOS电路中由于寄生PNPN晶体管存在而呈现低阻状态，这种低阻状态在触发条件去除或者终止后任然会存在。2.1.4电迁移（EM）: 当器件工作时，金属互联线内有一定电流通过，金属离子会沿着导体产生质量的运输，其结果会使导体的某些部位出现空洞或晶须。2.1.5热载流子效应（HC）: 热载流子是指能量比费米能级大几个KT以上的载流子。这些载流子与晶格不处于热平衡状态，当其能量达到或者超过SI-SIO2界面势垒时（对电子注入为3.2eV,对空穴注入为4.5eV）便会注入到氧化层中，产生界面态，氧化层陷阱或被陷阱所俘获，是氧化层电荷增加或波动不稳，这就是热载流子效应。2.1.6栅氧击穿：

在MOS器件及其电路中，栅氧化层缺陷会导致栅氧漏电，漏电增加到一定程度即构成击穿。

2.1.7与时间有关的介质击穿（TDDB）：

施加的电场低于栅氧的本证击穿强度，但经历一定的时间后仍然会击穿，这是由于施加应力过程中，氧化层内产生并聚集了缺陷的原因。2.1.8 由于金-吕之间的化学势不同，经长期使用或200度以上的高温存储后，会产生多种金属间化合物，如紫斑、白斑等。使铝层变薄、接触电阻增加，最后导致开路。300度高温下还会产生空洞，即可肯德尔效应，这种效应是高温下金向铝迅速扩散并形成化合物，在键合点四周出现环形空间，是铝膜部分或全部脱离，形成高祖或开路。2.1.9爆米花效应：

塑封元器件塑封料内的水汽在高温下受热膨胀，使塑封料与金属框架和芯片间发生分层反映，拉断键合丝，从而发生开路失效。

2.2失效模式

失效的模式指外在的表现形式和过程规律，通常指测试或观察到的失效现象、失效形式，如开路、短路、参数漂移、功能失效等。产品的失效依据其是否具有损伤的时间累积效应而被分为过应力失效和损耗性失效，所以与时间相关的失效模型定量地描述了产品随时间的损伤积累状况，在宏观上表现为性能或是参数随时间的退化。常用的失效模型有：

2.2.1 阿列尼乌兹模型：

列尼乌兹模型定量的给出化学反应速率与温度的关系，所以，如果一个产品的失效过程取决于这样的一个化学，列尼乌兹模型就给出了产品的寿命。2.2.2艾林模型：

艾林模型与列尼乌兹模型相比可以考虑温度以外的更多应力的影响，同时潜在的可以考虑这些不同类型应力之间的相互作用。

三、失效分析技术

失效分析技术是失效分析使用的手段和方法，主要包括六大方面：失效定位技术、样品制备技术；显微分析技术；应力验证技术；电子分析技术；成分分析技术。

3.1失效定位技术： 失效定位技术的主要目的是确定检测目标的失效部位，随着现代集成电路及电子器件的复杂化，失效定位技术就显得尤为重要。失效定位技术有多种方法，其中无需开封即可进行的无损检测有X-RAY,SAM等。X-RAY可用于观察元器件及多层印刷电路板的内部结构，内引线的是否开路或短路，粘接缺陷，焊点缺陷，封装裂纹，空洞、桥连、立碑及器件漏装等缺陷。这也是人工焊接操作时容易反生的问题，经过这几年在线上的学习和工作，对此类缺陷了如于心，这也从根本上排除了由于人工操作引起的失效。SAM则可观察到内部裂纹，分层缺陷，空洞，气泡，空隙等，若X-RAY，SAM不能检测到失效部位，则需要对元器件进行开封，而后用其他方法定位。例如显微检查。

3.2样品制备技术

未解决大部分失效分析，都需要采用解剖分析技术，即对样品的剖层分析，阴气不对观察和测试部分存在破坏。样品的制备步骤一般包括：开发封装、去钝化层，对于多层结构芯片来说，还要去除层间介质。打开封装可以使用机械和化学两种方法，去钝化层可使用化学腐蚀或等离子腐蚀。

