金属硬度测试实验报告

金属硬度测试实验报告（精选4篇）

1.金属硬度测试实验报告 篇一

中国片剂硬度测试仪行业发展战略及前景研究预测报告

片剂硬度测试仪行业概述

一、行业定义、基本概念

二、行业基本特点

三、行业发展潜力概述

第一章 片剂硬度测试仪行业国内外发展概述

一、国际片剂硬度测试仪行业发展总体概况

1．2010-2013年全球片剂硬度测试仪行业发展概况

2．主要国家和地区发展概况

3．全球片剂硬度测试仪行业发展趋势

二、中国片剂硬度测试仪行业发展概况

1．2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业发展概况

2．中国片剂硬度测试仪行业发展中存在的问题

第二章 2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业发展环境分析

一、宏观经济环境

二、国际贸易环境

三、宏观政策环境

四、片剂硬度测试仪行业政策环境

五、片剂硬度测试仪行业技术环境

六、国内外经济形势对片剂硬度测试仪行业发展环境的影响

第三章 片剂硬度测试仪行业市场分析

一、市场规模分析

1．2010-2013年片剂硬度测试仪行业市场规模及增速

2．片剂硬度测试仪行业市场饱和度

3．国内外经济形势对片剂硬度测试仪行业市场规模的影响

4．2013-2018年片剂硬度测试仪行业市场规模及增速预测

二、市场结构分析

三、市场特点分析

1．片剂硬度测试仪行业所处生命周期

2．技术变革与行业革新对片剂硬度测试仪行业的影响

3．差异化分析

第四章 片剂硬度测试仪行业生产分析

一、生产总量分析

1．2010-2013年片剂硬度测试仪行业生产总量及增速

2．2010-2013年片剂硬度测试仪行业产能及增速

3．国内外经济形势对片剂硬度测试仪行业生产的影响

4．2013-2018年片剂硬度测试仪行业生产总量及增速预测

二、子行业生产分析

三、细分区域生产分析

四、行业供需平衡分析

1．片剂硬度测试仪行业供需平衡现状

2．国内外经济形势对片剂硬度测试仪行业供需平衡的影响

3．片剂硬度测试仪行业供需平衡趋势预测

第五章 片剂硬度测试仪行业竞争分析

一、行业集中度分析

二、行业竞争格局

三、竞争群组

四、片剂硬度测试仪行业竞争关键因素

1．价格

2．渠道

3．产品/服务质量

4．品牌

第六章 片剂硬度测试仪下游行业分析

一、片剂硬度测试仪下游行业增长情况

二、片剂硬度测试仪下游行业区域分布情况

三、片剂硬度测试仪下游行业发展预测

四、国内外经济形势对片剂硬度测试仪下游行业的影响

第七章 行业盈利能力分析

一、2010-2013年片剂硬度测试仪行业销售毛利率

二、2010-2013年片剂硬度测试仪行业销售利润率

三、2010-2013年片剂硬度测试仪行业总资产利润率

四、2010-2013年片剂硬度测试仪行业净资产利润率

五、2010-2013年片剂硬度测试仪行业产值利税率

六、2013-2018年片剂硬度测试仪行业盈利能力预测

第八章 行业成长性分析

一、2010-2013年片剂硬度测试仪行业销售收入增长分析

二、2010-2013年片剂硬度测试仪行业总资产增长分析

三、2010-2013年片剂硬度测试仪行业固定资产增长分析

四、2010-2013年片剂硬度测试仪行业净资产增长分析

五、2010-2013年片剂硬度测试仪行业利润增长分析

六、2013-2018年片剂硬度测试仪行业增长预测

第九章 行业偿债能力分析

一、2010-2013年片剂硬度测试仪行业资产负债率分析

二、2010-2013年片剂硬度测试仪行业速动比率分析

三、2010-2013年片剂硬度测试仪行业流动比率分析

四、2010-2013年片剂硬度测试仪行业利息保障倍数分析

五、2013-2018年片剂硬度测试仪行业偿债能力预测

第十章 行业营运能力分析

一、2010-2013年片剂硬度测试仪行业总资产周转率分析

二、2010-2013年片剂硬度测试仪行业净资产周转率分析

三、2010-2013年片剂硬度测试仪行业应收账款周转率分析

四、2010-2013年片剂硬度测试仪行业存货周转率分析

五、2013-2018年片剂硬度测试仪行业营运能力预测

第十一章 片剂硬度测试仪行业重点企业分析（10家企业）

一、企业简介及主要产品

二、企业主要财务指标分析

三、企业竞争力分析比较

四、企业盈利能力

五、企业发展战略

第十二章 重点子行业分析

一、子行业发展现状

二、子行业发展特征

三、子行业发展趋势

四、国内外经济形势对片剂硬度测试仪行业子行业的影响

第十三章 区域市场分析

一、各区域片剂硬度测试仪行业发展现状

1．华东地区

2．华北地区

3．华中地区

4．华南地区

5．东北地区

6．西部地区

二、各区域片剂硬度测试仪行业发展特征

1．华东地区

2．华北地区

3．华中地区

4．华南地区

5．东北地区

6．西部地区

三、各区域片剂硬度测试仪行业发展趋势

1．华东地区

2．华北地区

3．华中地区

4．华南地区

5．东北地区

6．西部地区

四、重点省市片剂硬度测试仪行业发展状况

第十四章 片剂硬度测试仪行业进出口现状与趋势

一、出口分析

1．出口量及增长情况

2．片剂硬度测试仪行业海外市场分布情况

3．经营海外市场的主要品牌

4．国内外经济形势对片剂硬度测试仪行业出口的影响

二、进口分析

1．进口量及增长情况

2．片剂硬度测试仪行业进口产品主要品牌

3．国内外经济形势对片剂硬度测试仪行业进口的影响

第十五章 片剂硬度测试仪行业风险分析

一、片剂硬度测试仪行业环境风险

1．国际经济环境风险

2．汇率风险

3．宏观经济风险

4．宏观经济政策风险

5．区域经济变化风险

二、片剂硬度测试仪行业产业链上下游风险

1．上游行业风险

2．下游行业风险

3．其他关联行业风险

三、片剂硬度测试仪行业政策风险

1．产业政策风险

2．贸易政策风险

3．环保政策风险

4．区域经济政策风险

5．其他政策风险

四、片剂硬度测试仪行业市场风险

1．市场供需风险

2．价格风险

3．竞争风险

五、片剂硬度测试仪行业其他风险分析

第十六章 有关建议

一、片剂硬度测试仪行业发展前景预测

1．用户需求变化预测

2．竞争格局发展预测

3．渠道发展变化预测

4．行业总体发展前景及市场机会分析

二、片剂硬度测试仪企业营销策略

1．价格策略

2．渠道建设与管理策略

3．促销策略

4．服务策略

5．品牌策略

三、片剂硬度测试仪企业投资策略

1．子行业投资策略

2．区域投资策略

3．产业链投资策略

四、片剂硬度测试仪企业应对当前经济形势策略建议

1．战略建议

2．财务策略建议

图表目录：

图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业市场规模及增速

图表：2013-2018年中国片剂硬度测试仪行业市场规模及增速预测 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业重点企业市场份额 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业需求总量

图表：2013-2018年中国片剂硬度测试仪行业需求总量预测 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业需求集中度 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业需求增长速度 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业市场饱和度 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业供给总量

图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业供给增长速度 图表：2013-2018年中国片剂硬度测试仪行业供给量预测 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业供给集中度 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业销售量

图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业库存量

图表：2013-2018年中国片剂硬度测试仪行业产品价格趋势 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业利润及增长速度 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业销售利润率 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业总资产利润率 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业净资产利润率 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业产值利税率 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业总资产增长率 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业净资产增长率 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业资产负债率 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业速动比率

图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业流动比率

图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业总资产周转率 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业应收账款周转率 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业存货周转率

图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪产品出口量以及出口额 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业出口地区分布 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业进口量及进口额 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业进口区域分布 图表：2010-2013年中国片剂硬度测试仪行业对外依存度

2.金属硬度测试实验报告 篇二

金属线胀系数得测定

测量固体得线胀系数，实验上归结为测量在某一问题范围内固体得相对伸长量。此相对伸长量得测量与杨氏弹性模量得测定一样 , 有光杠杆、测微螺旋与千分表等方法.而加热固体办法 , 也有通入蒸气法与电热法。一般认为 , 用电热丝同电加热 , 用千分表测量相对伸长量 , 就是比较经济又准确可靠得方法。