3.3显微分析技术

失效原因的分析，失效机理的确定及前文提到的失效定位都要用到现为分析技术。现为分析技术一般采用各种显微镜，且它们个具有优缺点，如景深大成像立体感强的体式显微镜；平面成像效果好的金相显微镜；放大倍数高的SEM；制样要求高可观察到晶格结构的TEM；成像精度不高但操作方便的红外显微镜；成像精度较高的光辐射显微镜等，要根据实际情况进行设备和方法的选择。

3.4应力验证技术

电子器件在不同环境中可靠性存在差异，如不同温度、湿度下产生的应力，不通电流、电压下产生的电应力等，都会导致电子元器件性能的变化，或失效。因此，可以模拟各种环境参数，来验证元器件各种应力下的可靠性。

3.5电子分析技术

利用电子进行失效分析的方法很多，如EBT,EPMA,SEM,TEM,AES等。

3.6成分分析技术

需要确定元器件中某一部分的成分即需要用到成分分析技术，以判断是否存在污染，或组份是否正确，而影响了元器件的性能。常用设备有EDS,EDAX,AES,SIMS等。

四、失效分析的应用

以上是失效分析的概念问题，下面讲讲失效分析的实际应用： 例如一个EPROM在使用后不能读写的分析 1）先不要相信使用者的话，进行一系列复判。

2）快速失效分析：失效定位分析，查找电源端开始测试，首先做待机电流测试，电源对地的待机电流下降；制备分析，进行开封测试。开封发现电源线中间断（中间散热慢，两端散热快），因为断开，相当于并联电阻少了一个电阻，电流减小。3）分析原因：闩锁效应 应力大于产品本身强度。

4）责任：确定失效责任方：进行模拟实验，测闩锁的能力，看触发的电流值，越大越好，至少要大于datasheet或近似良品的值在标准范围内的。接下来检测维持电压（第二拐点电压），若大于标准指，则很难回到原值。若多片良品检测没问题，说明是使用者使用不当导致。

5）改善建议：改善供电措施，加电路保护措施。4.1常见电子器件失效分析方法及改正措施 4.1.1电阻器：

电阻器最容易失效于阻值增大；开路 原因：受潮，发生电腐蚀，过电应力。4.1.2 电容器：

电解电容用于电源滤波，一旦短路后果很严重特点是容值大寿命短，如果漏液则导致电容减少，大点路烧坏电极造成短路放电；电源犯戒会产生强大电流烧坏电极；阴极氧化使绝缘膜增厚，导致电容下降；长期放置不通电，阳极氧化膜不断脱落不能及时修补，漏电电流增大，可加直流电使之修复。4.1.3 继电器：

触点飞弧放电粘结

原因：键结合点外围回路有线圈，线圈产生大的电动势时，且当键间有水气，会发生触点飞弧放电，造成粘结。4.1.4 电路板：离子迁移

当线间有水分和杂质，通电后使离子通电，短路。

五、失效分析在警用设备中应用的重要性

作为保障警用设备可靠性、保证警用设备正常工作，防止设备失效而对社会和人身造成伤害，每一个设备生产工程师都应具备一定素质。而设备可靠性基本也可以归结为元器件失效，换句话说产品出去，在客户那里使用不良，很大程度是元器件失效引起的，所以失效分析的精华就是元器件失效分析，但是元器件失效，除了元器件本身可靠性，还有设计、工艺、人工、环境应力等因素，或者综合因素，至于元器件本身问题，按照供应链管理的思路，追述到供应商，同样可以归结为原材料的设计、工艺、人工、环境引起，所以，可靠性工程师必定要求对元器件的设计选用，测试，生产工艺熟悉，我个人角度，认为，可以多与供应商沟通，对于不了解的元器件可以抽出时间去现场考察学习。更重要的，失效性分析离不开我们每个人的工作。

实事求是，数据真实可靠，是一切研究的根本。

参考文献

1、王开建、李国良等，电子器件失效分析【J】.半导体学报，2006，27（1）:295-298

10.常用电子元器件的识别 篇十

1、熟悉常用电子元器件的外形、符号、主要特性及参数 2、熟悉二极管、晶体管的作用，了解其特性曲线 3、会用万用表检测二极管的质量和管脚的极性 4、会用万用表判别晶体管的管型、管脚及质量好坏 教学内容：