一、实验目得

1.学会用千分表法测量金属杆长度得微小变化。

2.测量金属杆得线膨胀系数。

二、实验原理

一般固体得体积或长度，随温度得升高而膨胀，这就就是固体得热膨胀。

设物体得温度改变时 , 其长度改变量为 , 如果足够小 , 则与成正比 , 并且也与物体原长成正比，因此有

（1)

式（１)中比例系数称为固体得线膨胀系数 , 其物理意义就是温度每升高 1℃时物体得伸长量与它在 0℃时长度之比.设在温度为 0℃时, 固体得长度为，当温度升高为℃时 , 其长度为，则有

即（2)如果金属杆在温度为, 时 , 其长度分别为 ,，则可写出

（3)(4）

将式（3)

代入式(4）,又因与非常接近，所以，于就是可得到如下结果

:

（5）

由式（５）, 测得 ,，与 , 就可求得值。

三、仪器介绍

（一）加热箱得结构与使用要求 1.结构如图 5—1。

2.使用要求

（1）被测物体控制于尺寸；

（2）整体要求平稳，因伸长量极小, 故仪器不应有振动；

（3）千分表安装须适当固定（以表头无转动为准）且与被测物体有良好得接触（读数在 0、2~0、3mm 处较为适宜 , 然后再转动表壳校零）

;（4）被测物体与千分表探头需保持在同一直线

.（二）恒温控制仪使用说明面板操作简图 , 如图 5— 2 所示.图 5—2

1.当电源接通时，面板上数字显示为 FdHc，表示仪器得公司符号 , 然后即刻自动转向 A X X、X 表示当时传感器温度，即.再自动转为、（表示等待设定温度)。

2.按升温键 , 数字即由零逐渐增大至实验者所选得设定值，最高可选８０

℃、3.如果数字显示值高于实验者所设定得温度值

,可按降温键，直至达到设定值。

4.当数字达到设定值时 ,即可按确定键，开始对样品加热，同时指示灯会闪亮，发光频闪与加热速率成正比.5.确定键得另一用途就是可作选择键,可选择观察当时得温度值与先前设定值。

6.实验者如果需要改变设定值可按复位键，重新设置。四、实验步骤

1.接通电加热器与温控仪输入输出接口与温度传感器得航空插头。

2.测出金属杆得长度 (本实验使用得金属杆得长度为 400mm）,使其一端与隔热顶尖紧密接触。

3.调节千分表带绝热头得测量杆 ,使其刚好与金属杆得自由端接触 ,记下此时千分表得读数。

4.接通恒温控制仪得电源 ,先设定需要加热得值为 30 ℃，按确定键开始加热，在达到设定温度后降温至室温，降温时也应读数。

注视恒温控制仪，每隔３ ℃读一次读数 ,同时读出千分表得示数，将相应得读数 ,，⋯ ,，，⋯，，⋯,，,，⋯，记在表格里。

(其中 =（+)/2)

5.显然 ,金属杆各时刻上升得温度就是— ,-,⋯,-，相应得伸长量就是－ ,— ,⋯,-，则式(5)可表示为

＝

即

(6)