任务一 识别与检测二极管 任务二 识别与检测晶体管 任务三 课题实施训练 任务一识别与检测二极管

教学目标：1、通过学习使学生掌握二极管的结构、特性与符号 2、掌握二极管的识别与检测方法 3、了解不同类型二极管的外形及特性 教学重点：1、二极管的结构与特性 2、二极管的识别与检测方法 教学难点：二极管的单向导电性

教学方法：讲授法、演示法、实验法相结合

教学用具：各种类型的二极管若干、MF47型万用表一台 教学时数：2学时 教学设计：

第一学时

新课讲解： 一、半导体

1、定义：一种物质其导电能力随着外界条件(温度、压力、外加电压或电流等)的变化而变化，我们把这种物质称为半导体。 2、类型：

(1) 按材料可分为：硅半导体 锗半导体

(2) 按带电粒子可分为：N型半导体 P型半导体 3、导电能力：

半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间 二、二极管

1、二极管的结构与电路符号(教师拿出二极管实物)

(1) 结构：二极管采用掺杂工艺，在一块半导体(硅或锗)的一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，在P型区和N型区地交界面上就形成了一个具有特殊电性能的薄层，称为PN结。给PN结加上封装，并引出两个电极(从P型区引出的是正极，N型区引出的是负极)，便构成了二极管。

(2) 电路符号：

下图所示为电路图形符号，箭头一边代表正极，另一边代表负极，而箭头所指的方向为二极管正向导通电流的方向。电路中用VD表示二极管。

VD

2、二极管的导电特性(搭建二极管实验电路，教师演示) 如图所示为二极管单向导电特性的实验电路：

(a)导通状态

(b)截止状态

实验表明：当二极管的正极电位高，负极电位低(正向偏置)是，指示灯亮;若二极管的正极电位低，负极电位高(反向偏置)时，指示灯不亮。所以可得到以下结论：二极管加正向电压(正向偏置)时导通，加反向电压(反向偏置)时截止，这一导电特性称为二极管的单向导电性。 3、二极管的伏安特性曲线

加在二极管两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为二极管的伏安特性曲线

(1) 死区(OA段)

当正向电压较小时，二极管呈现很大的电阻，正向电流几乎为零，通常把这个范围称为不导通区或死区。一般硅二极管死区电压约为0.5V，锗二极管死区电压约为0.2V。 (2)正向导通区(AB段)

当外加电压大于死区电压后，二极管呈现的`电阻很小，正向电流随电压增大而急剧增大，二极管正向导通，称为导通区。导通后，二极管两端的正向电压称为正向电压降(或管压降)，一般硅二极管的正向压降为0.7V，锗二极管的正向压降为0.3V。这个电压比较稳定，几乎不随流过的电流大小而变化。 (3) 反向特性

a. 反向截止区(OC段)

加反向电压时，二极管呈现的电阻很大，此时反向电流很小，称为反向截止区。而反向电流在很大范围内不随反向电压的变化而变化，故将这个电流称为反向饱和电流或者反向漏电流。 b. 反向击穿区(CD段)

当反向电压增大到某一个数值时，反向电流就会急剧增大，这种现象称为反向击穿。CD段称为反向击穿区，C点对应的电压称为反向击穿电压。 4、二极管的主要参数

(1) 最大整流电流 IF

二极管长时间工作时允许的最大直流电流。 (2) 最高反向工作电压URM

二极管正常使用时允许加的最高反向电压 (3) 反向饱和电流IS

未进入击穿区时的反向电流值。反向饱和电流越小，二极管的单向导电性越好。 5、特种二极管

(1) 稳压二极管 (2) 发光二极管 (3) 光敏二极管 小结：

二极管是半导体器件中最常用，应用的非常广泛的一类器件，其单向导电性是非常重要的，是需要学生掌握的知识。 作业布置：

课本100页思考与练习1-9小题。

第二学时 复习引入：

1、二极管的结构、符号

2、二极管的特性：单向导电性 新课讲解：

本节课我们一起来学习二极管的识别与检测方法 一、二极管的识别 1、肉眼识别法

对于大功率的二极管而言，在二极管的管体上都标有正负极可以直接识别;对于小功率的二极管，在实验室里，我们把有标记的一端作为二极管的负极，另外一端作为二极管的正极(教师演示，学生观察) 2、用万用表识别法