由此可知，线膨胀系数就是以

-为纵坐标、以—为横坐标得实验曲线得斜率。把

各测量值填入下表 ,作－与-得曲线（即与曲线)，先算出，再求出.另外还可根据式(6）来计算出。因为长度得测量就是连续进行得，故用逐差法对进行处理。

五、实验数据

T ｎ

/ ℃

Nn

／

mm

六、数据处理

1.图像法

根据实验数据作出与曲线如下图所示

因,故数据正相关相关性很高。

可得 =0、0０46mm/

℃,又因

=４０

0mm

求得

／ ℃ 2.逐差法

同理求得 , 根据查得得 ℃求出

根据式(6), 则／ ℃ ,其中 ,代入数据求得

／ ℃

则 /℃

七、误差分析

两种方法所测得得结果几乎一致，而逐差法中，数量级很小。

故而误差在允许范围内。

产生误差得原因：

1、在读取数据时得读数误差

.２、仪器本身存在得误差。

八、注意事项

1.在测量过程中，整个系统应保持稳定，不能碰撞。

2.读取 ,数据时，特别就是读取时，一定要迅速

.九、试验总结

3.传感器测试实验报告 篇三

直流激励时霍尔传感器位移特性实验 一、实验目得: 了解霍尔式传感器原理与应用。

二、基本原理: 金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时，在垂直于磁场与电流得方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应.具有这种效应得元件成为霍尔元件，根据霍尔效应,霍尔电势 U H =K H IＢ，当保持霍尔元件得控制电流恒定，而使霍尔元件在一个均匀梯度得磁场中沿水平方向移动,则输出得霍尔电动势为,式中 k—位移传感器得灵敏度。这样它就可以用来测量位移.霍尔电动势得极性表示了元件得方向.磁场梯度越大，灵敏度越高；磁场梯度越均匀，输出线性度就越好。

三、需用器件与单元: 霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、±15V 直流电源、测微头、数显单元.四、实验步骤: 1、将霍尔传感器安装在霍尔传感器实验模块上,将传感器引线插头插入实验模板得插座中,实验板得连接线按图 9—1 进行。1、3 为电源±５V,２、4 为输出。

2、开启电源,调节测微头使霍尔片大致在磁铁中间位置,再调节 Rw1 使数显表指示为零。

图９-１

直流激励时霍尔传感器位移实验接线图 3、测微头往轴向方向推进,每转动 0、2mｍ记下一个读数，直到读数近似不变,将读数填入表９-1。

表９－1 X（ｍm)

Ｖ（mv)

作出 V—Ｘ曲线,计算不同线性范围时得灵敏度与非线性误差。

五、实验注意事项: 1、对传感器要轻拿轻放,绝不可掉到地上。

2、不要将霍尔传感器得激励电压错接成±1５Ｖ,否则将可能烧毁霍尔元件。

六、思考题:

本实验中霍尔元件位移得线性度实际上反映得时什么量得变化？ 七、实验报告要求: 1、整理实验数据,根据所得得实验数据做出传感器得特性曲线． 2、归纳总结霍尔元件得误差主要有哪几种,各自得产生原因就是什么,应怎样进行补偿。

实验二

集成温度传感器得特性 一、实验目得: 了解常用得集成温度传感器基本原理、性能与应用。

二、基本原理: 集成温度传器将温敏晶体管与相应得辅助电路集成在同一芯片上,它能直接给出正比于绝对温度得理想线性输出,一般用于－５0℃－+150℃之间测量，温敏晶体管就是利用管子得集电极电流恒定时,晶体管得基极—发射极电压与温度成线性关系。为克服温敏晶体管 U ｂ 电压生产时得离散性、均采用了特殊得差分电路。集成温度传感器有电压型与电流型二种,电流输出型集成温度传感器，在一定温度下,它相当于一个恒流源。因此它具有不易受接触电阻、引线电阻、电压噪声得干扰。具有很好得线性特性。本实验采用得就是国产得 AD５９0.它只需要一种电源(+４Ｖ-+30Ｖ)．即可实现温度到电流得线性变换,然后在终端使用一只取样电阻（本实验中为 R2)即可实现电流到电压得转换。它使用方便且电流型比电压型得测量精度更高。

三、需用器件与单元：

温度控制器、加热源、温度模块、数显单元、万用表。

四、实验步骤: 1、将主控箱上总电源关闭,把主控箱中温度检测与控制单元中得恒流加热电源输出与温度模块中得恒流输入连接起来。

2、将温度模块中得温控 Pｔ10０与主控箱得Ｐｔ1０0 输入连接起来。

３、将温度模块中左上角得 AD590 接到 a、b 上(正端接 a,负端接ｂ),再将 b、d 连接起来.4、将主控箱得+5V 电源接入ａ与地之间。

5、将 d 与地与主控箱得电压表输入端相连(即测量１K 电阻两端得电压).6、开启主电源，将温度控制器得 SV 窗口设定为(设置方法见附录２）,以后每隔设定一次,即Δt=,读取数显表值,将结果填入下表。

表１0-1 T（℃)

Ｖ（mＶ)