将万用表档位开关拨到R*100Ω档或者R*1KΩ档，将万用表的红黑表棒分别连接二极管的两个管脚，若测得的电阻很大，说明二极管截止，此时红表棒连接的是二极管的正极;若测得的电阻很小，说明二极管导通，此时红表棒连结的是二极管的负极。(教师演示，学生观察) 二、二极管的检测 1、二极管好坏的检测

将万用表档位开关拨到R*100Ω档或者R*1KΩ档，将万用表的红黑表棒分别连接二极管的两个管脚，再调换两个管脚进行测量，若两次测得二极管的电阻值相差很大，说明二极管是好的;若两次测量的阻值差不多，说明二极管损坏。阻值都很大说明二级管内部断路;阻值都很小，说明二极管内部短路。(教师演示，学生观察) 2、二极管极性的检测

与上述方法相同，正常二极管导通时的电阻约为几十欧姆，而截止时的电阻约为几百欧甚至上千欧姆。正反向电阻值相差很大。(教师演示，学生观察)

学生动手操作，测量几组二极管质量的好坏与极性的辨别，填写下表：

学生动手操作，完成上述表格 小结：

本节课主要介绍了二极管的质量判别与检测，这也是本课题一个重要的知识点之一，学生实际动手操作可增强学生对本节内容的掌握。 作业：

继续完成对二极管的检测。

任务二识别与检测晶体管

教学目标：1、掌握晶体管的结构、种类与符号 2、掌握晶体管的电流电流放大作用 3、了解晶体管的输入、输出特性 4、了解晶体管的主要参数

5、掌握晶体管的识别与检测方法 教学重、难点：1、晶体管的电流放大作用 2、晶体管的输入、输出特性 3、晶体管的识别与检测方法 教学方法：讲授法、演示法、实验法

教学用具：不同类型的晶体管若干、万用表一只、直流稳压电源 教学时数：2学时 教学设计： 第一学时 复习引入：

前面我们学习了二极管这种半导体元件，了解了它是由一个PN结构成的以及它的单向导电性，那么本节课开始，我们一起来学另一种重要的半导体元件――晶体管。 新课讲解：

一、晶体管的结构、符号与分类

1、结构：晶体管是由两个PN结构成的，其内部结构可分为三个区：集电区、基区、发射区，这三个区分别引出一个电极，称为集电极、基极、发射极，依次用c,b,e表示。集电区与基区交界处的PN结称为集电结，发射区与基区交界处的PN结称为发射结。晶体管的结构可总结为：三极、三区、两结。如图所示：

2、分类：

根据晶体管两个PN结的组合方式不同，可以将晶体管分为NPN型和PNP型两类。 3、符号：

二、晶体管的电流放大作用

图示为研究NPN型晶体管电流放大作用的实验电路。调节电位器RP，通过三个电流表分别测量基极电流、集电极电流、发射极电流，将测量结果填入表中。

通过实验可得到以下结论： 1、晶体管的电流分配规律

发射极电流等于基极电流和集电极电流之和，即 IE= IB+IC 2、晶体管的电流放大作用

在直流电源作用下，晶体管集电极电流和相应的基极电流的比值，称为晶体管的直流电流放大系数，用β表示，即

β=IC/IB

当基极电流IB有微小变化时，集电极电流IC就有了较大的变化，这就是晶体管的电流放大作用。

综上所述，晶体管的电流放大作用，实质上是用较小的基极电流信号控制集电极的大电流信号，是“以小控大”的作用。因此，晶体管是一种电流控制电流器件。 小结：

本节课主要介绍了晶体管的结构、符号及晶体管的电流放大作用，要求学生能够熟练掌握。 作业布置：

课本105页思考与练习1、2小题。

第二学时 复习引入：

1、 晶体管的结构与分类? 2、 晶体管的电流放大作用? 新课讲解：

三、晶体管的特性曲线

晶体管的伏安特性曲线是晶体管内部特性的外部表示，是分析放大电路和选择晶体管的重要依据，分为输入特性曲线和输出特性曲线。 1、 输入特性曲线

输入特性是指在UCE 一定的条件下，加在晶体管基极与发射极之间的电压UBE和它产生的基极电流之间的关系。改变RP1可UCE改变，一定后，改变可得到不同IB的和UBE。