7、根据上表计算 AＤ5９0 得非线性误差。

五、实验注意事项：

1、加热器温度不能加热到 120℃以上，否则将可能损坏加热器。

2、不要将 AD５90 得+、—端接反，因为反向电压可能击穿 AD590。

六、思考题：

大家知道在一定得电流模式下 PN 结得正向电压与温度之间具有较好得线性关系,因此就有温敏二极管,您若有兴趣可以利用开关二极管或其它温敏二极管在５0℃-１0０℃之间，作温度特性,然后与集成温度传感器相同区间得温度特性进行比较,从线性瞧温度传感器线性优于温敏二极管,请阐明理由.七、实验报告要求：

1、简单说明 AＤ590 得基本原理,讨论电流输出型与电压输出型集成温度传感器得优缺点。

2、总结实验后得收获、体会。

实验 三

光电二极管与光敏电阻得特性研究

一、实验目得: 了解光电二极管与光敏电阻得特性与应用。

二、基本原理: :（1)光电二极管：

光电二极管就是利用 PＮ结单向导电性得结型光电器件，结构与一般二极管类似。PN 结安装在管得顶部，便于接受光照。外壳上有以透镜制成得窗口以使光线集中在敏感面上，为了获得尽可能大得光生电流,PN 结得面积比一般二极管要大.为了光电转换效率高，PＮ结得深度比一般二极管浅。光电二极管可工作在两种状态。大多数情况下工作在反向偏压状态。在这种情况下,当无光照时,处于反偏得二极管工作在截止状态,这时只有少数载流子在反向偏压得作用下，渡越阻挡层形成微小得反向电流，即暗电流。反向电流小得原因就是在 PN 结中，P 型中得电子与Ｎ型中得空穴（少数载流子)很少.当光照射在 PＮ结上时,PN 结附近受光子轰击,吸收其能量而产生电子空穴对,使P区与N区得少数载流子浓度大大增加,在外加反偏电压与内

电场得作用下,P区得少数载流子渡越阻挡层进入Ｎ区,N区得少数载流子渡越阻挡层进入P区，从而使通过 PN 结得反向电流大为增加，形成了光电流，反向电流随光照强度增加而增加。另一种工作状态就是在光电二极管上不加电压,利用 PN 结受光照强度增加而增加.N 结受光照时产生正向电压得原理,将其作为微型光电池用.这种工作状态一般用作光电检测.光电二极管常用得材料有硅、锗、锑化铟、砷化铟等,使用最广泛得就是硅、锗光电二极管.光电二极管具有响应速度快、精巧、坚固、良好得温度稳定性与低工作电压得优点,因而得到了广泛得应用。

图为光电流信号转换电路，Vo＝IpR，Ｉp 为光电流,Ｒ就是反馈电阻。

(2)光敏电阻: 光敏电阻就是利用光得入射引起半导体电阻得变化来进行工作得.光敏电阻得工作原理就是基于光电导效应:在无光照时,光敏电阻具有很高得阻值；在有光照时,当光电子得能量大于材料禁带宽度,价带中得电子吸收光子能量后跃迁到导带，激发出可以导电得电子－空穴对,使电阻降低,光线愈强,激发出得电子—空穴对越多,电阻值越低;光照停止后,自由电子与空穴复合,导电能力下降，电阻恢复原值。制作光敏电阻得材料常用硫化镉（CｄS)、硒化镉（CdＳe)、硫化铅(ＰｂSe)锑化铟(ＩnSb)等。

由于光导效应只限于光照表面得薄层,所以一般都把半导体材料制成薄膜,并赋予适当得电阻值，电极构造通常做成梳形，这样,光敏电阻与电极之间得距离短,载流子通过电极得时间少，而材料得载流子寿命又较长,于就是就有很高得内部增益 G,从而获得很高得灵敏度。光敏电阻具有灵敏度高,光谱响应范围宽,重量轻，机械强度高,耐冲击,抗过载能力强,耗散功率大，以及寿命长等特点．光敏电阻得阻值 R 与光得强度呈现强烈得非线性． 三、实验器件与单元: :

光电模块,主控箱,万用表,０～20mA 恒流源。

四、实验内容与步骤：

1、将主控箱得 0~20mA 恒流源调节到最小。

2、把 0～20mＡ恒流源得输出与光电模块上得恒流输入连接起来,以驱动 LED 光源。

３、1、硅光电池实验：将恒流源从 0 开始每隔２mA 记录一次,填入下列相应得表格,光电二极管得强度指示在光电模块得右边数显上。

3、２、光敏电阻实验:由于光敏电阻光较弱时变化较大，所以在０~2ｍA 之间,每隔０、5mA记录一次，以后每隔 2ｍA 做一次实验,测得得数据填入下列相应表格。光敏电阻得大小用万用表测量光电模块上得光敏电阻输出端。

（1)光电二极管: I（mＡ）

V（mv)

(2）光敏电阻:

Ｉ（mA)

R

五、实验注意事项：

注意要将主控箱上恒流输出得正负端与光电模块上得正负端对应接好，否则,光发送端将不能发光。

六、思考题: :

1、当将硅光电池作为光探测器时应注意那些问题？ 2、讨论光敏电阻主要应用在什么场合。

七、实验报告要求：

1、根据实验数据做出光敏电阻与硅光电池得特性曲线图。

2、简述光敏电阻与硅光电池得基本特性。

实验四 四

电容式传感器得位移特性实验 一、实验目得: 了解电容式传感器结构及其特点。

一、基本原理: 利用平板电容 C＝εS/d 与其它结构得关系式通过相应得结构与测量电路可以选择ε、S、d 中三个参数中，保持两个参数不变,而只改变其中一个参数,则可以有测谷物干燥度(ε变）测微小位移（变 d)与测量液位（变 S)等多种电容传感器。变面积型电容传感器中,平板结构对极距特别敏感,测量精度受到影响,而圆柱形结构受极板径向变化得影响很小,且理论上具有很好得线性关系,(但实际由于边缘效应得影响，会引起极板间得电场分布不均,导致非线性问题仍然存在，且灵敏度下降,但比变极距型好得多。)成为实际中最常用得结构,其中线位移单组式得电容量 C 在忽略边缘效应时为：

(1)式中

——外圆筒与内圆柱覆盖部分得长度;

——外圆筒内半径与内圆柱外半径.当两圆筒相对移动时,电容变化量为

(2）

于就是，可得其静态灵敏度为:

(3)可见灵敏度与有关，越接近,灵敏度越高,虽然内外极筒原始覆盖长度与灵敏度无关，但不可太小,否则边缘效应将影响到传感器得线性。

本实验为变面积式电容传感器,采用差动式圆柱形结构,因此可以很好得消除极距变化对

测量精度得影响,并且可以减小非线性误差与增加传感器得灵敏度.二、需用器件与单元: 电容传感器、电容传感器实验模板、测微头、数显单元、直流稳压源。

三、实验步骤: 1、将电容式传感器装于电容传感器实验模板上，将传感器引线插头插入实验模板得插座中。

2、将电容传感器实验模板得输出端 Vo１与数显单元Ｖi 相接(插入主控箱 Vi 孔）Rw 调节到中间位置。

3、接入±15V 电源,旋动测微头改变电容传感器动极板得位置,每隔０。2mm 记下位移Ｘ与输出电压值,填入表 8-１。

表 8-1 电容传感器位移与输出电压值 X（mｍ）

V(ｍv）

4、根据表 8－１数据计算电容传感器得系统灵敏度Ｓ与非线性误差。

五、实验注意事项: １、传感器要轻拿轻放,绝不可掉到地上。

2、做实验时,不要接触传感器,否则将会使线性变差。

图 8-1 电容传感器位移实验接线图 六、思考题: 1、简述什么就是传感器得边缘效应，它会对传感器得性能带来哪些不利影响。

２、电容式传感器与电感式传感器相比,有哪些优缺点? 七、实验报告要求: 1、整理实验数据，根据所得得实验数据做出传感器得特性曲线,并利用最小二乘法做出拟合直线，计算该传感器得非线性误差． ２、根据实验结果,分析引起这些非线性得原因，并说明怎样提高传感器得线性度。

实验一

电容式传感器得位移特性实验

班级：

姓名：

学号：

１、实验目得 了解电容式传感器结构及其特点。、实验器件 电容传感器、电容传感器实验模板、测微头、数显单元、直流稳压源。、基本原理 4、实验结果：电容传感器位移与输出电压值 Ｘ（（mm)