由图可以看出，晶体管的输入特性曲线与二极管的输入特性曲线非常相似，当输入电压较小时，基极电流很小，通常近似为零。

当大于晶体管的死区电压后UT，iB开始上升。晶体管正向导通时，硅管的uBE约为0.7V，锗管的uBE约为0.3V，该值称为晶体管工作时的发射结正向导通压降。

2、输出特性曲线

输出特性是指在IB一定的条件下，集电极与发射极之间的电压UCE与集电极电流IC之间的关系。先调节RP1，使IB为一定值，再调节RP2得到不同的UCE和iC值，便得到如图所示的晶体管输出特性曲线。

(1)截止区

把IB=0曲线以下的区域称为截止区，此时晶体管处于截止状态，相当于晶体管内部各极开路。在截止区，晶体管发射结反偏或零偏，集电结反偏。

(2)放大区

IB>0且UCE>UBE时的区域，即输出特性曲线之间间距基本相等且互相平行的区域。此时晶体管发射结正向偏置，集电结反向偏置，晶体管具有电流放大作用。晶体管具有恒流特性，即UCE大于1V以后，若IB一定，IC就不会随UCE变化，IC恒定。

(3)饱和区

UCE<=UBE的区域，即输出特性曲线靠近左边陡直且互相重合的曲线与纵轴之间的区域。此时晶体管发射结和集电结都正偏，IC已不再受IB控制，晶体管失去放大作用。管子的集电极与发射极之间呈现低电阻，相当于开关的闭合。饱和时UCE的称为饱和压降UCES(硅管为0.3V，锗管为0.1V)

四、晶体管的主要参数

1、直流参数

(1)直流电流放大系数β

(2)集――基反向饱和电流ICBO

(3)集――射反向饱和电流ICEO

2、交流参数

(1)交流电流放大倍数β

(2)共发射极特征频率fT

3、极限参数

(1)集电极最大允许电流ICM

(2)集电极最大允许耗散功率PCM

(3)集――射反向击穿电压U(BR)CEO

小结：

本节课主要讲解了晶体管的特性曲线及晶体管的主要参数，其中晶体管的特性是本节课的重点，三个区域内晶体管呈现出的特性是要求同学们必须掌握的。

11.电子元器件故障的检测方法 篇十一

【关键词】电子元器件；故障；检测

电子器件在工作过程中故障时有发生，进行故障检测要采用科学的方法，检查、分析、判断和确定故障的具体部位及原因。运用有效的检测方法，能迅速找到出现故障的原因，能缩短检修时间。在实际检测工作中要针对具体电子元器件，快速、准确进行检测，以有效地排除故障。

1、观察法

（1）静态观察法。此法也叫断电观察法，就是在不通电的条件下，通过目测查找故障，在具体工作中，应先外后内、循序渐进。以直观的方法和使用万用表来检测是否脱焊、短路、断线万电容器漏液或炸裂、接插件松脱、电接点生锈等故障。

（2）是否有动态观察法。此法也叫通电观察法，就是在设备或线路通电时，观察电路内是否有火花、冒烟等状况；听有没有异常声音；闻器件是否有焦、糊异味；摸管件和集成电路有无发烫感觉。要注意高压、大电流电路需防触电、烫伤，如不正常情况要马上断电。分析原因，确定出现故障的部位。通电观察，有时能确定故障原因，但在一般情况下并不能确认故障的确切部位及原因，要配合检测方法，分析判断找出故障所在。

2、测量法

这种方法是故障检测中使用广泛的有效方法，根据检测的电参数特性又划分为以下几种方法：

（1）利用万用表的欧姆挡测量电子元器件或电路各点之间的电阻值来判断故障的方法即电阻测量法。通常分为在线电阻测量法和不在线电阻测量法。前者是被测元器件已焊在电路板上，万用表测出的阻值是被测元器件阻值、万用表内阻和电路中其他元器件阻值的并联值。要把被测元器件或电路从整个电路或印制板上脱焊下来，其结果准确可靠。电阻法对确定开关、接插件、导线、印制板导电图形的通断及电阻器的变质、电容器短路、电感线圈断路等故障有效快捷，但对晶体管、集成电路以及电路单元，不能直接判定故障，需要进行对比分析或借助其他方法。