V(ｍv）

根据实验数据计算电容传感器得系统灵敏度 S 与非线性误差 实验二 二

直流激励时霍尔传感器位移特性实验 班级：

：

姓名：

学号:

1、、实验目得 了解霍尔式传感器原理与应用.2、、实验器件 霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、±15V 直流电源、测微头、数显单元。

3、、基本原理 4、、实验结果 X(mm)

Ｖ（（mv)

作出 V—X 曲线,计算不同范围时得灵敏度与非线性误差 实验三 三

集成温度传感器得特性 班级:

姓名：

学号:

1、、实验目得 了解常用得集成温度传感器基本原理、性能与应用。

2、、实验器件 温度控制器、加热源、温度模块、数显单元、万用表。

3、、实验原理 4、、实验结果 T（（℃））

V(mv)

根据上表计算 AD590 得非线性误差 实验 四

光电二极管得特性研究

班级:

姓名:

学号：

１、实验目得 了解光电二极管得特性与应用。

2、、实验器件 光电模块，主控箱,万用表，0~20mA 恒流源。

3、、实验原理及步骤 4、、实验结果 I(mA）

V(mv)

4.霍兰德职业倾向测试心理实验报告 篇四

(一)题目

霍兰德职业倾向测试

(二）引言

目前，很多大学生没有明确的目标，不知道自己适合怎样的职业，将来能做什么。霍兰德是美国著名的职业指导专家,我们将以他的职业倾向测试为依据，以问卷形式对在读大学生进行调查研究，研究被试最终测试的结果是怎样的职业兴趣特点，假设此测试涉及方面较全面，能够比较有效地测试出基本符合被试本人的职业兴趣，此次实验研究就是为了让被试更加的了解自己的职业兴趣,有助于他们树立明确的目标,对他们的工作及学习都会有很大帮助。

(三）方法

被试：在读大学生

测验工具：霍兰德职业倾向系列问卷

测验过程：让被试完成问卷调查

（四）结果

受测者的职业兴趣特点是：社会艺术型。受测者对人和艺术都十分感兴趣，乐于社会交往，并富有幻想和创作欲望，富有情感，有很强的人际归属感，热情，大方。受测者喜欢从事要求想象力丰富的工作，乐于和人相处，对错综复杂和不规则的事物非常感兴趣。受测者有强烈的影响他人的欲望，乐于组织合作和协作，友好对待周围的人，宽宏大量，对情绪情感有极为丰富的内心体验，富于表情，表演才能高。受测者在工作中，有相当强的热忱，有时喜欢夸张的表现，也喜欢有所创造。所适宜的工作环境：社团组织，有自由度和要求创造性的环境，对人际交往技巧要求较高的工作。所适宜的职业：理发师、包装艺术家、美容师、发式设计师、图书馆管理员、教师、护士、指导员等。

(五)讨论

该问卷的核心假设是人可以分为六大类，即事务型（C）、研究型（I）、社会型（S）、技能型（R）、经营型（E）、艺术型（A）。从被试的测试结果显示来看，每种类型的最终分数从0--13分不等,分差比较大，有明显差异特征。最差的就是技能型指标，得分为0分；最高得分指标有两个，分别是艺术型和社会型指标，得分均为11分和13分，通过对测评结果的综合分析，被试最终测验结果为社会艺术型(SA)。那么，本套试题是由三部分组成：兴趣倾向问卷、个人经历问卷和人格倾向问卷，分别对测评者的兴趣、能力和人格特点进行测评。所以此测验结

果也就表明了该被试是怎样的职业兴趣和能力特长，使该被试对与其自身性格匹配的职业类别、岗位特质有更为明晰的认识，从而在就业、升学、进修或职业转向时，做出最佳的选择。据此，我们的研究假设也是成立的。

（六）结论

 霍兰德职业倾向测试能够比较有效的反映出被试的职业兴趣，从而帮助

被试在就业等方面做出最佳选择；

 该测评适用于高中毕业生、在读大中专生、应届大中专毕业生，以及已

参加工作但渴望转行，需发现和确定自己的职业兴趣和能力特长的人士。