（2）电压测量法。电子线路工作时，线路各点都有确定的工作电压，通过测量电压判断故障的方法即电压测量法。电压测量法是通电检测手段的基本、常用方法。按照电源性质又可划分为交流和直流两种电压测量方法。第一种方法，电子线路中的交流回路较为简单，对50/60H2电压，只需使用普通万用表选择合适的AC量程就可以了，测高压时要注意安全、正确操作，对非50/60H2的电源，要按电压频率合理选用不同频率特性的电压表。第二种方法要按电路原理测量各点的直流工作电位并判断电路的工作状态有无异常，这是检修电子器件的主要方法。检测直流电压首先要测量稳压电路输出端有无异常；测量各单元电路及关键点的电压有无异常；测量电路晶体管、集成电路等各引脚电压有无异常，对集成电路应测电源端。对比同种电路测得的各点电压，偏离正常电压较多的部位或元器件，一般就是发生故障的所在部位。使用这种方法，要对电路进行分析，并要尽量收集相关电路的信息、数据，以取得科学的检测效果。

（3）电流测量法。按电路原理，测量各点的工作电流有无异常，电子线路工作时各部分工作电流稳定，偏离正常值较大的部位一般是故障发生位置。此方法有直接测量法和间接测量法。前一种方法把电流表直接串接在需检测的回路中，测出电流值。此方法直观、准确，而检修繁琐。此法一般要经过断开导线、脱焊元器件引脚等处理后，才能把电流表串接在电路中测量。后一种方法是用测电压的方法测出采样电阻上的电压值，换算为电流，此方法简单快捷，而测量点的元器件如有故障，就难以准确判断。采用电流测量法检测故障，要对被测电路正常工作电流进行估算，在比较后进行故障位置判断

（4）波形测量法。交变信号的出现和处理电路，应以示波器观察信号通路各点的波形是直观、有效的检测方法。采用这种方法进行测量，对出现寄生振荡、寄生调制及外界干扰、噪声等造成的故障，效果显著。

（5）逻辑状态测量法。数字电路，要判断电路各部位的逻辑状态，确定电路工作有无异常。数字逻辑主要有高电平和低电平状态、脉冲串及高阻状态。

3、比较法

在用各种检测和试验方法均不能判定故障位置，并有同类型正常设备、元器件、电路或部件的条件下应采用比较法。

（1）整机比较法是把存在故障的设备，与同类可正常工作的设备比较，也可将待修产品中的可疑部件插换到正常设备中比较，能查找故障。此法以检测法为基础，对可能存在故障的电路部分，進行工作点测定和波形观察或信号监测，比较设备的差异。因每台设备不完全一致，检测后还要分析判断检测结果。

（2）调整比较法。此法是通过调整整机设备中的部分可调元件或改变参数、条件，比较调整前后电路特性的变化，确定故障位置和原因的检修方法。适用放置时间较长，或经搬运、跌落等外部变化造成故障的设备。运用此法时要作标记。调整要逐步改变，及时恢复。

（3）旁路比较法。在电路发生电源干扰、寄生振荡或调制的条件下，运用适当容量和耐压的电容，逐级跨接在被测电路的输入或输出端进行旁路，并检查和比较，确定存在隐患的电路部分。旁路比较是种交流短路试验，通常可先选用容量较小的电容，临时跨接在待查电路部位与地之间，观察、比较故障变化，若电路特性向好的方向变化，应适度加大电容容量再试，判定故障的位置。

（4）排除比较法。整机或系统中一般有若干相同功能和结构的组件，调试中出现系统功能异常，在不确定造成故障的组件，一般采用此法确认故障。其处理方法是逐一插入组件，监视整机或系统，若系统工作正常，再插入另一块组件试验，直至查出故障。

随着科学技术特别是电子技术、传感技术的发展，电路检测正在走向自动化和智能化。这种检测方式可采取措施消除故障隐患。自动检测在一些以计算机为主体的大型设备上大均有先进功能。自动检测方式将运用在更多的电子设备器件上，使电子设备器件向更高水平发展。

参考文献

[1] 韩广军：专业教学中电焊机电路使用中故障的查找和排除，成才之路，2011.6

[2] 黄瑞峰等：浅析医用电子加速器维护与维修的一般原则，医用放射技术杂志，2004.6

[3] 秦贞龙：机床电器故障的现场检测，电气制造，2008.9

[4] 陈雷明等：刀具检测方法综述，机械制造与自动化，2011.1